[发明专利]一种高性能微波介电陶瓷材料及其制备方法在审
| 申请号： | 201810532926.3 | 申请日： | 2018-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN108546113A | 公开（公告）日： | 2018-09-18 |
| 发明（设计）人： | 苏桦;李元勋;陈加旺 | 申请（专利权）人： | 江西国创产业园发展有限公司;江西兴康电子科技有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/462 | 分类号： | C04B35/462;C04B35/626;C04B35/64;C03C6/04;C03C12/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 341400 江西*** | 国省代码： | 江西;36 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及电子陶瓷技术领域，特别涉及一种高性能微波介电陶瓷材料及其制备方法；本发明为由主晶相和辅晶相而组成的复合材料，主晶相为LiAlO2，辅晶相为Li2TiO3；在本发明中，其通过将LiAlO2：Li2TiO3进行复合,得到具有很低损耗和近零温度系数特性的高性能微波介电陶瓷材料；本发明生产原料便宜，工艺工程简单，方便操作并利于降低成本；本发明的微波介电陶瓷材料不仅损耗很低，而且温度系数也很小。 | ||
| 搜索关键词： | 微波介电陶瓷材料 制备 零温度系数 电子陶瓷 方便操作 工艺工程 生产原料 温度系数 复合材料 低损耗 主晶相 主晶 复合 | ||
【主权项】：
1.一种高性能微波介电陶瓷材料，其特征在于，其为由主晶相和辅晶相而组成的复合材料，主晶相为LiAlO2，辅晶相为Li2TiO3。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江西国创产业园发展有限公司;江西兴康电子科技有限公司，未经江西国创产业园发展有限公司;江西兴康电子科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810532926.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 一种石墨烯-CCTO基陶瓷复合介电材料的制备方法-201910697433.X
- 曾和平;黄延伟;贺嘉杨 - 华东师范大学重庆研究院;华东师范大学
- 2019-07-30 - 2019-10-22 - C04B35/462
- 本发明公开了一种石墨烯‑CCTO基陶瓷复合介电材料的制备方法，其包括以下步骤：将金属离子源分溶解于溶剂中，混匀后，得到CCTO基陶瓷材料的前驱体溶胶；将所述CCTO基陶瓷材料的前驱体溶胶静置进行老化后，加入氧化石墨烯分散液，混匀后，干燥得到石墨烯‑CCTO基陶瓷材料的前驱体干粉，将所述石墨烯‑CCTO基陶瓷材料的前驱体干粉研磨成细粉后，在低功率激光下进行辐照，得到石墨烯‑CCTO基陶瓷复合粉末；将所述石墨烯‑CCTO基陶瓷复合粉末经过压实成型后，在高功率激光下进行合成，得到所述石墨烯‑CCTO基陶瓷复合介电材料。本发明所得复合介电材料颗粒细小、致密性较好，具有巨介电、低损耗的特点，且该制备方法成本低廉、快速高效，适合巨介电材料在高密度存储器件中的大范围应用。
- 一种具有高磁导率的微波介电陶瓷材料及其制备方法-201910630724.7
- 陆小荣;黄春娥 - 无锡工艺职业技术学院
- 2019-07-12 - 2019-10-15 - C04B35/462
