[发明专利]半导体摄像装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体摄像装置，具有像素区域和非像素区域，其特征在于，具备：

第一光电变换元件，形成于上述像素区域；

第一晶体管，形成于上述像素区域，与上述第一光电变换元件连接；

第二光电变换元件，形成于上述非像素区域；

第二晶体管，形成于上述非像素区域，与上述第二光电变换元件连接；

金属布线，至少形成于上述非像素区域；

第一覆盖层，形成于上述金属布线之上，防止包含在上述金属布线中的金属的扩散；以及

虚拟导通布线，形成于上述非像素区域，贯穿上述第一覆盖层。

2.如权利要求1所述的半导体摄像装置，其特征在于，

上述非像素区域是虚拟像素区域或黑基准区域。

3.如权利要求1所述的半导体摄像装置，其特征在于，

在上述第一光电变换元件的上方，没有形成上述金属布线和上述第一覆盖层。

4.如权利要求1所述的半导体摄像装置，其特征在于，

还具备：

层间绝缘膜，形成于上述第一覆盖层之上；

上述虚拟导通布线形成于在上述第一覆盖层和上述层间绝缘膜形成的导通孔内。

5.如权利要求4所述的半导体摄像装置，其特征在于，

还具备：

第二覆盖层，形成于上述层间绝缘膜之上，在上述虚拟导通布线的上方具有开口。

6.如权利要求5所述的半导体摄像装置，其特征在于，

在上述第一光电变换元件的上方，没有形成上述第二覆盖层。

7.如权利要求5所述的半导体摄像装置，其特征在于，

上述第二覆盖层由氮化硅膜或碳化硅膜形成。

8.如权利要求4所述的半导体摄像装置，其特征在于，

上述层间绝缘膜由氧化硅膜形成。

9.如权利要求1所述的半导体摄像装置，其特征在于，

上述第一覆盖层由氮化硅膜或碳化硅膜形成。

10.如权利要求1所述的半导体摄像装置，其特征在于，

上述金属布线由铜形成。

11.如权利要求1所述的半导体摄像装置，其特征在于，

上述虚拟导通布线由铜形成。

12.如权利要求1所述的半导体摄像装置，其特征在于，

上述虚拟导通布线与上述金属布线连接。

13.如权利要求1所述的半导体摄像装置，其特征在于，

上述虚拟导通布线在电路动作中不被使用。

14.一种半导体摄像装置的制造方法，该半导体摄像装置具有像素区域和非像素区域，该半导体摄像装置的制造方法的特征在于，具备：

在上述像素区域形成第一光电变换元件及与上述第一光电变换元件连接的第一晶体管，在上述非像素区域形成第二光电变换元件及与上述第二光电变换元件连接的第二晶体管的工序；

至少在上述非像素区域形成金属布线的工序；

在上述金属布线之上形成防止包含在上述金属布线中的金属的扩散的第一覆盖层的工序；以及

在上述非像素区域形成贯穿上述第一覆盖层的虚拟导通布线的工序。

15.如权利要求14所述的半导体摄像装置的制造方法，其特征在于，

上述非像素区域是虚拟像素区域或黑基准区域。

16.如权利要求14所述的半导体摄像装置的制造方法，其特征在于，

在形成上述金属布线时，在上述第一光电变换元件的上方不形成上述金属布线；

在形成上述第一覆盖层时，在上述第一光电变换元件的上方不形成上述第一覆盖层。

17.如权利要求14所述的半导体摄像装置的制造方法，其特征在于，

还具备在上述第一覆盖层之上形成层间绝缘膜的工序；

上述虚拟导通布线形成于在上述第一覆盖层和上述层间绝缘膜形成的导通孔内。