[发明专利]具旁路电容器的变压器及其制造方法有效
申请号: | 201110092413.3 | 申请日: | 2011-04-11 |
公开(公告)号: | CN102543943A | 公开(公告)日: | 2012-07-04 |
发明(设计)人: | 颜孝璁;林佑霖;吕盈达;郭晋玮;陈和祥 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/522 | 分类号: | H01L23/522;H01F30/06;H01L29/94;H01L21/334 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 张浴月;刘文意 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 旁路 电容器 变压器 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明大体涉及变压器及平衡至不平衡(巴伦)装置,特别涉及单芯片对称型变压器及巴伦装置。
背景技术
变压器,是一种能够通过电感耦合的传导器(即变压器的线圈)而将电能传递于电路间的装置。第一线圈或初级线圈中变化的电流会在次级线圈上产生变化的磁场。变化的磁场在第二线圈中感应出一变化的电动势(electromotive force,EMF),或称″电压″。此效应称为互感。若一负载连接至该次级线圈,则电流会流通于该次级线圈,而电能即可通过此变压器而由初级线圈传送至负载。
巴伦(balun)也是一种变压器,其用将相对接地端平衡的电子信号(差动信号)转换成相对接地端不平衡的信号(单端信号),也可作反向的转换。将变压器的一接口接地即可得到该巴伦。巴伦同样常作为阻抗匹配之用。
无线通信常使用前述变压器与巴伦。举例而言,变压器与巴伦可用于无线通信装置中的收发器。传统的共平面交错式(coplanar interleaved)变压器具有初级线圈及次级线圈,其交错于相同的集成电路层中。初级与次级线圈由平面型的金属条所构成,而线圈的匝数决定了线圈上的电压比。
传统的共平面变压器缩减了体积也降低了电阻值,但却造就低的品质因子(Q)。在微波电路应用中(例如在频率范围30GHz-300GHz之间),单匝变压器表现出较低的k值(耦合系数)。
此外,变压器在先进技术(例如90纳米、65纳米或更小尺寸)的电路节点上,相对于在大尺寸技术的电路上节点而言具有较低的共振频率Fsr。
因此必须对此类变压器进行改善。
发明内容
为克服上述现有技术的缺陷,本发明提供一种电子装置,其包括:一第一线圈,建构于一半导体基质上的一第一金属层,该第一线圈具有一第一片段以及一第二片段;一第二线圈,建构于该第一金属层,该第一片段与该第二线圈的一第一部位相邻,而该第二片段与该第二线圈的一第二部位相邻;一第一电容器,以一第一电极连接至一第一节点,该第一节点导通于该第一片段对该第二线圈之间;以及一第二电容器,以一第二电极连接至一第二节点,该第二节点导通于该第二片段与该第二线圈之间。
本发明另提供一种电子装置,其包括:第一、第二与第三电感器串联并建构于半导体基质上的一金属层中,该第一电感器与该第二电感器彼此存有互感,而该第二电感器与第三电感器彼此也存有互感;一第一电容器,以一第一电极连接至一第一节点,该第一节点导通于该第一电感器与第二电感器之间;以及一第二电容器,以一第二电极连接至一第二节点,该第二节点导通于该第二电容器与该第三电感器之间。
本发明另提供一种方法,其包括:于一半导体基质上的第一金属层中建构一第一线圈、一第二线圈以及一第三线圈,其中该第一线圈与该第二线圈的一第一部位相邻,该第三线圈与该第二线圈的一第二部位相邻;建构一第一电容器,将其一第一电极连接至一第一节点,该第一节点导通于该第一线圈与第二线圈之间;以及建构一第二电容器,将其一第二电极连接至一第二节点,该第二节点导通于该第二线圈以及该第三线圈之间。
本文所揭示的变压器/巴伦解决耦合系数k与高共振频率无法兼顾的问题。此外,k值与互感值M皆通过电容器C1与C2的变容器获得调整。
附图说明
图1A本发明一实施例的变压器等角视图,其大致呈矩形。
图1B为本发明一变压器的平面图,其大致呈八角形。
图1C为本发明一实施例的变压器的俯视图。
图1D为图1C的变压器整仰视图。
图2为图1A变压器的剖面图,其中该变压器包括MIM或MOM电容器。
图3为图1A变压器的剖面图包括金属氧化物半导体电容器,
图4为图1A变压器的等角视图。
图5为图4变压器的另一形示意图。
图6为收发器的示意图,其中该收发器包括图1A的变压器。
图7为接收器的示意图,其中该接收器包括图1A的变压器。
图8为一压控振荡器(VCO)的示意图,其中该压控制荡器包括图1A的变压器。
图9为制造MOS电容器的方法流程图。
图10为制造MIM/MOM电容器的方法流程图。
其中,附图标记说明如下:
100~变压器;
200~变压器;
102~半导体基质;
104~金属间介电层;
L1~线圈;
L2~次级线圈;
L3~线圈;
P1~接口;
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