[发明专利]具备键合引线的半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，

包含印制基板；

该印制基板具备：

多个第1电极及多个第2电极；和

半导体芯片，该半导体芯片设有多个第1连接焊盘和多个第2连接焊盘，该多个第1连接焊盘排列于沿着上表面的外周的边的第1列，该多个第2连接焊盘排列于在所述边从所述上表面侧看比所述第1列靠内侧分离的第2列；

所述半导体芯片的电源电压端子、系统重置端子使用所述多个第1连接焊盘之中的任一个。

2.如权利要求1所记载的半导体器件，具备：

第1键合引线，连接所述第1连接焊盘和所述第1电极；及

第2键合引线，连接所述第2连接焊盘和所述第2电极。

3.如权利要求2所记载的半导体器件，其中，

所述第2键合引线设置为比所述第1键合引线长，并设置为比所述第1键合引线靠上方。

4.如权利要求2或3所记载的半导体器件，其中，

所述第1键合引线的输入端子及输出端子使用所述第1连接焊盘之中的任一个。

5.如权利要求2至4的任一项所记载的半导体器件，其中，

所述第1键合引线及所述第2键合引线由铝或包含铝的合金形成。

6.如权利要求1至5的任一项所记载的半导体器件，其中，

所述第1连接焊盘和所述第2连接焊盘在列方向上相互不同地排列。

7.如权利要求1至5的任一项所记载的半导体器件，其中，

从上表面侧看，所述第1电极位于比所述第2电极靠所述印制基板的内侧。

8.如权利要求2至7的任一项所记载的半导体器件，其中，

通过密封层来密封所述第1键合引线和所述第2键合引线。

9.如权利要求1至8的任一项所记载的半导体器件，其中，

在所述第1连接焊盘和所述第2连接焊盘之间，设有电路元件。

10.如权利要求9所记载的半导体器件，其中，

所述电路元件是保护电路，作为保护电路元件能使用电阻、二极管、晶体管、电容器之中的任一个。

11.一种半导体器件的制造方法，具有以下步骤：

准备印制基板，该印制基板具备多个第1电极及多个第2电极和半导体芯片，该半导体芯片设有多个第1连接焊盘和多个第2连接焊盘，该多个第1连接焊盘成为沿着上表面的外周的边的第1列，该多个第2连接焊盘成为从上表面侧看比所述第1列靠内侧分离的第2列；

在通过第1键合引线连接了所述第1连接焊盘和所述第1电极后，通过第2键合引线连接所述第2连接焊盘和所述第2电极。

12.如权利要求11所记载的半导体器件的制造方法，其中，

在通过所述第1键合引线连接了所述第1连接焊盘和所述第1电极后，对所述第1连接焊盘和所述第1电极的导通进行确认。

13.如权利要求11或12所记载的半导体器件的制造方法，其中，

在通过所述第2键合引线连接了所述第2连接焊盘和所述第2电极后，对所述第2连接焊盘和所述第2电极的导通进行确认。

14.如权利要求11所记载的半导体器件的制造方法，其中，

电源电压端子、系统重置端子、输入端子使用所述多个第1连接焊盘之中的任一个。

15.如权利要求11至14的任一项所记载的半导体器件的制造方法，其中，所述第2键合引线形成为比所述第1键合引线长，并形成为比所述第1键合引线靠上方。

16.如权利要求11至15的任一项所记载的半导体器件的制造方法，其中，所述第1键合引线及所述第2键合引线由铝或包含铝的合金形成，并分别与所述第1电极及所述第2电极、所述第1连接焊盘及所述第2连接焊盘被超声波压焊。

17.如权利要求11至15的任一项所记载的半导体器件的制造方法，其中，在所述第1连接焊盘和所述第2连接焊盘之间，设有电路元件。

18.如权利要求17所记载的半导体器件的制造方法，其中，

所述电路元件是保护电路，作为保护电路元件能使用电阻、二极管、晶体管、电容器之中的任一个。