[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

第一导电型的半导体层；

第一主电极，设置在上述半导体层的第一主面侧；

第二主电极，设置在上述半导体层的第二主面侧；

2个第一控制电极，设置在上述半导体层的从上述第一主面侧向上述第二主面的方向上形成的沟槽的内部，用于控制上述第一主电极与上述第二主电极之间流动的电流；以及

第二控制电极，在上述沟槽的内部，设置在上述2个第一控制电极与上述第二主面侧的底面之间，

上述2个第一控制电极在与上述第一主面平行的方向上间隔地设置，分别隔着第一绝缘膜与上述沟槽的内面相对置，

上述第二控制电极隔着第二绝缘膜与上述沟槽的内面相对置。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

上述第二绝缘膜的与上述第一主面平行的方向上的厚度，比上述第一绝缘膜的与上述第一主面平行的方向上的厚度厚。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

上述第二控制电极具有设置在上述2个第一控制电极与上述第二主面侧的底面之间的第一部分、以及在上述2个第一控制电极之间延伸的第二部分，

上述第二部分的与上述第一主面平行的方向上的宽度，比上述第一部分的与上述第一主面平行的方向上的宽度窄。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还具备：

第二导电型的第一半导体区域，设置在上述半导体层的上述第一主面侧的表面上；和

第一导电型的第二半导体区域，选择性地设置在上述第一半导体区域的表面上，

上述第一主电极与上述第一半导体区域和上述第二半导体区域电连接。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，

在上述半导体层与上述第二主电极之间还具备第二导电型的半导体层。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

上述第二控制电极与上述第一主电极电连接。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

上述第一控制电极与上述第二控制电极电连接。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

上述第二控制电极由含有第二导电型杂质的多晶硅构成。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

在上述半导体层与上述第一主电极之间设置肖特基结，上述第一控制电极和上述第二控制电极与上述第一主电极电连接。

10.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

在上述2个第一控制电极之间以及上述2个第一控制电极与上述第二控制电极之间设置有绝缘层。

11.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

在沿上述一主面延伸的条状的上述沟槽的内部设置有上述第一控制电极和上述第二控制电极。

12.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

在上述半导体层与上述第二主电极之间还具备第一导电型杂质浓度高于上述半导体层的半导体层。

13.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

上述半导体层含有硅，上述第一绝缘膜和上述第二绝缘膜是氧化硅膜。

14.根据权利要求13所述的半导体装置，其特征在于，

上述半导体层是设置在硅衬底上的硅外延生长层。

15.根据权利要求13所述的半导体装置，其特征在于，

上述半导体层是碳化硅层。

16.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具备：

对形成在第一导电型的半导体层表面上的沟槽的内面进行热氧化的工序；

用多晶硅填充热氧化后的上述沟槽的内部的工序；

对形成在热氧化后的上述沟槽内面上的氧化膜进行回蚀，直到上述半导体层的表面与上述多晶硅的上述沟槽底面侧的端部之间的中间位置为止的工序；

对由于上述回蚀而露出的上述多晶硅进行热氧化的工序；以及

在回蚀后的上述沟槽内部形成第一控制电极的工序。