[发明专利]薄膜晶体管基板及其制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示技术领域，尤其是涉及一种薄膜晶体管基板及其制作方法。

背景技术

目前，使用液晶显示器已成为一种潮流。液晶显示器具有高画质、所占体积小、功率消耗低辐射小等优点。随着液晶显示器技术的日益成熟，使得液晶显示器广泛应用到各个领域中。现有的液晶显示器大都设有薄膜晶体管基板、彩色滤光片基板以及设置于两基板之间的液晶层。其中，薄膜晶体管基板包括基板本体和设置的基板上的两层金属层，该两层金属层之间还设置有绝缘层等其他层。

其中，上述薄膜晶体管基板设置的两层金属层，一般通过物理气相沉积金属镀膜的方式形成。采用这种方式产生的金属层存在晶格界面的缺陷，薄膜晶体管基板在后续的高温制程中，因金属层的晶格界面的缺陷，金属层中的金属可能因温度的升高而向晶格界面缺陷的方向凸起，形成金属小丘，该金属小丘甚至可穿透绝缘层，从而导致在通电的情况下两金属层产生短路现象。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种薄膜晶体管基板及其制造方法，防止薄膜晶体管基板中金属层的晶格界面缺陷，防止金属层小丘现象的发生。

本发明提出一种薄膜晶体管基板的制造方法，包括：

在薄膜晶体管基板上设置第一金属层后，对该薄膜晶体管基板进行退火处理，使该第一金属层的晶格重新排列，防止第一金属层产生晶界缺陷。

优选地，所述对该薄膜晶体管基板进行退火处理之前还包括：

在第一金属层上形成扫描线。

优选地，上述方法还包括：

在所述第一金属层上依次设置隔离层和第二金属层后，对该薄膜晶体管基板进行退火处理，使该第二金属层的晶格重新排列，防止第二金属层产生晶界缺陷。

优选地，所述对该薄膜晶体管基板进行退火处理，使该第二金属层的晶格重新排列之前还包括：

在第二金属层上形成数据线。

优选地，所述对薄膜晶体管基板进行退火操作具体为：

将薄膜晶体管基板置于升温环境中，控制升温环境在30分钟-60分钟内由25℃匀速升温至400℃-600℃；

保持400℃-600℃40-60分钟；

控制升温环境在60分钟-80分钟内匀速降温至25℃。

优选地，控制升温环境由25℃匀速升温至400℃-600℃的时间为45分钟。

优选地，所述隔离层包括绝缘层和半导体层，绝缘层设置在第一金属层上，半导体层设置在绝缘层与第二金属层之间。

本发明另提出一种薄膜晶体管基板，设有第一金属层，所述薄膜晶体管基板在第一金属层成形于其上之后，经退火处理，使第一金属层的晶格被重新排列。

优选地，所述第一金属层形成有扫描线，所述退火处理操作在第一金属层上形成扫描线之后执行。

优选地，上述薄膜晶体管基板还包括：

依次设置在所述第一金属层上的隔离层和第二金属层，该薄膜晶体管基板在隔离层和第二金属层设置后，经退火处理，使第二金属层的晶格被重新排列。

优选地，所述第二金属层形成有数据线，所述在设置第二金属层后的退火处理操作，在第二金属层上形成数据线之后执行。

优选地，所述退火处理的工艺具体为：

将薄膜晶体管基板置于升温环境中，控制升温环境在30-60分钟内由25℃匀速升温至400℃-600℃；

保持400℃-600℃40-60分钟；

控制升温环境在60分钟至80分钟内匀速降温至25℃。

优选地，所述退火处理的工艺中，控制升温环境由25℃匀速升温至400℃-600℃的时间为45分钟。

优选地，所述隔离层包括绝缘层和半导体层，绝缘层设置在第一金属层上，半导体层设置在绝缘层与第二金属层之间。

本发明通过在薄膜晶体管基板形成第一金属层后，对该薄膜晶体管基板依次进行退火处理，使第一金属层的晶格重新排列；有效地防止了第一金属层产生晶界缺陷，从而有效地防止了第一金属层小丘现象的发生。

附图说明

图1是本发明的薄膜晶体管基板的制造方法流程图；

图2是本发明的薄膜晶体管基板的结构示意图。

本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。

具体实施方式

应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。