[发明专利]晶片封装体及其形成方法有效

专利信息
申请号: 201110122210.4 申请日: 2011-05-11
公开(公告)号: CN102244047A 公开(公告)日: 2011-11-16
发明(设计)人: 林超彦;林义航 申请(专利权)人: 精材科技股份有限公司
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L23/488;H01L21/56;H01L21/60
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 晶片 封装 及其 形成 方法
【说明书】:

技术领域

发明有关于晶片封装体及其形成方法,且特别有关于感测晶片的晶片封装体。

背景技术

传统晶片封装体的制程涉及多道图案化制程与材料沉积制程,不仅耗费生产成本,还需较长的制程时间,因此,业界亟需更为简化与快速的晶片封装技术。

发明内容

本发明提供一种晶片封装体,包括:一承载基底;一半导体基底,具有一上表面及一下表面,且设置于该承载基底之上;一元件区或感测区,位于该半导体基底的该上表面;一导电垫,位于该半导体基底的该上表面;一导电层,电性连接该导电垫,且自该半导体基底的该上表面延伸至该半导体基底的一侧壁上;以及一绝缘层,位于该导电层与该半导体基底之间。

本发明所述的晶片封装体,该半导体基底的该侧壁倾斜于该半导体基底的该上表面。

本发明所述的晶片封装体,该元件区或感测区于该上表面直接露出。

本发明所述的晶片封装体,该导电层延伸进入该承载基底中。

本发明所述的晶片封装体,延伸进入该承载基底中的该导电层包括平行于该半导体基底的该上表面的部分。

本发明所述的晶片封装体,该绝缘层延伸进入该承载基底中。

本发明所述的晶片封装体,还包括一电路板,其中该承载基底设置于该电路板之上,且该导电层通过一导电结构而与该电路板上的一接垫电性连接。

本发明所述的晶片封装体,该导电结构包括一焊球或一焊线。

本发明所述的晶片封装体,该导电结构为一焊球,且该焊球位于该承载基底与该电路板之间的一转角处。

本发明所述的晶片封装体,该元件区或感测区包括一指纹辨识区。

本发明提供一种晶片封装体的形成方法,包括:提供一半导体基底,具有一上表面及一下表面,该半导体基底的该上表面处包括至少一元件区或感测区以及至少一导电垫;提供一承载基底,并将该半导体基底设置于该承载基底之上;自该半导体基底的该上表面形成一凹口;于该半导体基底的该上表面上与该凹口之中形成一绝缘层;于该绝缘层上形成一导电层,该导电层电性连接该导电垫,且自该半导体基底的该上表面延伸至该半导体基底的一侧壁上;以及自该凹口的一底部切断该承载基底以形成多个分离的晶片封装体。

本发明所述的晶片封装体的形成方法,该凹口延伸进入该承载基底之中。

本发明所述的晶片封装体的形成方法,该导电层延伸在该凹口的该底部上。

本发明所述的晶片封装体的形成方法,还包括在形成该凹口之前将该半导体基底薄化。

本发明所述的晶片封装体的形成方法,该半导体基底的薄化包括:在将该半导体基底设置于该承载基底之前,于该半导体基底的该上表面上设置一暂时性承载基底;以及以该暂时性承载基底为支撑,自该半导体基底的该下表面薄化该半导体基底。

本发明所述的晶片封装体的形成方法,还包括在形成该凹口之前,移除该暂时性承载基底。

本发明所述的晶片封装体的形成方法,还包括:提供一电路板,具有一接垫;将该承载基底设置于该电路板之上;以及形成一导电结构,该导电结构电性连接该接垫与该导电层。

本发明所述的晶片封装体的形成方法,该导电结构包括一焊球或一焊线。

本发明所述的晶片封装体的形成方法,该导电结构为一焊球,且该焊球位于该承载基底与该电路板之间的一转角处。

本发明所述的晶片封装体的形成方法,该元件区或感测区于该上表面直接露出。

本发明可大幅缩减晶片封装制程所需的图案化制程,且可显著缩减制程时间与成本。

附图说明

图1A至1D显示根据本发明一实施例的晶片封装体的一系列制程剖面图。

图2显示本发明一实施例的晶片封装体的剖面图。

附图中符号的简单说明如下:

10:晶片封装体;100:半导体基底;100a、100b:表面;102:元件区或感测区;104:导电垫;106:暂时性承载基板;108、112:粘着层;110:承载基底;114:凹口;116:绝缘层;118:导电层;120:电路板;122:接垫;124:焊球;126:焊线。

具体实施方式

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