[发明专利]薄膜晶体管基板及其制作方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管基板的制造方法，其特征在于，包括：

在薄膜晶体管基板上设置第一金属层后，对该薄膜晶体管基板进行退火处理，使该第一金属层的晶格重新排列，防止第一金属层产生晶界缺陷。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板的制造方法，其特征在于，所述对该薄膜晶体管基板进行退火处理之前还包括：

在第一金属层上形成扫描线。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管基板的制造方法，其特征在于，还包括：

在所述第一金属层上依次设置隔离层和第二金属层后，对该薄膜晶体管基板进行退火处理，使该第二金属层的晶格重新排列，防止第二金属层产生晶界缺陷。

4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管基板的制造方法，其特征在于，所述对该薄膜晶体管基板进行退火处理，使该第二金属层的晶格重新排列之前还包括：

在第二金属层上形成数据线。

5.根据权利要求1至4任一项所述的薄膜晶体管基板的制造方法，其特征在于，所述对薄膜晶体管基板进行退火操作具体为：

将薄膜晶体管基板置于升温环境中，控制升温环境在30分钟-60分钟内由25℃匀速升温至400℃-600℃；

保持400℃-600℃40-60分钟；

控制升温环境在60分钟-80分钟内匀速降温至25℃。

6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管基板的制造方法，其特征在于，控制升温环境由25℃匀速升温至400℃-600℃的时间为45分钟。

7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管基板的制造方法，其特征在于，所述隔离层包括绝缘层和半导体层，绝缘层设置在第一金属层上，半导体层设置在绝缘层与第二金属层之间。

8.一种薄膜晶体管基板，设有第一金属层，其特征在于，所述薄膜晶体管基板在第一金属层成形于其上之后，经退火处理，使第一金属层的晶格被重新排列。

9.根据权利要求8所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，所述第一金属层形成有扫描线，所述退火处理操作在第一金属层上形成扫描线之后执行。

10.根据权利要求9所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，还包括：

依次设置在所述第一金属层上的隔离层和第二金属层，该薄膜晶体管基板在隔离层和第二金属层设置后，经退火处理，使第二金属层的晶格被重新排列。

11.根据权利要求10所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，所述第二金属层形成有数据线，所述在设置第二金属层后的退火处理操作，在第二金属层上形成数据线之后执行。

12.根据权利要求8至11任一项所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，所述退火处理的工艺具体为：

将薄膜晶体管基板置于升温环境中，控制升温环境在30-60分钟内由25℃匀速升温至400℃-600℃；

保持400℃-600℃40-60分钟；

控制升温环境在60分钟至80分钟内匀速降温至25℃。

13.根据权利要求12所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，

所述退火处理的工艺中，控制升温环境由25℃匀速升温至400℃-600℃的时间为45分钟。

14.根据权利要求13所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，

所述隔离层包括绝缘层和半导体层，绝缘层设置在第一金属层上，半导体层设置在绝缘层与第二金属层之间。