[发明专利]存储器字线高度的控制方法有效
| 申请号： | 201110299630.X | 申请日： | 2011-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN102427057A | 公开（公告）日： | 2012-04-25 |
| 发明（设计）人： | 张振兴;奚裴;程江伟;江红;肖培;熊磊;黄莉;齐龙茵;王百钱 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 存储器 高度 控制 方法 | ||
1.一种存储器字线高度的控制方法，其特征在于包括：
字线多晶硅涂覆步骤，用于在栅极多晶硅以及隔离区上布置字线多晶硅；
氧化层生长步骤，用于在所述字线多晶硅上自然生长成氧化层，其中所述氧化层包括第二部分和第一部分，其中所述第二部分厚于所述第一部分，并且所述第二部分覆盖了所述栅极多晶硅、所述隔离区以及最终的字线区域；
氧化层刻蚀步骤，用于对氧化层进行刻蚀；
字线多晶硅刻蚀步骤，用于对字线多晶硅进行刻蚀。
2.根据权利要求1所述的存储器字线高度的控制方法，其特征在于，所述字线多晶硅刻蚀步骤使得所述栅极多晶硅以及所述隔离区暴露出来。
3.根据权利要求1或2所述的存储器字线高度的控制方法，其特征在于，所述第二部分和所述第一部分的材料是二氧化硅。
4.根据权利要求3所述的存储器字线高度的控制方法，其特征在于，所述氧化层刻蚀步骤刻蚀了部分字线多晶硅。
5.根据权利要求4所述的存储器字线高度的控制方法，其特征在于，在所述氧化层刻蚀步骤中，所述第二部分和所述第一部分使得所述第一部分下方的字线多晶硅比所述所述第二部分下方的字线多晶硅更多得被刻蚀。
6.根据权利要求4所述的存储器字线高度的控制方法，其特征在于，在所述氧化层刻蚀步骤中，所述第二部分和所述第一部分因为选择比的作用使得所述第一部分下方的字线多晶硅被部分刻蚀，而所述第二部分下方的字线多晶硅未被刻蚀。
7.根据权利要求4或5所述的存储器字线高度的控制方法，其特征在于，在所述氧化层刻蚀步骤中，刻蚀多晶硅的速率要快于刻蚀所述氧化层的速度。
8.一种存储器制造方法，其特征在于采用了根据权利要求1至7之一所述存储器字线高度的控制方法。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