- 本发明涉及一种具有高磁导率的微波介电陶瓷材料及其制作方法，所述陶瓷材料包括主体A(GazNb1‑z)yTi1‑yO3、包覆主体的复合体B(MnO4)3构成的复合体系(1‑x)A(GazNb1‑z)yTi1‑yO3/(x)B(MnO4)3，其中0.20mol≤x≤0.50mol，0.50mol≤y≤1.00mol，
其中主体材料中的A为Ni、Zn、Pb或Co中的一种或几种；复合面材料中的B为Y、Yb、Fe、Ce、La或Lu中的一种或几种。本发明的微波陶瓷介电材料制作方法采用微波辅助烧结方法，使用此方法制作的微波介电陶瓷材料具有双晶相晶体结构、微波吸收性能好、低电磁损耗、低介电常数、高磁导率、烧结速度快。
- 一种柔性压电陶瓷材料及其制备方法-201910630725.1
- 陆小荣;黄春娥 - 无锡工艺职业技术学院
- 2019-07-12 - 2019-10-15 - C04B35/462
- 本发明提供一种柔性压电陶瓷材料及其制备方法，所述陶瓷材料包括主体A(GazNb1‑z)yTi1‑yO3、包覆主体的复合体B4V2O9构成的复合体系(1‑x)A(GazNb1‑z)yTi1‑yO3/(x)B4V2O9，其中0.20mol≤x≤0.50mol，0.50mol≤y≤1.00mol，
其中主体材料中的A为Ni、Zn、Ba或Co中的一种或几种；复合体材料中的B为Zr、Sr、Ca、Mg中的一种或几种。其制备方法采用微波辅助加热聚合前驱体的方法，能够快速节能地制作出双晶相纳米晶体结构、压电综合性能好、低介电损耗、机械耦合系数高且机械能转化为电能效率高的压电陶瓷材料。
- 一种微波介质基板用低介电常数高Q值的锂基陶瓷材料-201910379341.7
- 李玲霞;杜明昆;于仕辉;战宇;倪立争 - 天津大学
- 2019-05-08 - 2019-09-10 - C04B35/462
- 本发明公开了一种微波介质基板用低介电常数的高Q值锂基陶瓷材料，合成物表达式为Li2Mg3Ti1‑x(MpNbq)xO6，其中M＝Li(p＝1/4，q＝3/4)或Zn(p＝1/3，q＝2/3)，x＝0.01～0.1；先将Li2CO3、TiO2、MgO、ZnO和Nb2O5按化学计量式配料，经过球磨、烘干、过筛后于900～1100℃预烧，再经过二次球磨、烘干、过筛后进行造粒，再压制成生坯，于1285℃～1360℃烧结，制成高Q值锂基陶瓷材料。本发明在微波频段下，最佳烧结温度为1310℃以下，具有低的介电常数εr值13.25～13.87，同时兼具高的品质因数Qf值132,509～160,865GHz，该陶瓷体系制备工艺简单，由其制作成的微波介质基板具有广泛的应用前景。
- 一种巨介电、低损耗CCTO基陶瓷材料的制备方法-201910196693.9
- 曾和平;黄延伟 - 上海朗研光电科技有限公司;华东师范大学
- 2019-03-15 - 2019-05-10 - C04B35/462
- 本发明公开了一种巨介电、低损耗CCTO基陶瓷材料的制备方法，其包括如下步骤：将前驱物原料溶解于溶剂中，得到前驱物溶胶；将所述前驱物溶胶静置干燥后，得到干凝胶；将所述干凝胶研磨成细粉后，再烘干研磨，得到CCTO基陶瓷材料的前驱物；将所述CCTO基陶瓷材料的前驱物置于铜坩埚中，进行激光辐照后，除去溶剂，得到CCTO基陶瓷粉末；将所述CCTO基陶瓷粉末压实成型，进行激光烧结，得到所述巨介电、低损耗CCTO基陶瓷材料。与现有技术相比，本发明具有如下的有益效果：此法制备的陶瓷材料的介电常数可达104以上，该制备方法成本低廉、快速高效，适合CCTO巨介电材料在高密度存储器件中的大范围应用。
- 一种低成本无铅压电陶瓷及制备方法-201710259780.5
