[发明专利]一种Si掺杂AlN稀磁半导体薄膜的制备方法无效
| 申请号： | 201110297648.6 | 申请日： | 2011-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN102352485A | 公开（公告）日： | 2012-02-15 |
| 发明（设计）人： | 吴荣;任银拴;简基康;潘东;娄阳;蒋小康;李锦;孙言飞;任会会 | 申请（专利权）人： | 新疆大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/06;H01L43/12;H01F41/18;H01F10/193 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 830046 新疆维吾尔自*** | 国省代码： | 新疆;65 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 si 掺杂 aln 半导体 薄膜 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种Si掺杂AlN稀磁半导体薄膜的制备方法：采用射频磁控溅射系统，其特征在于,靶材是纯度为99.999%的Al（直径为80 mm）和99.99%的硅片（长10 mm，宽3 mm），硅片对称的放在Al靶上，通过原位共溅射，系统的本底真空度为10-5 Pa-10-4 Pa，基片为n型Si（100），靶材与基片间的距离为60 mm，溅射功率为300 W，溅射过程中工作气体为高纯的氮气，溅射过程中的工作气压为1.5 Pa，衬底的温度为370 ℃，溅射时间为60 min，将清洗好的n型Si（100）基片预先在纯氮气氛围中烘干，然后放入真空室，真空室抽到所需真空度时，再将基片加热到所需温度，通入高纯氮气，接射频电源，调节溅射功率到300 W对靶材进行预溅射以除去靶材表面的杂质和氧化层，预溅射时间为20 min，预溅射完毕后，开始溅射。
2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，n型Si（100）基片清洗如下：首先分别在四氯化碳、甲苯、丙酮和无水乙醇溶液中超声清洗，然后在体积比为1:2:6的浓硫酸、双氧水和去离子水混合液中清洗，最后用10%的氢氟酸去除基片表面SiO2氧化层。
3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，硅的掺杂量通过改变硅片的数量来调节。
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