[发明专利]一种LED封装结构及其制备方法

权利要求书

1.一种LED封装结构，其特征在于，包括：

至少一个LED模块，每个LED模块包括至少两个LED芯片单元，且同一LED模块上的所有LED芯片单元由同一衬底连接，但相互之间电学隔离，其中，所述每个LED芯片单元的N型电极设置在其衬底的底部，且与其N型电子注入层电性相连；同一LED模块上的所有LED芯片单元的P型电极电连接在一起；

至少一个LED驱动电路；

至少一个ESD保护电路；

板上芯片封装键合盘基板，其上具有金属互联结构；所述LED模块、所述LED驱动电路以及所述ESD保护电路置于所述金属互联结构上，与所述金属互联结构固定连接，通过所述金属互联结构实现串并联电学连接；以及

荧光粉，涂敷于所述LED模块上。

2.如权利要求1所述的LED封装结构，其特征在于，所述衬底的底部设有多个通孔，所述通孔与相应的LED芯片单元的N型电子注入层相连，所述N型电极覆盖所述通孔及所述衬底底部。

3.如权利要求2所述的LED封装结构，其特征在于，所述N型电极包括第一电极及第二电极，其中所述第一电极位于所述通孔内，所述第二电极覆盖所述衬底底部。

4.如权利要求3所述的LED封装结构，其特征在于，所述第一电极的导电性大于所述第二电极的导电性，所述第二电极的散热性大于所述第一电极的散热性。

5.如权利要求4所述的LED封装结构，其特征在于，所述第一电极的材料为TiAlAu，所述第二电极的材料为Al或Cu。

6.如权利要求1所述的LED封装结构，其特征在于，所述N型电极固定在所述金属互联结构上，所述P型电极通过一引线与所述金属互联结构相连。

7.如权利要求1或6所述的LED封装结构，其特征在于，所述金属互联结构为铜镍金复合金属层。

8.如权利要求7所述的LED封装结构，其特征在于，所述铜镍金复合金属层包括：

铜层，形成于所述板上芯片封装键合盘基板上；

镍层，形成于所述铜层上；

金层，形成于所述镍层上。

9.如权利要求8所述的LED封装结构，其特征在于，所述镍层的厚度为2～4um，所述金层的厚度为0.1～0.2um。

10.如权利要求1所述的LED封装结构，其特征在于，所述LED芯片单元包括：衬底，在所述衬底上依次生长的低温缓冲层、N型电子注入层、多量子阱有源层、电子阻挡层、P型空穴注入层以及P型电极金属全发射层，其中，所述P型电极金属全发射层上制备有P型电极，所述衬底底部制备有N型电极，所述N型电极与所述N型电子注入层电性相连。

11.如权利要求10所述的LED封装结构，其特征在于，所述衬底为蓝宝石衬底。

12.如权利要求10所述的LED封装结构，其特征在于，所述LED模块为氮化镓基LED模块，其中，所述低温缓冲层为GaN层，所述N型电子注入层为N型GaN层，所述电子阻挡层为P型AlGaN层，所述P型空穴注入层为P型GaN层。

13.如权利要求1所述的LED封装结构，其特征在于，所述同一LED模块上的各LED芯片单元之间设置有电隔离沟槽，各LED芯片单元之间通过所述电隔离沟槽实现电学隔离。

14.如权利要求1所述的LED封装结构，其特征在于，所述板上芯片封装键合盘基板为陶瓷COB键合盘基板或硅衬底COB键合盘基板。

15.一种如权利要求1所述的LED封装结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

制备所述LED模块；

制作所述板上芯片封装键合盘基板；

将所述LED模块、所述LED驱动电路以及所述ESD保护电路置于所述板上芯片封装键合盘基板上，与所述金属互联结构固定连接；以及

在所述LED模块上涂敷荧光粉。