- 陈庆;王镭迪;曾军堂;陈兵 - 成都新柯力化工科技有限公司
- 2017-04-20 - 2019-05-03 - C04B35/462
- 本发明属于无机非金属材料功能陶瓷材料领域，具体涉及一种低成本无铅压电陶瓷材料及制备方法。其特征在于创造性的采用无铅原料，以特定类水滑石作为模板，利用其单元层促使压电陶瓷以层结构堆积形成薄膜晶粒，从而使压电陶瓷具有层方向的一致性，不仅晶粒细，而且规整，易于制备薄膜。更为显著的优势是成本低、无铅无污染。性能达到tanδ<0.06，kp~0.39，d33~640pC/N。
- 一种CaCu3Ti4O12的制备方法-201610214114.5
- 张文星;李立强;程文静;梁果 - 商丘师范学院
- 2016-04-08 - 2019-04-16 - C04B35/462
- 本发明公开了一种CaCu3Ti4O12的制备方法，包括CaCu3Ti4O12晶体粉体和CaCu3Ti4O12陶瓷的制备方法。所述的CaCu3Ti4O12晶体粉体的制备方法乙酰丙酮钙Ca(acac)2、乙酰丙酮铜Cu(acac)2和乙酰丙酮氧钛TiO(acac)2为原料，以无水乙醇为溶剂，无水柠檬酸为稳定剂，通过低温煅烧得到CaCu3Ti4O12晶体粉体；所述CaCu3Ti4O12陶瓷的制备方法将CaCu3Ti4O12晶体粉体压片后通过高温烧结得到CaCu3Ti4O12陶瓷。本发明首次以有机金属化合物乙酰丙酮钙、乙酰丙酮铜和乙酰丙酮氧钛为前驱体原料，以无水乙醇为溶剂，无水柠檬酸为稳定剂，通过简单的搅拌、干燥，低温煅烧即可得到高纯度、晶型良好的CaCu3Ti4O12晶体粉体。该方法解决了固相氧化物法、溶胶凝胶法及液相合成法必须经过高温烧结过程，而无法在低温下得到高纯度CaCu3Ti4O12晶体粉体的技术问题。
- 三元体系的无铅压电陶瓷材料及其制备方法-201610791097.1
- 孙华君;吴宜宸;隋慧婷;段赛红;李洋 - 淄博高新技术产业开发区先进陶瓷研究院
- 2016-08-31 - 2019-03-12 - C04B35/462
- 本发明涉及一种三元体系的无铅压电陶瓷材料及其制备方法，三元体系为(1‑4x)NBT‑xBT‑3xKBT体系，其中，0.01≤x≤0.06。本发明不仅避免了传统PZT陶瓷出现的铅污染及铅挥发造成的化学计量比偏离的问题，而且在掺杂Ba和K的过程中，极大地降低了压电陶瓷的矫顽场，使得极化的难度大大降低从而表现出优良的压电性能。
- 一种低介电损耗钛酸铜钙薄膜的制备方法-201811330811.2
- 岳贤宁;徐东;钟素娟;张雷;马佳;鲍丽;宋娟 - 江苏大学
- 2018-11-09 - 2019-02-15 - C04B35/462
- 本发明属于电子功能材料技术领域，涉及一种低介电损耗钛酸铜钙薄膜的制备方法；具体步骤为：首先制备获得CCTO前驱体溶胶；然后清洗硅片，将硅片依次浸入NaOH溶液、去离子水中和无水乙醇中，超声振荡，烘干、冷却后备用；取前驱体溶胶的上层清液保温，在密闭环境中，将清洗后的硅片于CCTO前驱体溶胶中浸渍，匀速取出，置于马弗炉内干燥，形成一层均匀致密的CCTO薄膜，重复操作，直至镀完5层薄膜，得到非晶化CCTO薄膜；置于无水乙醇擦拭后的坩埚中，在空气气氛下进行退火处理，冷却得到CCTO薄膜；本发明方法操作简单，原料价格低廉、环保，制备方法简单且重复性高，介电性能优异，具有良好的应用价值。
- 一种高温度稳定性锂镍钛系微波介质陶瓷及其制备方法和应用-201710486301.3
- 张平;谢辉 - 天津大学
- 2017-06-23 - 2019-01-01 - C04B35/462
