[发明专利]齐纳二极管的制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及的是一种半导体技术领域的制备方法，具体是一种齐纳二极管的制备方法。

背景技术

齐纳二极管(zener diode)又称稳压二极管，是一种直到临界方向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件。稳压二极管是应用在方向击穿区的特殊的面接触型硅晶体二极管。

现有技术中包括以下三种类型的齐纳二极管：只用STI(Shallow TrenchIsolation，浅沟槽隔离)做隔离、只用SAB(Salicide Block，硅化物掩蔽层)做隔离和同时用STI与SAB做隔离。

如图1所示，所述只用STI做隔离的齐纳二极管包括：

P型衬底100；

N型掺杂区域101，位于所述P型衬底100上；

P+区域102，位于所述N型掺杂区域101上的中间位置；

第一N+区域103和第二N+区域104，对称地位于所述N型掺杂区域101上的两端；

SAB(Salicide Block，硅化物掩蔽层)105，位于所述第一N+区域103、所述第二N+区域104和所述P+区域102上；

STI(Shallow Trench Isolation，浅沟槽隔离)106，位于所述第一N+区域103与所述P+区域102之间、所述第二N+区域104与所述P+区域102之间；

制备图1所示的齐纳二极管的方法包括：

在P型衬底100上制备STI 106，从而定义了所述第一N+区域103、所述第二N+区域104和所述P+区域102的位置；

在P型衬底100上进行N型离子掺杂，形成N型掺杂区域101，进行第一次退火处理；

在所述N型掺杂区域101内且在所述STI 106之间的区域注入P型离子，形成P+区域102；在所述STI 106和所述P+区域102外的N型掺杂区域101内注入N型离子，形成第一N+区域103和第二N+区域104；

进行第二次退火处理，且在所述第一N+区域103、所述第二N+区域104和所述P+区域102上分别制备SAB。

如图2所示，所述只用SAB做隔离的齐纳二极管包括：

P型衬底200；

N型掺杂区域201，位于所述P型衬底200上；

P+区域202，位于所述N型掺杂区域201上的中间位置；

第一N+区域203和第二N+区域204，对称的位于所述N型掺杂区域301上的两端，且所述第一N+区域203和所述P+区域202间存在第三间隙，所述第二N+区域203和所述P+区域202间存在第四间隙；

SAB 205，位于所述第一N+区域203上、所述第二N+区域204上、所述P+区域202上、所述第三间隙和所述第四间隙上；

制备图2所示的齐纳二极管，包括：

在P型衬底200上进行N型离子掺杂，形成N型掺杂区域201，进行第一次退火处理；

在N型掺杂区域201内注入N型离子和P型离子，形成第一N+区域203、第二N+区域204和P+区域202，所述第一N+区域203和所述P+区域202间存在第三间隙，所述第二N+区域204和所述P+区域202间存在第四间隙；

进行第二次退火处理，且在第一N+区域203、第二N+区域204、P+区域202、所述第三间隙和所述第四间隙上分别制备SAB 205。

如图3所示，所述同时用STI和SAB做隔离的齐纳二极管包括：

P型衬底300；

N型掺杂区域301，位于所述P型衬底300上；

P+区域302，位于所述N型掺杂区域301上的中间位置；

第一N+区域303和第二N+区域304，均位于所述N型掺杂区域301上的两端，且所述第一N+区域303与所述第二N+区域304对称；

STI 306，位于所述第一N+区域、所述第二N+区域和所述P+区域外的N型掺杂区域301上，且所述STI 306与所述P+区域之间存在对称分布的第一间隙和第二间隙；

SAB 305，位于所述第一N+区域303上、所述第二N+区域304上、所述P+区域302上、所述第一间隙上和所述第二间隙上。

制备图3所示的齐纳二极管的方法包括：

在P型衬底300上制备STI 306，从而定义了所述第一N+区域303和所述第二N+区域304的位置；

在P型衬底300上进行N型离子掺杂，形成N型掺杂区域301，进行第一次退火处理；