[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，具备存储器单元，该存储器单元包括由P沟道的第一晶体管和N沟道的第二晶体管构成的第一CMOS反相器和由P沟道的第三晶体管和N沟道的第四晶体管构成的第二CMOS反相器，该半导体装置的特征在于，

所述存储器单元具备：第一栅极布线，在所述第一和第二晶体管中共同配置；第二栅极布线，在所述第三和第四晶体管中共同配置；第一布线，作为比所述第一和第二栅极布线上层的第一金属层而配置，并连接到所述第一和第二晶体管的各漏极和所述第二栅极布线；第二布线，作为所述第一金属层而配置，并连接到所述第三和第四晶体管的各漏极和所述第一栅极布线；比所述第一金属层还上层的第二金属层；以及比所述第二金属层还上层的第三金属层，

所述第一布线与所述第二栅极布线重叠，所述第二布线与所述第一栅极布线重叠。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述第一布线在所述第四晶体管的栅极上与所述第二栅极布线重叠，所述第二布线在所述第一和第二晶体管的栅极上与所述第一栅极布线重叠。

3.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

在所述第四晶体管的栅极上，所述第一布线的宽度与所述第二栅极布线的宽度相同或者比所述第二栅极布线的宽度小，在所述第一和第二晶体管的栅极上，所述第二布线的宽度与所述第一栅极布线的宽度相同或者比所述第一栅极布线的宽度小。

4.如权利要求1至3的任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述存储器单元具备：

作为所述第二金属层而配置的第一比特线和第二比特线；

与所述第一比特线和所述第一CMOS反相器连接的第一传输门；以及

与所述第二比特线和所述第二CMOS反相器连接的第二传输门。

5.如权利要求1至4的任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述存储器单元具备：作为所述第三金属层而配置的电源线；以及作为所述第三金属层而配置的接地线。

6.如权利要求1至5的任一项所述的半导体装置，其特征在于，

在与配置了所述存储器单元的基板相同的基板上，配置用于控制所述存储器单元的微型计算机。

7.如权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，

在与配置了所述存储器单元的基板相同的基板上，配置由所述微型计算机控制的闪存。