- 本发明公开了一种高温度稳定性锂镍钛系微波介质陶瓷材料，其组成为Li2NixTiO3+x(2≤x≤4)，先将Li2CO3、NiCO3·2Ni(OH)2·4H2O、TiO2原料按化学式配料，再球磨、烘干、过筛、造粒后压制成型为坯体，于1275‑1375℃烧结，制得微波介质陶瓷，其介电常数为14.92～16.19，品质因数为10600～28700GHz。谐振频率温度系数为‑7.42～‑12.18ppm/℃，而此外本发明制备工艺简单，过程环保，是一种具有前途的微波介质材料。
- 通过镁铌组分调控微波介电性能的钛酸锂基微波介质材料-201810938077.1
- 李玲霞;杜明昆;于仕辉;许振鹏;乔坚栗 - 天津大学
- 2018-08-16 - 2019-01-01 - C04B35/462
- 本发明公开了一种通过镁铌组分调控微波介电性能的钛酸锂基微波介质材料，目标合成物表达式为Li2Ti1‑z(MgxNby)zO3，x:y＝1～3，z＝0.15～0.95。先按化学计量式进行配料，经过球磨、烘干、过筛后于800～1000℃预烧，再进行造粒，压制成生坯，生坯于1200～1300℃烧结，制成钛酸锂基微波介质材料。本发明在微波频段下，测得Qf值高达到101,301～145,593GHz，具有较低的介电损耗，同时εr系列化14.98～19.54，τf连续可调‑15.62～+28.63ppm/℃，具有广泛的应用前景。
- 一种3DP成型工艺钛酸锶铋介电陶瓷粉体的制备方法-201810995791.4
- 李慧芝;许崇娟 - 济南大学
- 2018-08-29 - 2018-12-28 - C04B35/462
- 本发明公开了一种3DP成型工艺钛酸锶铋介电陶瓷粉体的制备方法，其特征在于，采用丙烯酰胺作为胶粘剂的单体，二乙烯基苯作为交联剂，聚丙烯酸铵作为分散剂配置预混合溶液；然后在反应器中，按质量百分比加入，钛酸锶铋介电陶瓷粉体：32%~38%，预混合溶液：62%~68%，各组分之和为百分之百，强力搅拌110~150min，喷雾干燥，得到3DP成型工艺钛酸锶铋介电陶瓷粉体，其粒径在100~130µm范围内。采用喷洒引发剂和催化剂进行3D成型。该材料在三维印刷3D打印机上可直接成型，球形度高，流动性好，成型精度高，而且具有制备工艺简单，条件易于控制，生产成本低，易于工业化生产。
- 一种异种氧化物共掺钛酸锂基微波介质材料的制备方法-201810925719.4
- 李玲霞;杜明昆;于仕辉;许振鹏;乔坚栗 - 天津大学
- 2018-08-16 - 2018-12-11 - C04B35/462
- 本发明公开了一种异种氧化物共掺钛酸锂基微波介质材料的制备方法，以Li2CO3、TiO2、MgO、Nb2O5、Ta2O5、Sb2O5为原料，目标合成物表达式为Li2Ti1‑x(Mg1/3M2/3)xO3，其中M＝Nb、Ta或Sb，x＝0.15～0.95。先按化学计量式进行配料，经球磨、烘干、过筛后于800～1000℃预烧，再进行造粒，压制成生坯，生坯于1200～1280℃烧结，制成异种氧化物共掺的钛酸锂基微波介质材料。本发明在微波频段下，测得Qf值高达到107,346～142,168GHz，具有较低的介电损耗，同时兼具较高的εr值18.08～19.87，较小的τf值+17.32～+21.23ppm/℃，该陶瓷体系制备工艺简单，由其制作成的微波介质器件具有广泛的应用前景。
- 一种中介电常数高稳定型微波介质陶瓷及其制备方法-201810930824.7
- 李玲霞;张博文 - 天津大学
- 2018-08-15 - 2018-12-11 - C04B35/462
