[发明专利]存储器字线高度的控制方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体设计及制造领域，更具体地说，本发明涉及一种存储器字线高度控制方法以及采用了该存储器字线高度控制方法的存储器制造方法。

背景技术

对于存储器(例如闪存)，字线及尖角(horn)的高度是至关重要的。图1示意性地示出了存储器结构中字线及尖角高度的示意图。如图1所示，栅极多晶硅1与字线WL之间布置有隔离区2，其中，字线WL一般也由多晶硅形成。图中，第一高度ht1示意性地示出了字线WL的高度，第二高度ht2示意性地示出了尖角H的高度。

为了增大字线WL及尖角H的高度，在现有的存储器制造方法中，往往通过减少字线WL的多晶硅刻蚀步骤的刻蚀时间来使得字线WL及尖角H的高度得以提升。但是，现有技术的这种减少刻蚀时间的方法很有可能带来形成多晶硅残留物的问题，由此会进一步影响存储器器件的工作性能。

因此，希望能够提出一种能够在不产生字线多晶硅残留的情况下提升字线以尖角的高度的方法。

发明内容

本发明的一个目的是针对现有技术的不足，提出一种能够在不产生字线多晶硅残留的情况下提升字线及其尖角的高度的控制方法以及采用了该存储器字线高度控制方法的存储器制造方法。

根据本发明的第一方面，提供了一种存储器字线高度控制方法，其包括：字线多晶硅涂覆步骤，用于在栅极多晶硅以及隔离区上布置字线多晶硅；氧化层生长步骤，用于在所述字线多晶硅上自然生长成氧化层，其中所述氧化层包括第二部分和第一部分，其中所述第二部分厚于所述第一部分，并且所述第二部分覆盖了所述栅极多晶硅、所述隔离区以及最终的字线区域；氧化层刻蚀步骤，用于对氧化层进行刻蚀；字线多晶硅刻蚀步骤，用于对字线多晶硅进行刻蚀。

优选地，在所述存储器字线高度控制方法中，所述字线多晶硅刻蚀步骤使得所述栅极多晶硅以及所述隔离区暴露出来。

优选地，在所述存储器字线高度控制方法中，所述氧化层刻蚀步骤刻蚀了部分字线多晶硅。

优选地，在所述存储器字线高度控制方法中，在所述氧化层刻蚀步骤中，所述第二部分和所述第一部分的的材料是SiO₂(以不同区域的厚度不同而加以区别)，使得所述第一部分下方的字线多晶硅比所述所述第二部分下方的字线多晶硅更多得被刻蚀。或者，可选地，在所述氧化层刻蚀步骤中，所述第二部分和所述第一部分因为选择比的作用使得所述第一部分OX1下方的字线多晶硅被部分刻蚀，而所述第二部分OX2下方的字线多晶硅未被刻蚀。

优选地，在所述存储器字线高度控制方法中，在所述氧化层刻蚀步骤中，刻蚀多晶硅的速率要快于刻蚀所述氧化层的速度。

优选地，在所述存储器字线高度控制方法中，所述字线多晶硅刻蚀步骤之后得到的字线高度可得到250A-600A的改善。

通过采用根据本发明第一方面所述的存储器字线高度控制方法，本发明能够在不产生字线多晶硅残留的情况下提升字线及其尖角的高度。

根据本发明的第二方面，提供了一种采用了根据本发明第一方面所述的存储器字线高度控制方法的存储器制造方法。

由于采用了根据本发明第一方面所述的存储器字线高度控制方法，因此，本领域技术人员可以理解的是，根据本发明第二方面的存储器制造方法同样能够实现根据本发明第一方面所述的存储器字线高度控制方法所实现的技术效果。即，本发明能够在不产生字线多晶硅残留的情况下提升字线以尖角的高度。

附图说明

结合附图，并通过参考下面的详细描述，将会更容易地对本发明有更完整的理解并且更容易地理解其伴随的优点和特征，其中：

图1示意性地示出了存储器结构中字线及尖角高度的示意图。

图2示意性地示出了根据本发明实施例的存储器字线高度控制方法的氧化层生长步骤之后的结构示意图。

图3示意性地示出了根据本发明实施例的存储器字线高度控制方法的氧化层刻蚀步骤之后的结构示意图。

图4示意性地示出了根据本发明实施例的存储器字线高度控制方法的字线多晶硅刻蚀步骤之后的结构示意图。

需要说明的是，附图用于说明本发明，而非限制本发明。注意，表示结构的附图可能并非按比例绘制。并且，附图中，相同或者类似的元件标有相同或者类似的标号。

具体实施方式

为了使本发明的内容更加清楚和易懂，下面结合具体实施例和附图对本发明的内容进行详细描述。

根据本发明的一个具体实施例，存储器字线高度控制方法下述具体步骤：

字线多晶硅涂覆步骤，用于在栅极多晶硅1以及隔离区2上布置字线多晶硅P。