专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种通信设备和基于容性交叉耦合的介质波导滤波器-CN202310974029.9在审
  • 陆培广;黄伟杰 - 广东国华新材料科技股份有限公司
  • 2023-08-03 - 2023-10-03 - H01P1/20
  • 本申请涉及一种通信设备和基于容性交叉耦合的介质波导滤波器,该滤波器包括内置在介质块内的至少两个谐振器;每个谐振器上设置有容性耦合结构,容性耦合结构上设置有金属连接层,金属连接层上凸伸有至少一个金属连接端;相邻两个容性耦合结构通过金属连接层连接且其对应的金属连接端呈上下或左右错位设置并形成间隙;根据调整间隙的大小以调整滤波器容性耦合的耦合量或耦合强度。滤波器通过在相邻两个谐振器之间设置一组容性耦合结构,使得滤波器不需额外添加金属部件就可以实现容性耦合;通过相邻两个容性耦合结构的金属连接端呈上下或左右错位设置构成多级连的交叉耦合结构发滤波器,使得滤波器具有利于生产加工、稳定性高和制作成本低等优点。
  • 一种通信设备基于性交耦合介质波导滤波器
  • [发明专利]一种低温共烧陶瓷及其制备方法-CN202010547972.8有效
  • 殷旺;唐城城;徐玉金;马才兵 - 广东国华新材料科技股份有限公司
  • 2020-06-16 - 2022-09-09 - C04B35/10
  • 本发明提供了一种低温共烧陶瓷,由包括以下组分的原料制备而成:氧化铝40重量份~50重量份;钙长石5重量份~15重量份;硅硼玻璃粉35重量份~55重量份;所述硅硼玻璃粉由质量比为(70~75):(10~25):(0~10):(0~10):(0~10)的SiO2、B2O3、ZnO、Y2O3和MgO制备而成。与现有技术相比,本发明提供的低温共烧陶瓷采用特定含量组分,实现较好的相互作用,产品介电常数低、介电损耗低、抗折弯强度高,同时成本低且能与Ag、Cu等低熔点金属共烧,适用于汽车电子、5G毫米波通信、航空航天、军事等领域。实验结果表明,本发明提供的低温共烧陶瓷介电常数在5.35~7.52之间,介电损耗低于0.008,抗折弯强度在280MPa以上,并且可以与金、银、铜等金属在850℃~900℃共烧。
  • 一种低温陶瓷及其制备方法
  • [发明专利]一种复合微波介质陶瓷及其制备方法-CN201911308580.X有效
  • 殷旺;唐城城;凌海强;马才兵 - 广东国华新材料科技股份有限公司
  • 2019-12-18 - 2022-07-12 - C04B35/465
  • 本发明提供了一种复合微波介质陶瓷,由包括以下组分的原料制备而成:MAT复合氧化物陶瓷65重量份~90重量份;SCT复合氧化物陶瓷10重量份~35重量份;所述MAT复合氧化物陶瓷具有Mg2Ti1‑xAlxO4+δ所示的通式;式中,x=0~0.1;所述SCT复合氧化物陶瓷具有Sr2‑zCazTiO4所示的通式;式中,z=0~1。与现有技术相比,本发明提供的复合微波介质陶瓷介电损耗低,频率温度系数连续可调,成本低,且能实现低温烧结。实验结果表明,本发明提供的复合微波介质陶瓷的介电常数在16.8~24.6之间,Q×f值为42700GHz~135000GHz,相比于同介电常数的其他体系微波介质陶瓷,本体系Q×f值大,介电损耗低;同时,谐振频率温度系数在‑23ppm/℃~26ppm/℃之间连续可调,配方可灵活调整,并且烧结温度能够低至1000℃,适合大规模商用。
  • 一种复合微波介质陶瓷及其制备方法
  • [发明专利]一种复合微波介质陶瓷及其制备方法-CN201911308020.4有效