- 本发明公开了一种中介电常数高稳定型微波介质陶瓷，合成物表达式为：Li2ZnTi3‑xMxO8，其中x＝0.02～0.08，M为(Zn1/3Nb2/3)或(Li1/4Nb3/4)。先将Li2CO3、ZnO、Nb2O5、TiO2按化学计量式进行配料，再经球磨、烘干、过筛后于925℃煅烧，再进行造粒，压制成坯体，坯体于1080℃～1120℃烧结，制成所需微波介质陶瓷。本发明通过M4+部分取代Ti4+制备出了一种新型的微波介质陶瓷材料。其介电常数为24～26，品质因数Qf值为67000GHz～85000GHz，谐振频率温度系数τf为‑7ppm/℃～‑9ppm/℃。相比于纯相未掺杂Li2ZnTi3O8，Qf提升了15％。该体系制备工艺简单，中温烧结，节约了时间和能源成本，应用前景广泛。
- 一种超低损耗巨介电常数介质材料及其制备方法-201811094304.3
- 李玲霞;卢特;张宁;王文波 - 天津大学
- 2018-09-19 - 2018-12-07 - C04B35/462
- 本发明公开了一种超低损耗巨介电常数介质材料，以TiO2粉体为基料，在此基础上，按化学式(Nd0.5Nb0.5)xTi1‑xO2进行三价Nd3+、五价Nb5+元素共掺杂，其中x＝0.005～0.05。先将Nd2O3、Nb2O5和TiO2按摩尔比x/4：x/4：1‑x，其中x＝0.005～0.05进行配料，经球磨、烘干、过筛，再进行造粒，压制成坯体，坯体于1400～1450℃烧结，得到超低损耗巨介电常数介质材料。本发明具有介电常数高，损耗低的特性，且工艺简单、重复性好，有利于工业化大规模生产。
- 一种发光介质陶瓷材料及其制备方法-201810806655.6
- 曾群;郭园;陆文艺;董小明;陆永初;古大平;吕神锋;朱伟国 - 广东奥胜新材料有限公司
- 2018-07-20 - 2018-11-23 - C04B35/462
- 本发明公开了一种发光介质陶瓷材料及其制备方法。本发明以Li2CO3、Nb2O5、TiO2为原料，以Eu2O3为激活剂，原料称量后经球磨混合、烘干、过筛、合成等工序制备得到发光粉体材料，在合成后的粉体中加入聚乙烯醇（PVA）进行造粒、压片，制备得到陶瓷素坯，素坯经排塑后在不同温度下进行烧结，得到陶瓷样品。利用本发明技术，在850‑1050℃合成具有Li2TiO3固溶体（Li2TiO3ss）相的发光陶瓷粉体，材料拥有良好的荧光性能。Eu掺杂的陶瓷粉体和陶瓷片的发射光谱表现出Eu3+的特征发射峰，可发出高色纯度的红光。本发明制备的介质陶瓷在1080‑1140℃烧结下形成单一γ‑Li2TiO3ss，色坐标和红光色纯度可调。该方法工艺简单，可重复性强，具有广泛的应用前景。
- 一种新型高B值的NTC热敏陶瓷材料及其制备方法与应用-201810819102.4
- 赵景畅 - 云南大学
- 2018-07-24 - 2018-11-23 - C04B35/462
- 本发明公开了一种新型高B值的NTC热敏陶瓷材料及其制备方法与应用，所述的NTC热敏陶瓷材料的原料包括XCu3Ti4O12，所述的X为Ca、Sr、Ba中的一种或多种。本发明通过将类钙钛矿结构材料创造性的应用于NTC热敏陶瓷材料的制备，不仅工艺简单，原料易得，而且有效提高了NTC陶瓷元件的B值，达到6000~9000K。
- 一种微波介质陶瓷及其制备方法-201810871029.5
- 殷旺;曹顺顺;余勋新;马才兵 - 广东国华新材料科技股份有限公司
- 2018-08-02 - 2018-11-23 - C04B35/462
- 本发明提供了一种微波介质陶瓷，包括：复合氧化物；所述复合氧化物具有下式所示的通式：Ba2‑xSm4+2/3xTi9‑yMnyO26；其中，0≤x≤0.32，0≤y≤0.02。与现有技术相比，本发明提供的微波介质陶瓷以上述特定通式的复合氧化物为主体材料，通过调整Sm的含量可以实现介电常数在73～80之间的调整，频率温度系数的连续可调；少量Mn替换Ti主要作为受主掺杂，一方面Mn原子半径稍大于Ti，Mn的加入可以稳定空间结构，提升Q*f值；另一方面，在烧结过程中利用Mn的变价抑制Ti的还原，进一步提升Q*f值；该微波介质陶瓷结构稳定，烧结温度低，具有较高的介电常数和Q*f值，同时谐振频率温度系数连续可调，在微波通信领域具有十分广阔的应用前景，能够实现大规模商用。
