[发明专利]IGBT结构及其制备方法

权利要求书

1.一种IGBT结构，其特征在于：所述IGBT结构的集电极区域和基区之间的PN结界面为类波浪形界面。

2.一种IGBT结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一，在硅片背面进行离子注入，所述离子的导电类型与所述硅片的相反，形成间隔排列的注入深度不同的离子注入区域，其中包括注入深度为零的情形；

步骤二，采用热处理工艺，使所述离子注入区域中的离子扩散，在硅片和所述注入区域之间形成波浪形的PN结界面；

步骤三，之后在硅片正面制备其余结构。

3.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于：在所述步骤三之前，还包括根据需要对硅片正面进行减薄处理。

4.如权利要求2或3所述的制备方法，其特征在于，所述步骤一的具体制备方法为：先利用光刻工艺，在硅片背面形成间隔排列的光刻胶图案；进行离子注入工艺，形成注入深度不同的离子注入区域，之后去除所述光刻胶图案。

5.如权利要求2或3所述的制备方法，其特征在于，所述步骤一的具体制备方法为：先在硅片背面淀积二氧化硅层；之后利用光刻工艺和刻蚀工艺，在硅片背面形成间隔排列的二氧化硅层图案；紧接着进行离子注入工艺，形成注入深度不同的离子注入区域，之后去除所述二氧化硅层。

6.如权利要求2或3所述的制备方法，其特征在于：所述步骤一中，所注入的离子的面密度大于1×10¹²个原子/cm²，注入能量设为大于32千电子伏，所形成的注入深度较大的离子注入区域的间隔范围为0.2～20微米。

7.如权利要求2或3所述的制备方法，其特征在于：所述步骤二所形成的PN结界面中，不同的界面处距离衬底背面的深度差为0.1～15微米。

8.一种IGBT器件结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一，在硅片背面进行离子注入，所述离子的导电类型与所述硅片的相反，形成间隔排列的注入深度不同的离子注入区域，其中包括注入深度为零的情形；

步骤二，之后在硅片正面制备其余结构，其中在需要进行热处理时，同时使所述两种注入区域中的离子扩散，在硅片和所述注入区域之间形成波浪形的PN结界面。

9.如权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述步骤一的具体制备方法为：先利用光刻工艺，在硅片背面形成间隔排列的光刻胶图案；进行离子注入工艺，形成注入深度不同的离子注入区域，之后去除所述光刻胶图案。

10.如权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述步骤一的具体制备方法为：先在硅片背面淀积二氧化硅层；之后利用光刻工艺和刻蚀工艺，在硅片背面形成间隔排列的二氧化硅层图案；紧接着进行离子注入工艺，形成注入深度不同的离子注入区域，之后去除所述二氧化硅层。