  • 殷旺;杨亚男;徐玉金;马才兵 - 广东国华新材料科技股份有限公司
  • 2019-12-18 - 2022-05-24 - H01B3/12
  • 本发明提供了一种复合微波介质陶瓷,由包括以下组分的原料制备而成:CSAT复合氧化物陶瓷90重量份~100重量份;CST复合氧化物陶瓷0~10重量份;所述CSAT复合氧化物陶瓷具有CaSmAl1‑xTixO4+δ所示的通式;式中,x=0~0.3;所述CST复合氧化物陶瓷具有Ca1‑zSm2z/3TiO3所示的通式;式中,z=0.2~0.8。与现有技术相比,本发明提供的复合微波介质陶瓷以特定配比的CSAT复合氧化物陶瓷和CST复合氧化物陶瓷为主体材料,形成结构稳定的复合微波介质陶瓷;该复合微波介质陶瓷介电损耗低,频率温度系数连续可调,且温漂线性度能够满足5G介质波导滤波器要求。实验结果表明,本发明提供的复合微波介质陶瓷的介电常数在17.08~24.9之间,Q×f值为63200GHz~122000GHz,同时,谐振频率温度系数在‑10ppm/℃~12ppm/℃之间连续可调,配方可灵活调整,适合大规模商用。
  • 一种复合微波介质陶瓷及其制备方法
  • [发明专利]一种金属化合物和微波介质陶瓷及其制备方法-CN202010849336.0有效
  • 殷旺;凌海强;曹顺顺;马才兵 - 广东国华新材料科技股份有限公司
  • 2020-08-21 - 2022-05-03 - C04B35/495
  • 本申请属于微波介质陶瓷技术领域。本申请提供了一种金属化合物和微波介质陶瓷及其制备方法,本申请的微波介质陶瓷包括具有如下通式结构的金属化合物:(1‑y)Ba3ZnxCo1‑xNb2O9‑yBa8CoNb6O24,其中,x=0~1,y=0~0.1,通过引入Ba8CoNb6O24非化学计量比的新物相,能够在液相中烧结,抑制了组分的挥发,使得制备得到的微波介质陶瓷具有稳定B位1:2长程有序结构,提升Qf值。本申请的微波介质陶瓷介电常数为32.8~40.2之间,Q×f56500GHz,最高可达124300GHz,具有Qf值高,介电损耗低的优点,谐振频率温度系数在‑10.6PPM/℃~+28.3PPM/℃之间连续可调。本申请的制备方法简单,制造成本低,符合环保要求,无毒、对环境无污染;烧结温度低,不需要长时间退火即可保证产品的性能,也避免因组分挥发导致制备的产品性能恶化。
  • 一种金属化合物微波介质陶瓷及其制备方法
  • [发明专利]谐振器、滤波器与用于陶瓷的金属化方法-CN202010831505.8有效
  • 马才兵;黄振其;冷浩博 - 广东国华新材料科技股份有限公司
  • 2020-08-18 - 2022-04-26 - H01P7/10
  • 本申请公开了一种谐振器、滤波器与用于陶瓷的金属化方法,通过铜替代银作为陶瓷表面的导电层,使得工艺成本大大降低,同时,通过上述金属化方法,工艺简单且易操作,大大提高了工艺生产效率。同时,PVD真空镀膜工艺可以很好地控制银层厚度的一致性,并使得银层表面致密度较高,只需极少的银量就可以有效保护铜层不被氧化,具有抗高温性能且高温耐久性较好,更具有抗老化能力,同时,也节约了生产成本。另外,通过对铜层厚度进行限定,从而可以使得陶瓷金属化后的电导率高于3.5*107S/m,且镀层的结合力大于20N/mm2,提高了陶瓷金属化后的介电性能。
  • 谐振器滤波器用于陶瓷金属化方法
  • [发明专利]一种MAS-LT复合微波介质陶瓷及其制备方法-CN201910827080.0有效
  • 殷旺;曹顺顺;陈海;马才兵 - 广东国华新材料科技股份有限公司
  • 2019-09-03 - 2022-03-01 - C04B35/195