- 一种谐振器用微波介质陶瓷及其制备方法-201810965324.7
- 李玲霞;罗伟嘉;孙正;张博文;杜明昆 - 天津大学
- 2018-08-22 - 2018-11-16 - C04B35/462
- 本发明公开了一种谐振器用微波介质陶瓷，合成物表达式为：Ba4Sm9.33Ti18O54‑xwt％TiO2，其中x＝0.5～1。先将BaCO3、TiO2于80～120℃烘干，并将Sm2O3于950℃煅烧，按化学计量式配料；再经球磨、烘干、过筛后于1200℃煅烧，经过造粒后压制成坯体，坯体于1250℃～1350℃烧结，再以0.5～2℃/min速率降温至1100℃进行降温退火处理，制成复合微波介质陶瓷。本发明介电常数εr为79.7～83.5，品质因数Qf值为6000GHz～9500GHz，谐振频率温度系数τf为‑18～+12ppm/℃，制备工艺简单，应用前景广泛。
- 一种施主掺杂中介电常数微波介质陶瓷及其制备方法-201810930821.3
- 李玲霞;张博文 - 天津大学
- 2018-08-15 - 2018-11-13 - C04B35/462
- 本发明公开了一种施主掺杂中介电常数微波介质陶瓷及其制备方法，合成物表达式为：Li2ZnTi3‑xNbxO8+x/2，其中x＝0.01～0.05。先将Li2CO3、ZnO、Nb2O5、TiO2按化学计量式进行配料，经球磨、烘干、过筛后，于925℃煅烧；再经造粒、压制成坯体，坯体于1080℃～1120℃烧结，制成微波介质陶瓷。本发明通过施主元素部分取代Ti4+，制备出了一种新型的微波介质陶瓷材料，其介电常数为24～26，品质因数Qf值为74000GHz～81000GHz，谐振频率温度系数τf为‑7ppm/℃～‑9ppm/℃。该体系制备工艺简单，采用中温烧结，节约了时间和能源成本，应用前景广泛。
- 一种铝铌共掺中介电常数微波介质陶瓷及其制备方法-201810930822.8
- 李玲霞;张博文 - 天津大学
- 2018-08-15 - 2018-11-06 - C04B35/462
- 本发明公开了一种铝铌共掺中介电常数微波介质陶瓷及其制备方法，合成物表达式为：Li2ZnTi3‑x(Al0.5Nb0.5)xO8，其中x＝0.02～0.08。先将Li2CO3、ZnO、Nb2O5、Al2O3、TiO2按化学计量式进行配料，经球磨、烘干、过筛后，于925℃煅烧，再经造粒、二次球磨、压制成坯体；坯体于1060℃～1120℃烧结，制成Li2ZnTi3‑x(Al0.5Nb0.5)xO8铝铌共掺中介微波介质陶瓷。本发明通过(Al0.5Nb0.5)4+部分取代Ti4+制备出了一种新型的微波介质陶瓷材料，其介电常数为24～26，品质因数Qf值为66000GHz～84000GHz，谐振频率温度系数τf为‑7ppm/℃～‑10ppm/℃。本发明相比于纯相未掺杂Li2ZnTi3O8，Qf提升了15％，另外制备工艺简单，中温烧结，节约了时间和能源成本，应用前景广泛。
- 一种高性能微波介电陶瓷材料及其制备方法-201810532926.3
- 苏桦;李元勋;陈加旺 - 江西国创产业园发展有限公司;江西兴康电子科技有限公司
- 2018-05-29 - 2018-09-18 - C04B35/462
