[发明专利]齐纳二极管的制备方法

权利要求书

1.一种齐纳二极管的制备方法，其特征在于，至少包括：

在P型衬底内形成N型漂移区域，且进行第一次退火处理；

在所述N型漂移区域内进行1次或多次N型离子注入，所述N型漂移区域和所述N型离子注入共同形成N型掺杂区域，所述N型离子注入包括P沟道金属氧化物半导体势阱的离子注入。

2.根据权利要求1所述的齐纳二极管的制备方法，其特征在于，所述P沟道金属氧化物半导体势阱的工作电压为1.8V、5V或60V。

3.根据权利要求1所述的齐纳二极管的制备方法，其特征在于，所述形成N型漂移区域包括：在所述P型衬底内注入掺杂浓度范围为10¹²～10¹³cm^-2的磷离子。

4.根据权利要求1所述的齐纳二极管的制备方法，其特征在于，在形成所述N型掺杂区域之后，还包括：

在所述N型掺杂区域内的中间位置注入P型离子，形成P+区域；在所述N型掺杂区域的两端分别对称的注入N型离子，形成第一N+区域和第二N+区域，所述第一N+区域与所述P+区域间存在第三间隙，所述第二N+区域与所述P+区域间存在第四间隙；

进行第二次退火；

在所述第一N+区域上、所述第三间隙上、所述P+区域上、所述第四间隙上和所述第二N+区域上制备硅化物掩蔽层。

5.根据权利要求1所述的齐纳二极管的制备方法，其特征在于，在注入所述N型漂移区域之前，还包括：在所述P型衬底内制备对称分布的第一浅沟槽隔离和第二浅沟槽隔离。

6.根据权利要求5所述的齐纳二极管的制备方法，其特征在于，在形成所述N型掺杂区域之后，还包括：

在所述第一浅沟槽隔离和所述第二浅沟槽隔离之间的N型掺杂区域内全注入P型离子，形成P+区域；在所述第一浅沟槽隔离、所述第二浅沟槽隔离和所述P+区域外的N型掺杂区域内分别注入N型离子，形成第一N+区域和第二N+区域；

进行第二次退火处理；

在所述第一N+区域、P+区域和所述第二N+区域上制备硅化物掩蔽层。

7.根据权利要求5所述的齐纳二极管的制备方法，其特征在于，在形成所述N型掺杂区域之后，还包括：

在所述第一浅沟槽隔离和所述第二浅沟槽隔离之间的N型掺杂区域内注入P型离子，形成P+区域，且所述第一浅沟槽隔离和所述P+区域间存在第一间隙，所述第二浅沟槽隔离和所述P+区域间存在第二间隙；在所述第一浅沟槽隔离、所述第二浅沟槽隔离、所述P+区域、所述第一间隙和所述第二间隙外的N型掺杂区域内分别注入N型离子，形成第一N+区域和第二N+区域；

进行第二次退火处理；

在所述第一N+区域上、所述第二N+区域上、所述P+区域上、所述第一间隙上和所述第二间隙上制备硅化物掩蔽层。

8.根据权利要求4或6或7所述的齐纳二极管的制备方法，其特征在于，所述第二次退火处理的温度范围包括：时间范围包括：1000℃至1050℃，时间范围为5秒至45秒。

9.根据权利要求4或6或7所述的齐纳二极管的制备方法，其特征在于，所述注入N型离子包括：在所述N型掺杂区域内注入剂量范围为1x10¹⁵cm^-2至6x10¹⁵cm^-2、能量范围为30keV至80keV的砷离子；或者是所述N型掺杂区域501内注入剂量范围为1x10¹⁵cm^-2至5x10¹⁵cm^-2、能量范围为20keV至40keV的磷离子，形成第一N+区域和第二N+区域。

10.根据权利要求4或6或7所述的齐纳二极管的制备方法，其特征在于，所述注入P型离子具体包括：在所述N型掺杂区域内注入剂量范围为1x10¹⁵cm^-2至4x10¹⁵cm^-2、能量范围为3keV至8keV的硼离子，形成P+区域。

11.根据权利要求1所述的齐纳二极管的制备方法，其特征在于，所述第一次退火处理的温度范围包括：1050℃至1150℃，时间范围包括：10至120分钟。