[发明专利]光学半导体装置及其制造方法无效
申请号: | 201110207833.1 | 申请日: | 2011-06-07 |
公开(公告)号: | CN102270733A | 公开(公告)日: | 2011-12-07 |
发明(设计)人: | 小泉洋;冈田康秀;小幡进;中具道;樋口和人;下川一生 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01L33/58 | 分类号: | H01L33/58;H01L33/64;H01L33/00 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 陈松涛;王英 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光学 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种光学半导体装置,包括:
发光层,包括第一主表面、第二主表面、第一电极和第二电极,所述第二主表面是与所述第一主表面相对的表面,所述第一电极和所述第二电极形成在所述第二主表面上;
透明层,设置在所述第一主表面上,所述透明层是透明的;
第一金属柱,设置在所述第一电极上;
第二金属柱,设置在所述第二电极上;以及
密封层,设置在所述第二主表面上,所述密封层被配置成覆盖所述发光层的侧表面,并且密封所述第一金属柱和所述第二金属柱,而使所述第一金属柱的端部和所述第二金属柱的端部暴露在外。
2.根据权利要求1所述的装置,其中所述发光层包括在衬底上外延生长而后与所述衬底分离的半导体堆叠体。
3.根据权利要求1所述的装置,还包括设置在所述透明层上的荧光层,所述荧光层包括被配置成吸收所述发光层发出的光并发出不同波长的光的荧光剂。
4.根据权利要求3所述的装置,其中所述发光层发出的光被引导穿过所述透明层,并且在所述荧光层中转换的所述不同波长的光能够萃取到外部。
5.根据权利要求1所述的装置,其中所述密封层对所述发光层发出的光是光屏蔽的。
6.根据权利要求1所述的装置,还包括设置在所述透明层上的荧光层,所述荧光层包括被配置成吸收所述发光层发出的光并发出不同波长的光的荧光剂,
所述发光层包括在衬底上外延生长而后与所述衬底分离的半导体堆叠体,并且
所述发光层发出的光被引导穿过所述透明层,并且在所述荧光层中转换的所述不同波长的光能够萃取到外部。
7.根据权利要求1所述的装置,其中所述透明层的折射率不小于1且不大于2。
8.根据权利要求3所述的装置,其中所述荧光层包括两种至少成分不同的荧光剂颗粒。
9.根据权利要求3所述的装置,其中所述荧光层包括两种彼此堆叠的荧光膜,所述两种荧光膜至少成分不同。
10.根据权利要求1所述的装置,还包括接合层,该接合层被配置成将所述发光层接合到所述透明层。
11.根据权利要求1所述的装置,其中所述透明层为透镜。
12.根据权利要求11所述的装置,其中所述透镜是凸透镜、凹透镜和菲涅耳透镜中的一种。
13.根据权利要求1所述的装置,还包括:
第一金属层,设置在所述第一金属柱的暴露端部上;以及
第二金属层,设置在所述第二金属柱的暴露端部上;并且
所述第一金属层和所述第二金属层为焊料块。
14.一种光学半导体装置,包括:
发光层,包括第一主表面、第二主表面、第一电极和第二电极,所述第二主表面是与所述第一主表面相对的表面,所述第一电极和所述第二电极形成在所述第二主表面上;
荧光层,设置在所述第一主表面上,所述荧光层包括被配置成吸收所述发光层发出的光并发出不同波长的光的荧光剂;
第一金属柱,设置在所述第一电极上;
第二金属柱,设置在所述第二电极上;以及
密封层,设置在所述第二主表面上,所述密封层被配置成覆盖所述发光层的侧表面,并且密封所述第一金属柱和所述第二金属柱,而使所述第一金属柱的端部和所述第二金属柱的端部暴露在外。
15.根据权利要求14所述的装置,其中所述发光层包括在衬底上外延生长而后与所述衬底分离的半导体堆叠体。
16.根据权利要求14所述的装置,其中所述密封层对所述发光层发出的光是光屏蔽的。
17.根据权利要求14所述的装置,其中从平面观察时所述荧光层突出在所述发光层的外部。
18.根据权利要求14所述的装置,其中所述荧光层包括至少成分不同的两种荧光剂颗粒。
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