[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：

对氧化物半导体膜进行第一加热处理；

对进行了所述第一加热处理的所述氧化物半导体膜添加氧；以及

对添加了所述氧的所述氧化物半导体膜进行第二加热处理。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中所述添加氧的步骤使用离子注入法或离子掺杂法进行。

3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中所述第一加热处理或所述第二加热处理在300℃以上且850℃以下的温度下进行。

4.一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：

通过对氧化物半导体膜进行蚀刻来形成岛状氧化物半导体膜；

对所述岛状氧化物半导体膜进行第一加热处理；

对进行了所述第一加热处理的所述岛状氧化物半导体膜添加氧；以及

对添加了所述氧的所述岛状氧化物半导体膜进行第二加热处理。

5.根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其中所述添加氧的步骤使用离子注入法或离子掺杂法进行。

6.根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其中所述第一加热处理或所述第二加热处理在300℃以上且850℃以下的温度下进行。

7.一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：

在栅电极上隔着栅极绝缘膜形成氧化物半导体膜；

通过对所述氧化物半导体膜进行蚀刻来隔着所述栅极绝缘膜重叠于所述栅电极地形成岛状氧化物半导体膜；

对所述岛状氧化物半导体膜进行第一加热处理；

对进行了所述第一加热处理的所述岛状氧化物半导体膜添加氧；

对添加了所述氧的所述岛状氧化物半导体膜进行第二加热处理；以及

在进行了所述第二加热处理的所述岛状氧化物半导体膜上形成源电极及漏电极。

8.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其中所述添加氧的步骤使用离子注入法或离子掺杂法进行。

9.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其中所述第一加热处理或所述第二加热处理在300℃以上且850℃以下的温度下进行。

10.一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：

在栅电极上隔着栅极绝缘膜形成氧化物半导体膜；

通过对所述氧化物半导体膜进行蚀刻来隔着所述栅极绝缘膜重叠于所述栅电极地形成岛状氧化物半导体膜；

对所述岛状氧化物半导体膜进行第一加热处理；

对进行了所述第一加热处理的所述岛状氧化物半导体膜添加氧；

对添加了所述氧的所述岛状氧化物半导体膜进行第二加热处理；

在进行了所述第二加热处理的所述岛状氧化物半导体膜上形成源电极及漏电极；以及

在所述岛状氧化物半导体膜、所述源电极及所述漏电极上接触于所述岛状氧化物半导体膜地形成包含氧的绝缘膜。

11.根据权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其中所述添加氧的步骤使用离子注入法或离子掺杂法进行。

12.根据权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其中所述第一加热处理或所述第二加热处理在300℃以上且850℃以下的温度下进行。

13.一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：

在栅电极上隔着栅极绝缘膜形成氧化物半导体膜；

对所述氧化物半导体膜进行第一加热处理；

对进行了所述第一加热处理的所述氧化物半导体膜添加氧；

对添加了所述氧的所述氧化物半导体膜进行第二加热处理；

通过对进行了所述第二加热处理的所述氧化物半导体膜进行蚀刻来隔着所述栅极绝缘膜重叠于所述栅电极地形成岛状氧化物半导体膜；以及

在所述岛状氧化物半导体膜上形成源电极及漏电极。

14.根据权利要求13所述的半导体装置的制造方法，其中所述添加氧的步骤使用离子注入法或离子掺杂法进行。

15.根据权利要求13所述的半导体装置的制造方法，其中所述第一加热处理或所述第二加热处理在300℃以上且850℃以下的温度下进行。