[发明专利]B位复合Ba (Li1/4Me3/4)O3基无铅压电陶瓷及其制备方法无效
申请号: | 201110162423.X | 申请日: | 2011-06-16 |
公开(公告)号: | CN102285793A | 公开(公告)日: | 2011-12-21 |
发明(设计)人: | 成钧;周昌荣;周沁;袁昌来;陈国华 | 申请(专利权)人: | 桂林电子科技大学 |
主分类号: | C04B35/462 | 分类号: | C04B35/462;C04B35/01;C04B35/622 |
代理公司: | 桂林市华杰专利商标事务所有限责任公司 45112 | 代理人: | 罗玉荣 |
地址: | 541004 广西*** | 国省代码: | 广西;45 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 复合 ba li sub me 基无铅 压电 陶瓷 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及压电陶瓷材料,具体是B位复合Ba (Li1/4Me3/4)O3基无铅压电陶瓷及其制备方法。
背景技术
压电陶瓷作为一类重要的信息功能材料,近年来发展甚为迅速,应用日趋广泛,已深入到移动通信、自动控制、仪器仪表等国民经济及航空、航天、航海、兵器等尖端国防技术各个部门之中,成为不可或缺的该技术新材料之一。半个多世纪以来,锆钛酸铅固溶体在研究和应用方面一直占据压电陶瓷的主导地位。但由于锆钛酸铅固溶体在制备过程中存在PbO的挥发,不仅造成陶瓷中的化学计量比的偏离,使产品的一致性和重复性降低,而且PbO的挥发造成了对环境的污染。因此, 探索无铅化压电陶瓷, 研究环境协调性好的压电材料及其制品是电子元件行业的紧迫任务。
目前,可选择的无铅压电陶瓷种类很多,基本上划分为五大体系:BaTiO3基无铅压电陶瓷、(Na1/2Bi1/2)TiO3基无铅压电陶瓷、铋层状结构无铅压电陶瓷、铌酸钾钠锂((K, Na, Li)NbO3)系无铅压电陶瓷以及钨青铜结构无铅压电陶瓷。然而,目前报导的无铅压电陶瓷的压电性能与铅基压电陶瓷相比还有很大差距,因此,研究高性能新型无铅压电陶瓷具有非常重要意义。虽然研究者对这些无铅陶瓷的改性做了大量研究工作,但距离实际应用还有很大差距。通过分析铅基压电陶瓷的改性经验,发现B位复合离子取代的PZT基压电陶瓷如Pb(Ti, Zr)O3- Pb(Mg1/3Nb2/3)O3具有优良的压电性能。因此本发明提出一种新型绿色环保B位复合Ba (Li1/4Me3/4)O3基无铅压电陶瓷。另外,压电陶瓷只有通过高压极化,使材料内电畴沿电场方向的排列的程度越高,压电性能才能发挥出来。极化程度越高,压电性能越好。因此本发明提出来一种多重强化极化的压电陶瓷制备方法。
现有文献还未有报道B位复合Ba (Li1/4Me3/4)O3基无铅压电陶瓷及制备方法的报道。
发明内容
本发明的目的是提供绿色环保,易于制备,压电性能优良、能够部分取代现有铅基压电陶瓷的B位复合Ba (Li1/4Me3/4)O3基无铅压电陶瓷及其制备方法。
本发明采用以下技术方案实现以上技术问题:
B位复合Ba (Li1/4Me3/4)O3基无铅压电陶瓷,其特征在于:组成通式为:
(1-x) Ba (Li1/4Me3/4)O3-x (Na1/2Bi1/2)TiO3+zMaOb、
(1-x) Ba(Li1/4Me3/4)O3-x(K1/2Bi1/2)TiO3 +zMaOb 、
(1-x-y) Ba (Li1/4Me3/4)O3-xBaTiO3-y(Na1/2Bi1/2)TiO3+zMaOb 、
(1-x-y) Bi(Li1/3Me2/3)O3 –x BaTiO3- y(K1/2Bi1/2)TiO3+zMaOb、
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- 苏桦;李元勋;陈加旺 - 江西国创产业园发展有限公司;江西兴康电子科技有限公司
- 2018-05-29 - 2018-09-18 - C04B35/462
- 本发明涉及电子陶瓷技术领域,特别涉及一种高性能微波介电陶瓷材料及其制备方法;本发明为由主晶相和辅晶相而组成的复合材料,主晶相为LiAlO2,辅晶相为Li2TiO3;在本发明中,其通过将LiAlO2:Li2TiO3进行复合,得到具有很低损耗和近零温度系数特性的高性能微波介电陶瓷材料;本发明生产原料便宜,工艺工程简单,方便操作并利于降低成本;本发明的微波介电陶瓷材料不仅损耗很低,而且温度系数也很小。
- 一种巨介电、低损耗二氧化钛基复合陶瓷的制备方法-201610033935.9
- 刘鹏;郭保春;宋月禅;刘冬冬 - 陕西师范大学
- 2016-01-19 - 2018-08-24 - C04B35/462