- 本发明涉及电子陶瓷技术领域，特别涉及一种高性能微波介电陶瓷材料及其制备方法；本发明为由主晶相和辅晶相而组成的复合材料，主晶相为LiAlO2，辅晶相为Li2TiO3；在本发明中，其通过将LiAlO2：Li2TiO3进行复合,得到具有很低损耗和近零温度系数特性的高性能微波介电陶瓷材料；本发明生产原料便宜，工艺工程简单，方便操作并利于降低成本；本发明的微波介电陶瓷材料不仅损耗很低，而且温度系数也很小。
- 一种巨介电、低损耗二氧化钛基复合陶瓷的制备方法-201610033935.9
- 刘鹏;郭保春;宋月禅;刘冬冬 - 陕西师范大学
- 2016-01-19 - 2018-08-24 - C04B35/462
- 本发明公开了一种巨介电、低损耗二氧化钛基复合陶瓷的制备方法，该复合陶瓷用通式(A0.5Nb0.5)0.005Ti0.995O2表示的材料组成，其中A代表La、TL、Sm或Gd，其制备方法是将原料球磨混合后直接造粒过筛，成型得到陶瓷的坯体，然后在N2气氛保护下烧结得到致密陶瓷，烧银后再在通空气的环境下800～900℃退火1～2小时，得到巨介电、低损耗二氧化钛基复合陶瓷。本发明方法制备的陶瓷常温条件下在频率为20Hz～100kHz范围内相对介电常数均大于104、介电损耗均低于0.05，具有优良的频率稳定性和温度(‑75～150℃)稳定性，在电容器及动态存储器等各种电子器件中具有实际的应用价值。
- 采用固相氮气烧结法制备二氧化钛基巨介电陶瓷材料的方法-201610230175.0
- 杨祖培;尚保强;晁小练;魏灵灵 - 陕西师范大学
- 2016-04-14 - 2018-08-24 - C04B35/462
- 本发明公开了一种采用固相氮气烧结法制备二氧化钛基巨介电陶瓷材料的方法，所述的二氧化钛基巨介电陶瓷材料的通式为FexTi1‑xO2，式中x的取值为0.10～0.20，本发明固相氮气烧结法，方法简单、重复性好、成品率高，所得二氧化钛基巨介电陶瓷材料在室温低频段的频率稳定性较好，且随着Fe含量的增加，介电常数增大，实验结果表明，x的取值为0.15时，该陶瓷材料在室温下的介电常数最高，在25℃、40Hz时介电常数可达21004，并且具有较低的介电损耗，为0.2008。
- 一种低介低损耗微波介质陶瓷及制备方法-201610261666.1
- 吴海涛;毕金鑫;刘青青 - 济南大学
- 2016-04-26 - 2018-07-31 - C04B35/462
- 本发明公开了一种低介低损耗微波介质陶瓷及制备方法。陶瓷材料采用传统固相工艺制备而成，主要物相为Li2Ni3TiO6。本发明微波介质陶瓷材料具有以下特点：陶瓷材料介电常数εr为11.73～12.96，品质因数Q·f为0.92～1.01×104GHz，谐振频率温度系数Tf为‑25.3～‑16.5ppm/℃；陶瓷物相组成稳定，制备工艺简单，过程环保，制备成本较低，是一种很有发展前途的微波介质材料。
- 一种钛酸铜钙纳米材料的制备方法-201610338133.9
- 张杰;许家胜;崔岩;王莉丽;张艳萍;孙啸虎;杨喜宝;于禄;张帆 - 渤海大学
- 2016-05-23 - 2018-07-27 - C04B35/462
- 本发明属功能材料制备技术领域，涉及一种钛酸铜钙纳米材料的制备方法，将硝酸钙和硝酸铜,在柠檬酸水溶液中溶解，滴加乙酰丙酮钛,然后加入尿素混合均匀后,在一定温度下进行交联反应，然后在马弗炉进行热处理即获得钛酸铜钙纳米材料。其中硝酸钙、硝酸铜、乙酰丙酮钛、柠檬酸和尿素的摩尔比为1：3：4：20～100：20～100。本发明工艺简便易行，纯度高，杂质含量低，产品制备成本低，性能优异，可以大规模的批量生产。本发明所制备的钛酸铜钙纳米材料作为光催化材料使用具有较高的催化活性，在降解染料废水及室内有害气体，光催化消毒等领域具有广泛的应用前景。
