[发明专利]氮化物半导体元件的制造方法

权利要求书

1.一种氮化镓类化合物半导体发光元件的制造方法，包括通过有机金属气相生长法形成主面为非极性面或半极性面的氮化镓类化合物半导体层的工序，其中，

规定有机金属气相生长法的生长条件的参数包括：压力、生长速率、生长温度、和作为包含在III族原料气体中的铟原料气体的供给摩尔比的铟供给摩尔比，

所述氮化镓类化合物半导体发光元件的制造方法包括：

在压力和生长速率恒定时表示用于形成同一发光波长的In_xGa_1-xN层的生长温度和铟供给摩尔比之间的关系的曲线上，决定与生长温度随着铟供给摩尔比的增加而单调增加的区域和饱和的区域之间的饱和点相对应的生长条件的工序(A)，其中，0＜x＜1；以及

在所述生长条件下使主面为非极性面或半极性面的In_xGa_1-xN层生长的工序(B)，

其中，0＜x＜1。

2.根据权利要求1所述的氮化镓类化合物半导体发光元件的制造方法，其中，

工序(A)包括：

通过有机金属气相生长法，在不同的生长条件下形成主面为非极性面或半极性面的多个In_yGa_1-yN层的工序(a1)，其中0＜y＜1；

基于在所述多个In_yGa_1-yN层中形成发光波长相等的In_xGa_1-xN层的生长条件，求出在压力和生长速率恒定时的生长温度和铟供给摩尔比之间的关系的工序(a2)，其中，0＜x＜1，0＜y＜1；以及

在表示生长温度和铟供给摩尔比之间的所述关系的曲线上，决定生长温度随着铟供给摩尔比的增加而单调增加的区域和饱和的区域之间的饱和点的工序(a3)。

3.根据权利要求2所述的氮化镓类化合物半导体发光元件的制造方法，其中，

工序(a2)包括：针对压力和生长速率不同的每个组合，求出在压力和生长速率恒定时的生长温度和铟供给摩尔比之间的关系的工序。

4.根据权利要求1至3的任一项所述的氮化镓类化合物半导体的制造方法，其中，

所述In_xGa_1-xN层是单一量子阱发光层或者包含在多级量子阱发光层中的阱层，其中，0＜x＜1。

5.根据权利要求4所述的氮化镓类化合物半导体的制造方法，其中，

所述阱层的厚度在2nm以上且20nm以下。

6.根据权利要求4所述的氮化镓类化合物半导体的制造方法，其中，

所述阱层的厚度在6nm以上且16nm以下。

7.根据权利要求1至6的任一项所述的氮化镓类化合物半导体的制造方法，其中，

工序(B)包括将生长压力调整为200Torr至600Torr的范围内的工序(b1)，

在工序(B)中，以针对被调整的所述生长压力和选择出的生长速率获得的、与表示生长温度和铟供给摩尔比的关系的曲线上的饱和点对应的生长温度和铟供给摩尔比，使In_xGa_1-xN层生长，其中，0＜x＜1。

8.根据权利要求1至6的任一项所述的氮化镓类化合物半导体的制造方法，其中，

工序(B)包括将生长压力调整为常压的工序(b1)，

在工序(B)中，以针对被调整的所述生长压力和选择出的生长速率获得的、与表示生长温度和铟供给摩尔比的关系的曲线上的饱和点对应的生长温度和铟供给摩尔比，使In_xGa_1-xN层生长，其中，0＜x＜1。