- 本发明公开了一种巨介电、低损耗二氧化钛基复合陶瓷的制备方法,该复合陶瓷用通式(A0.5Nb0.5)0.005Ti0.995O2表示的材料组成,其中A代表La、TL、Sm或Gd,其制备方法是将原料球磨混合后直接造粒过筛,成型得到陶瓷的坯体,然后在N2气氛保护下烧结得到致密陶瓷,烧银后再在通空气的环境下800~900℃退火1~2小时,得到巨介电、低损耗二氧化钛基复合陶瓷。本发明方法制备的陶瓷常温条件下在频率为20Hz~100kHz范围内相对介电常数均大于104、介电损耗均低于0.05,具有优良的频率稳定性和温度(‑75~150℃)稳定性,在电容器及动态存储器等各种电子器件中具有实际的应用价值。
- 采用固相氮气烧结法制备二氧化钛基巨介电陶瓷材料的方法-201610230175.0
- 杨祖培;尚保强;晁小练;魏灵灵 - 陕西师范大学
- 2016-04-14 - 2018-08-24 - C04B35/462
- 本发明公开了一种采用固相氮气烧结法制备二氧化钛基巨介电陶瓷材料的方法,所述的二氧化钛基巨介电陶瓷材料的通式为FexTi1‑xO2,式中x的取值为0.10~0.20,本发明固相氮气烧结法,方法简单、重复性好、成品率高,所得二氧化钛基巨介电陶瓷材料在室温低频段的频率稳定性较好,且随着Fe含量的增加,介电常数增大,实验结果表明,x的取值为0.15时,该陶瓷材料在室温下的介电常数最高,在25℃、40Hz时介电常数可达21004,并且具有较低的介电损耗,为0.2008。
- 一种低介低损耗微波介质陶瓷及制备方法-201610261666.1
- 吴海涛;毕金鑫;刘青青 - 济南大学
- 2016-04-26 - 2018-07-31 - C04B35/462
- 本发明公开了一种低介低损耗微波介质陶瓷及制备方法。陶瓷材料采用传统固相工艺制备而成,主要物相为Li2Ni3TiO6。本发明微波介质陶瓷材料具有以下特点:陶瓷材料介电常数εr为11.73~12.96,品质因数Q·f为0.92~1.01×104GHz,谐振频率温度系数Tf为‑25.3~‑16.5ppm/℃;陶瓷物相组成稳定,制备工艺简单,过程环保,制备成本较低,是一种很有发展前途的微波介质材料。
- 一种钛酸铜钙纳米材料的制备方法-201610338133.9
- 张杰;许家胜;崔岩;王莉丽;张艳萍;孙啸虎;杨喜宝;于禄;张帆 - 渤海大学
- 2016-05-23 - 2018-07-27 - C04B35/462
- 本发明属功能材料制备技术领域,涉及一种钛酸铜钙纳米材料的制备方法,将硝酸钙和硝酸铜,在柠檬酸水溶液中溶解,滴加乙酰丙酮钛,然后加入尿素混合均匀后,在一定温度下进行交联反应,然后在马弗炉进行热处理即获得钛酸铜钙纳米材料。其中硝酸钙、硝酸铜、乙酰丙酮钛、柠檬酸和尿素的摩尔比为1:3:4:20~100:20~100。本发明工艺简便易行,纯度高,杂质含量低,产品制备成本低,性能优异,可以大规模的批量生产。本发明所制备的钛酸铜钙纳米材料作为光催化材料使用具有较高的催化活性,在降解染料废水及室内有害气体,光催化消毒等领域具有广泛的应用前景。
- 一种溶胶-凝胶法制备钛酸铜钙/铁酸镍复合磁电陶瓷材料的方法-201810273383.8
- 孙礼;郝文涛;曹恩思;张雍家;张茹;郭建琴 - 太原理工大学
- 2018-03-29 - 2018-07-20 - C04B35/462
- 本发明属陶瓷合成技术领域,提供一种溶胶‑凝胶法制备钛酸铜钙/铁酸镍复合磁电陶瓷材料的方法。用溶胶‑凝胶法分别制备铁酸镍即NFO前驱体粉末和钛酸铜钙即CCTO前驱体粉末,CCTO前驱体粉末和NFO的前驱体粉末以摩尔比为3:1的比例混合后加入粘合剂,混合均匀后压制成陶瓷坯体,将陶瓷坯体烧结获得钛酸铜钙/铁酸镍即CCTO‑NFO复合磁电陶瓷样品。原材料的价格低廉,成本低;反应过程组分可控,防止出现杂相;成胶时间短;制备工艺简单,陶瓷样品的介电特性和磁性都体现出很强的规律性。陶瓷片致密度高、晶粒均匀度高。工艺简单,易于工业化生产,制备的陶瓷样品致密度高、颗粒均匀性好,磁电性能优良。
- 一种低损耗高介电常数X9R陶瓷电容器介质材料及其制备方法-201810056248.8
- 王卓;陈浩楠;王添;肖雨佳;念雯雯;范家豪 - 陕西科技大学
- 2018-01-20 - 2018-06-19 - C04B35/462
- 本发明提供一种低损耗高介电常数X9R陶瓷电容器介质材料及其制备方法,其化学式为(Nd0.5Nb0.5)xTi1‑xO2,x的取值范围为0.005~0.11,制备方法是按(Nd0.5Nb0.5)xTi1‑xO2的标准化学计量取Nd2O3、Nb2O5和TiO2进行配料,混合球磨,烘干,过筛,预烧,二次湿法球磨,冷等静压成型,烧结成瓷,制得低损耗高介电常数X9R陶瓷电容器材料。这种材料介电常数高(>104),介电损耗小(<2.5%),良好的频率(20Hz‑104)和温度稳定性(‑55~200℃),容温变化率<±15%,满足EIAX9R的标准。本发明制备方法简单,对环境无污染,适合工业化生产。
- 一种中低温MLCC电容陶瓷的制备方法-201711361153.9
- 仪凯;张庆猛;唐群;杨志民;杨剑;毛昌辉;杜军 - 北京有色金属研究总院
- 2017-12-18 - 2018-06-12 - C04B35/462