- 一种溶胶-凝胶法制备钛酸铜钙/铁酸镍复合磁电陶瓷材料的方法-201810273383.8
- 孙礼;郝文涛;曹恩思;张雍家;张茹;郭建琴 - 太原理工大学
- 2018-03-29 - 2018-07-20 - C04B35/462
- 本发明属陶瓷合成技术领域，提供一种溶胶‑凝胶法制备钛酸铜钙/铁酸镍复合磁电陶瓷材料的方法。用溶胶‑凝胶法分别制备铁酸镍即NFO前驱体粉末和钛酸铜钙即CCTO前驱体粉末，CCTO前驱体粉末和NFO的前驱体粉末以摩尔比为3:1的比例混合后加入粘合剂，混合均匀后压制成陶瓷坯体，将陶瓷坯体烧结获得钛酸铜钙/铁酸镍即CCTO‑NFO复合磁电陶瓷样品。原材料的价格低廉，成本低；反应过程组分可控，防止出现杂相；成胶时间短；制备工艺简单，陶瓷样品的介电特性和磁性都体现出很强的规律性。陶瓷片致密度高、晶粒均匀度高。工艺简单，易于工业化生产，制备的陶瓷样品致密度高、颗粒均匀性好，磁电性能优良。
- 一种低损耗高介电常数X9R陶瓷电容器介质材料及其制备方法-201810056248.8
- 王卓;陈浩楠;王添;肖雨佳;念雯雯;范家豪 - 陕西科技大学
- 2018-01-20 - 2018-06-19 - C04B35/462
- 本发明提供一种低损耗高介电常数X9R陶瓷电容器介质材料及其制备方法，其化学式为(Nd0.5Nb0.5)xTi1‑xO2，x的取值范围为0.005～0.11，制备方法是按(Nd0.5Nb0.5)xTi1‑xO2的标准化学计量取Nd2O3、Nb2O5和TiO2进行配料，混合球磨，烘干，过筛，预烧，二次湿法球磨，冷等静压成型，烧结成瓷，制得低损耗高介电常数X9R陶瓷电容器材料。这种材料介电常数高(>104)，介电损耗小(<2.5％)，良好的频率(20Hz‑104)和温度稳定性(‑55～200℃)，容温变化率<±15％，满足EIAX9R的标准。本发明制备方法简单，对环境无污染，适合工业化生产。
- 一种中低温MLCC电容陶瓷的制备方法-201711361153.9
- 仪凯;张庆猛;唐群;杨志民;杨剑;毛昌辉;杜军 - 北京有色金属研究总院
- 2017-12-18 - 2018-06-12 - C04B35/462
- 本发明属于陶瓷材料技术领域，具体涉及一种中低温MLCC电容陶瓷的制备方法。所述的制备方法工艺步骤：将玻璃陶瓷原料混合均匀，高温熔融、搅拌，形成均匀的玻璃液体；将熔融玻璃液快速倒入去离子水中，得到玻璃碎渣；将玻璃碎渣球磨、烘干后，制得粉体；将粉体烧结，制得MLCC电容陶瓷。本发明MLCC电容陶瓷制备方法，制备周期短，工艺简单，烧结温度低，得到的粉体成分均匀。
- 一种六钛酸钾晶须多孔陶瓷及其制备方法-201711145644.X
- 王洪红;刘浩;王周福;王玺堂;马妍 - 武汉科技大学
- 2017-11-17 - 2018-04-13 - C04B35/462
- 本发明涉及一种六钛酸钾晶须多孔陶瓷及其制备方法。其技术方案是将含钛废料于1000~1300℃热处理，粉磨，得粉磨料A。将50~70wt%的粉磨料A、10~20wt%的钛白粉和10~30wt%的热固性树脂混匀，成型，在1200~1400℃和中性气氛中热处理，粉磨，得粉磨料B。将40~60wt%的粉磨料B、10~30wt%的无水碳酸钾和10~30wt%的醋酸钾混匀，研磨，得到研磨料。将10~20wt%的粉磨料B、30~50wt%的研磨料、10~30wt%的石灰石颗粒、1~10wt%的无水碳酸钾、1~10wt%的无水碳酸钠和1~10wt%的热固性树脂混匀，成型；先后经600~800℃和900~1100℃热处理1~3小时，制得六钛酸钾晶须多孔陶瓷。本发明所制制品中晶须尺寸均匀，制品的耐压强度大和孔隙率高。
- 专利分类
