[发明专利]具有曲率控制层的III族氮化物发光装置

权利要求书

1.一种装置，包含：

半导体结构，该半导体结构包含：

    布置在n型区和p型区之间的III族氮化物发光层；以及

    生长在第一层上的曲率控制层，其中：

    该曲率控制层具有比GaN的理论a晶格常数小的理论a晶格常数；

    该第一层为基本上单晶层；以及

    该曲率控制层布置在该n型区和该第一层之间。

2.权利要求1的装置，其中该曲率控制层包含铝。

3.权利要求1的装置，其中该曲率控制层为AlGaN。

4.权利要求3的装置，其中该曲率控制层具有大于0%且小于10%的AlN组份。

5.权利要求1的装置，其中该曲率控制层为AlInGaN。

6.权利要求1的装置，其中该曲率控制层具有介于3.165和3.188?的理论a晶格常数。

7.权利要求1的装置，其中该曲率控制层具有介于3.180和3.184?的理论a晶格常数。

8.权利要求1的装置，其中该曲率控制层厚度介于0.5和5μm。

9.权利要求1的装置，其中该曲率控制层厚度介于1和2μm。

10.权利要求1的装置，其中该曲率控制层为非故意掺杂的。

11.权利要求1的装置，进一步包含布置在该n型区上的n接触和布置在该p型区上的p接触，其中n和p接触二者形成于该半导体结构的同一侧面上。

12.权利要求1的装置，其中该曲率控制层的组份和厚度被选择以至少部分地补偿在从提升的生长温度冷却期间在该第一层中感应的热压应力。

13.一种方法，包含：

在衬底上生长半导体结构，该半导体结构包含：

    生长在第一层上的曲率控制层；以及

    布置在n型区和p型区之间的III族氮化物发光层；其中：

    该曲率控制层具有比GaN的理论a晶格常数小的理论a晶格常数；

    该第一层为基本上单晶层；以及

    该曲率控制层布置在该n型区和该第一层之间。

14.权利要求13的方法，其中该曲率控制层生长速率慢于该第一层。

15.权利要求13的方法，其中该曲率控制层的组份和厚度被选择以至少部分地补偿在从提升的生长温度冷却期间在该第一层中感应的热压应力。