- 本发明属于陶瓷材料技术领域,具体涉及一种中低温MLCC电容陶瓷的制备方法。所述的制备方法工艺步骤:将玻璃陶瓷原料混合均匀,高温熔融、搅拌,形成均匀的玻璃液体;将熔融玻璃液快速倒入去离子水中,得到玻璃碎渣;将玻璃碎渣球磨、烘干后,制得粉体;将粉体烧结,制得MLCC电容陶瓷。本发明MLCC电容陶瓷制备方法,制备周期短,工艺简单,烧结温度低,得到的粉体成分均匀。
- 一种六钛酸钾晶须多孔陶瓷及其制备方法-201711145644.X
- 王洪红;刘浩;王周福;王玺堂;马妍 - 武汉科技大学
- 2017-11-17 - 2018-04-13 - C04B35/462
- 本发明涉及一种六钛酸钾晶须多孔陶瓷及其制备方法。其技术方案是将含钛废料于1000~1300℃热处理,粉磨,得粉磨料A。将50~70wt%的粉磨料A、10~20wt%的钛白粉和10~30wt%的热固性树脂混匀,成型,在1200~1400℃和中性气氛中热处理,粉磨,得粉磨料B。将40~60wt%的粉磨料B、10~30wt%的无水碳酸钾和10~30wt%的醋酸钾混匀,研磨,得到研磨料。将10~20wt%的粉磨料B、30~50wt%的研磨料、10~30wt%的石灰石颗粒、1~10wt%的无水碳酸钾、1~10wt%的无水碳酸钠和1~10wt%的热固性树脂混匀,成型;先后经600~800℃和900~1100℃热处理1~3小时,制得六钛酸钾晶须多孔陶瓷。本发明所制制品中晶须尺寸均匀,制品的耐压强度大和孔隙率高。
- 专利分类
- 一种Nd<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-Yb<sub>2</sub>O<sub>3</sub>改性的La<sub>2</sub>Zr<sub>2</sub>O<sub>7</sub>-(Zr<sub>0.92</sub>Y<sub>0.08</sub>)O<sub>1.96</sub>复相热障涂层材料
- 无铅[(Na<sub>0.57</sub>K<sub>0.43</sub>)<sub>0.94</sub>Li<sub>0.06</sub>][(Nb<sub>0.94</sub>Sb<sub>0.06</sub>)<sub>0.95</sub>Ta<sub>0.05</sub>]O<sub>3</sub>纳米管及其制备方法
- 磁性材料HN(C<sub>2</sub>H<sub>5</sub>)<sub>3</sub>·[Co<sub>4</sub>Na<sub>3</sub>(heb)<sub>6</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>6</sub>]及合成方法
- 磁性材料[Co<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(hmb)<sub>4</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub>]·(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub> 及合成方法
- 一种Bi<sub>0.90</sub>Er<sub>0.10</sub>Fe<sub>0.96</sub>Co<sub>0.02</sub>Mn<sub>0.02</sub>O<sub>3</sub>/Mn<sub>1-x</sub>Co<sub>x</sub>Fe<sub>2</sub>O<sub>4</sub> 复合膜及其制备方法
- Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-TeO<sub>2</sub>-SiO<sub>2</sub>-WO<sub>3</sub>系玻璃
- 荧光材料[Cu<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(mtyp)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>COO)<sub>2</sub>(H<sub>2</sub>O)<sub>3</sub>]<sub>n</sub>及合成方法
- 一种(Y<sub>1</sub>-<sub>x</sub>Ln<sub>x</sub>)<sub>2</sub>(MoO<sub>4</sub>)<sub>3</sub>薄膜的直接制备方法
- 荧光材料(CH<sub>2</sub>NH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>ZnI<sub>4</sub>
- Li<sub>1.2</sub>Ni<sub>0.13</sub>Co<sub>0.13</sub>Mn<sub>0.54</sub>O<sub>2</sub>/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>复合材料的制备方法