  • 本发明提供了一种MAS‑LT复合微波介质陶瓷,具有下式所示的通式:Mg2‑xBaxAl4Si5O18‑Li2TiO3;式中,x=0~0.16;所述MAS‑LT复合微波介质陶瓷中Li2TiO3的质量百分含量为6%~24%。与现有技术相比,本发明提供的MAS‑LT复合微波介质陶瓷以上述特定通式的复合氧化物为主体材料,通过调整Li2TiO3的含量可以实现介电常数在4~6之间,频率温度系数的连续可调;并且,该MAS‑LT复合微波介质陶瓷结构稳定,具有特定的介电常数和较高的Q×f值,同时谐振频率温度系数连续可调。实验结果表明,本发明提供的MAS‑LT复合微波介质陶瓷的介电常数在4~5.8,Q×f≥35800GHz,可高达87600GHz,相比于同介电常数的其他体系微波介质陶瓷,本体系Q×f值高,介电损耗低;同时,谐振频率温度系数在‑12ppm/℃~+13ppm/℃之间连续可调,烧结温度低至950度,配方可灵活调整。
  • 一种maslt复合微波介质陶瓷及其制备方法
  • [发明专利]一种MS-LT复合微波介质陶瓷及其制备方法-CN201910827345.7有效
  • 殷旺;余勋新;赵勇强;马才兵 - 广东国华新材料科技股份有限公司
  • 2019-09-03 - 2022-03-01 - C04B35/20
  • 本发明提供了一种MS‑LT复合微波介质陶瓷,具有下式所示的通式:Mg2.1‑xCoxSiO4.1‑Li2TiO3;其中,x=0~0.1;所述MS‑LT复合微波介质陶瓷中Li2TiO3的质量百分含量为0~40%。与现有技术相比,本发明提供的MS‑LT复合微波介质陶瓷以上述特定通式的复合氧化物为主体材料,通过调整Li2TiO3的含量可以实现介电常数在7~10之间,频率温度系数的连续可调;并且,该MS‑LT复合微波介质陶瓷结构稳定,具有特定的介电常数和较高的Q×f值,同时谐振频率温度系数连续可调。实验结果表明,本发明提供的MS‑LT复合微波介质陶瓷的介电常数在7~9.7,Q×f≥41200GHz,可高达135600GHz,相比于同介电常数的其他体系微波介质陶瓷,本体系Q×f值高,介电损耗低;同时,谐振频率温度系数在‑40ppm/℃~+22ppm/℃之间连续可调,烧结温度低至950度,配方可灵活调整。
  • 一种mslt复合微波介质陶瓷及其制备方法
  • [发明专利]一种微波介质陶瓷及其制备方法-CN201910827367.3有效
  • 殷旺;吕开明;曾福杰;马才兵 - 广东国华新材料科技股份有限公司
  • 2019-09-03 - 2022-02-11 - C04B35/462
  • 本发明提供了一种微波介质陶瓷及其制备方法,所述微波介质陶瓷具有下式所示的通式:(1‑x)Ca2Sm4Ti5O18‑xSmAlO3;其中,x=0.05~0.25。与现有技术相比,本发明提供的微波介质陶瓷以上述特定通式的复合氧化物为主体材料,通过调整SmAlO3的含量可以实现介电常数在45左右,频率温度系数的连续可调;并且,该微波介质陶瓷结构稳定,具有特定的介电常数和较高的Q×f值,同时谐振频率温度系数连续可调。实验结果表明,本发明提供的微波介质陶瓷的介电常数在40~46.1之间,Q×f>30000GHz,可高达49700GHz,相比于同介电常数的其他体系微波介质陶瓷,本体系Q×f值高,介电损耗低;同时,谐振频率温度系数在‑7.4PPM/℃~+6.7PPM/℃之间连续可调,适合大规模商用。
  • 一种微波介质陶瓷及其制备方法

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