[发明专利]晶片封装体及其形成方法

权利要求书

1.一种晶片封装体，其特征在于，包括：

一基底，具有一上表面及一下表面；

一晶片，设置于该基底中或该基底上；

一接垫，设置于该基底中或该基底上，其中该接垫与该晶片电性连接；

一孔洞，自该下表面朝该上表面延伸，且该孔洞露出该接垫，其中该孔洞的靠近该下表面的一下开口的口径小于该孔洞的靠近该上表面的一上开口的口径；

一绝缘层，位于该孔洞的一侧壁上；以及

一导电层，位于该绝缘层上，且电性连接至该接垫。

2.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该孔洞的该侧壁与该基底的该上表面之间的一夹角大于90度且小于或等于92度。

3.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该绝缘层靠近该下表面的一第一部分的厚度大于该绝缘层靠近该上表面的一第二部分的厚度。

4.根据权利要求3所述的晶片封装体，其特征在于，该绝缘层包括一转角部分，该转角部分位于该孔洞的该侧壁与该接垫之间的一转角上，且延伸在该接垫的部分表面上。

5.根据权利要求4所述的晶片封装体，其特征在于，该绝缘层的该转角部分包括一斜面，该斜面的一法向量朝向该基底的该下表面。

6.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该导电层的靠近该下表面的一第一部分的厚度大于该绝缘层靠近该上表面的一第二部分的厚度。

7.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该晶片为一感光晶片或一发光晶片。

8.根据权利要求7所述的晶片封装体，其特征在于，该晶片的一感光表面或一出光表面不与粘着胶直接接触。

9.根据权利要求7所述的晶片封装体，其特征在于，还包括一光学透镜，位于该晶片的上方，且该晶片不与粘着胶直接接触。

10.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，还包括一保护层，位于该基底的该下表面上，且与该基底的一边缘隔有一间距而不与该边缘接触。

11.一种晶片封装体的形成方法，其特征在于，包括：

提供一基底，具有一上表面及一下表面，该基底中或该基底上包括一晶片及一接垫，该接垫与该晶片电性连接；

自该基底的该下表面移除部分的该基底以形成一孔洞，该孔洞露出该接垫，其中该孔洞的靠近该下表面的一下开口的口径小于该孔洞的靠近该上表面的一上开口的口径；

于该孔洞的一侧壁及一底部上形成一绝缘层；

移除该孔洞的该底部上的部分的该绝缘层以露出部分的该接垫；以及

于该孔洞的该侧壁及该底部上形成一导电层，该导电层与该接垫电性接触。

12.根据权利要求11所述的晶片封装体的形成方法，其特征在于，该绝缘层的移除包括以该绝缘层靠近该下表面的一第一部分为遮罩，并对该绝缘层进行一蚀刻制程以移除该孔洞的该底部上的部分的该绝缘层以露出部分的该接垫。

13.根据权利要求12所述的晶片封装体的形成方法，其特征在于，在部分的该绝缘层被移除之后，该绝缘层的该第一部分的厚度变薄。

14.根据权利要求12所述的晶片封装体的形成方法，其特征在于，在部分的该绝缘层被移除之后，使该绝缘层形成出一转角部分，该转角部分位于该孔洞的该侧壁与该接垫之间的一转角上，且延伸在该接垫的部分表面上。

15.根据权利要求14所述的晶片封装体的形成方法，其特征在于，该绝缘层的该转角部分包括一斜面，该斜面的一法向量朝向该基底的该下表面。

16.根据权利要求11所述的晶片封装体的形成方法，其特征在于，形成该绝缘层与移除部分的该绝缘层的步骤之间，不包括于该绝缘层上形成一图案化光致抗蚀剂层的步骤。

17.根据权利要求11所述的晶片封装体的形成方法，其特征在于，还包括在形成该孔洞之前，自该基底的该下表面薄化该基底。

18.根据权利要求17所述的晶片封装体的形成方法，其特征在于，在薄化该基底之前，还包括：

以一粘着胶将一暂时基底贴合于该基底的该上表面上；以及

以该暂时基底为支撑，自该基底的该下表面进行该薄化步骤。