[发明专利]光学半导体装置及其制造方法

说明书

相关申请的交叉引用

本申请以2010年6月7日提交的申请号为NO.2010-130526的在先日本专利申请为基础，并要求它的优先权，该日本专利申请的全部内容以引用的方式结合到本文中。

技术领域

本说明书描述的实施例大体上涉及一种光学半导体装置及其制造方法。

背景技术

不仅发射红、绿、蓝等可见光带，而且发射从红外光到紫外光的宽波长带的各种半导体发光元件被用作小的低能耗发光元件。通过荧光剂和例如蓝色LED(发光二极管)的半导体发光元件的组合，光学半导体装置也已经被开发为发出白光。

当前用作产品的最为通用的光学半导体装置是半导体发光元件，在该半导体发光元件中，半导体层外延生长在衬底上。换言之，通过在例如GaAs、GaP、蓝宝石等衬底上外延生长半导体层、形成电极，等等，以及随后再划分，从而获得单个的半导体发光元件。接着，通过将由此获得的半导体发光元件安装到引线框、SMD(表面安装装置)型壳体、各种安装衬底等上，进行指定互连，然后用透明树脂密封半导体发光元件，最终完成该光学半导体装置。

发明内容

大体上，根据一个实施例，一种光学半导体装置包括发光层、透明层、第一金属柱、第二金属柱和密封层。所述发光层包括第一主表面、第二主表面、第一电极和第二电极。第二主表面是与第一主表面相对的表面，第一电极和第二电极都形成于第二主表面上。所述透明层设置于第一主表面上，且该透明层是透明的。第一金属柱设置于第一电极上。第二金属柱设置在第二电极上。所述密封层设置于第二主表面上。所述密封层被配置为覆盖所述发光层的侧表面，并密封第一金属柱和第二金属柱，而让第一金属柱的端部和第二金属柱的端部暴露在外。

大体上，根据另一个实施例，一种光学半导体装置包括发光层、荧光层、第一金属柱、第二金属柱和密封层。所述发光层包括第一主表面、第二主表面、第一电极和第二电极。第二主表面是与第一主表面相对的表面，第一电极和第二电极都形成于第二主表面上。所述荧光层设置于第一主表面上。所述荧光层包括一种荧光剂，该荧光剂被配置为吸收发光层发出的光，并发出不同波长的光。第一金属柱设置于第一电极上。第二金属柱设置在第二电极上。所述密封层设置于第二主表面上。所述密封层被配置为覆盖所述发光层的侧表面，并密封第一金属柱和第二金属柱，而让第一金属柱的端部和第二金属柱的端部暴露在外。

大体上，根据一个实施例，一种光学半导体装置包括发光层、荧光层、第一金属柱、第二金属柱和密封层。所述发光层包括第一主表面、第二主表面、第一电极和第二电极。第二主表面是与第一主表面相对的表面，第一电极和第二电极都形成于第二主表面上。荧光层设置于第一主表面上。该荧光层包括一种荧光剂，该荧光剂被配置为吸收发光层发出的光，并发出不同波长的光。第一金属柱设置于第一电极上。第二金属柱设置在第二电极上。密封层设置于第二主表面上，且密封层被配置为覆盖发光层的侧表面，并密封第一金属柱和第二金属柱，而让第一金属柱的端部和第二金属柱的端部暴露在外。

大体上，根据一个实施例，披露了一种用于制造光学半导体装置的方法。该方法可包括通过在包括多个半导体层的半导体堆叠主体的第一主表面侧上形成多组正电极和负电极从而形成发光层。在衬底上外延生长之后，半导体堆叠主体与衬底分离。该方法可包括在发光层的与第一主表面相对的第二主表面上形成透明层。该透明层对发光层发出的光而言是透明的。此外，该方法可包括对每组正电极和负电极实施单个化处理(singulation)。

根据实施例，可以以低成本制造包括具有多种透镜结构的透明层的光学半导体装置。

附图说明

图1A为截面图，示出了根据实施例的光学半导体装置的示意性结构，图1B为平面图，示出了图1A所示的光学半导体装置的下表面；

图2A和2B为示意图，示出了第一实施例的第二个特定实例；

图3A和3B为示意图，示出了第一实施例的第三个特定实例；

图4A和4B为示意图，示出了第一实施例的第四个特定实例；

图5A和5B为示意图，示出了第一实施例的第五个特定实例；

图6为截面图，示出了根据第二实施例的光学半导体装置的示意性结构，该图是与图1A对应的截面图；

图7为截面图，示出了根据第三实施例的光学半导体装置的示意性结构；

图8为截面图，示出了根据第四实施例的光学半导体装置的示意性结构；

图9A-9D为截面图，示出了根据第五实施例的光学半导体装置的示意性结构；