[发明专利]半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其包括以下工序：

光致抗蚀图案形成工序，在形成于半导体基板上的绝缘膜上涂敷光致抗蚀剂，并形成光致抗蚀图案；

湿法蚀刻工序，通过湿法蚀刻除去所述绝缘膜的不需要部分地加工所述绝缘膜；以及

离子注入工序，在所述光致抗蚀图案形成工序之前和/或之后，向所述绝缘膜进行离子注入，

所述半导体装置的制造方法的特征在于，

所述离子注入工序这样进行：根据所述光致抗蚀图案的有无，使通过所述离子注入而形成于所述绝缘膜的损伤区域的深度变化。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

当在所述光致抗蚀图案形成工序之前进行所述离子注入工序时，

将所述损伤区域设定为自所述绝缘膜的表面起不到10nm的范围地进行所述离子注入工序。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

当在所述光致抗蚀图案形成工序之后进行所述离子注入工序时，

将所述损伤区域设定为自所述绝缘膜的表面起在10nm以上、且在所述绝缘膜的不需要部分的深度以下的范围地进行所述离子注入工序。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

通过控制在所述离子注入工序中使用的离子束的剂量和加速电压来设定所述损伤区域的深度。

5.根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

基于所述剂量和所述加速电压、与所述绝缘膜通过所述湿法蚀刻而被加工出的形状的锥角度依存性的关系，来设定所述剂量和所述加速电压。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在所述湿法蚀刻工序之后还包括在所述绝缘膜的顶部的平坦部形成栅极的工序。