[实用新型]一种功率半导体器件的封装结构有效
| 申请号： | 201020688953.9 | 申请日： | 2010-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN201946588U | 公开（公告）日： | 2011-08-24 |
| 发明（设计）人： | 朱克干;吴德皇;宋淑伟 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L23/373 |
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| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 功率 半导体器件 封装 结构 | ||
1.一种功率半导体器件的封装结构，其特征在于，包括：
具有导电线路的绝缘基板，所述绝缘基板具有第一表面，所述第一表面上装载第一半导体芯片；
第二基板，所述第二基板具有第二表面，所述第二表面装载第二半导体芯片；
第一引脚，与所述第一半导体芯片电连接；
第二引脚，与所述第二半导体芯片电连接；
所述具有导电线路的绝缘基板、第一半导体芯片、第二基板、第二半导体芯片、第一引脚的部分以及第二引脚的部分密封于树脂内。
2.根据权利要求1所述的功率半导体器件的封装结构，其特征在于，所述具有导电线路的绝缘基板进一步包括印刷电路板。
3.根据权利要求1所述的功率半导体器件的封装结构，其特征在于，所述第二基板为陶瓷基板。
4.根据权利要求3所述的功率半导体器件的封装结构，其特征在于，所述陶瓷基板第二表面相对的表面覆盖有散热层。
5.根据权利要求4所述的功率半导体器件的封装结构，其特征在于，所述散热层为铜层。
6.根据权利要求1所述的功率半导体器件的封装结构，其特征在于，所述第二基板为覆盖有绝缘层的引线框架。
7.根据权利要求1所述的功率半导体器件的封装结构，其特征在于，所述第一半导体芯片和第二半导体芯片电连接。
8.根据权利要求7所述的功率半导体器件的封装结构，其特征在于，所述第一半导体芯片和第二半导体芯片通过绑线电连接。
9.根据权利要求1所述的功率半导体器件的封装结构，其特征在于，所述第二半导体芯片为IGBT和快恢复二极管。
10.根据权利要求1所述的功率半导体器件的封装结构，其特征在于，所述第一半导体芯片包括IGBT的驱动芯片。
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