[实用新型]一种大功率LED封装结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体照明光源的封装技术，尤其涉及一种大功率LED封装结构。

背景技术

传统的单体大功率LED光源是由一个或者几个芯片封装而成，为了满足LED大面积照明对发光强度的需求，采用传统的单体大功率LED封装结构将使芯片功率做得很大，众所周知，LED功率越大，其产生的热量就越大，而单个大功率芯片工作时产生的热量不容易散发，因此造成自身热量的积聚，使芯片的工作温度越来越高，导致光衰甚至死灯。为了利用大功率LED作大面积照明而达到所需要的亮度，照明灯具常采用多个大功率LED组合，这种方式在制作灯具时装配繁琐，提高了LED照明灯具的生产成本，且投射面积与光线均匀度不好控制，而为了达到所需的发光投射面积与光线均匀度，所须的光学透镜设计相当复杂。

发明内容

为了克服上述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种大功率LED封装结构，其具备良好的散热效果，发光强度大，且结构紧凑工艺简单。

为了达到上述目的，本实用新型采用的技术方案为：

一种大功率LED封装结构，包括陶瓷基板6，陶瓷基板6上表面内嵌镀铜片4，镀铜片4上安装LED芯片1，所有LED芯片1的正极通过金线2连接到正导电极3，所有LED芯片1的负极极通过金线2连接到负导电极7，所有LED芯片1和金线2位于一体化的灌封胶5内部成型为封闭基体，封闭基体位于陶瓷基板6上表面。

所有LED芯片1通过灌封胶5定位，固化在陶瓷基板6的镀铜片4上。

所述灌封胶5由硅胶和荧光粉混合制得。

所述正导电极3和负导电极7采用铜基镀银材料制作。

所有LED芯片1呈多行多列均匀分布。

本实用新型与现有技术相比具有以下优点：

1)散热效果好。

2)发光强度大。

3)结构简单便于工艺实现。

附图说明

图1为本实用新型的横截面示意图。

图2为本实用新型的纵截面示意图。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型做进一步详细说明。

如图1、图2所示，本实用新型为一种大功率LED封装结构，包括陶瓷基板6，陶瓷基板6上表面内嵌镀铜片4，镀铜片4上安装LED芯片1，所有LED芯片1的正极通过金线2连接到正导电极3，所有LED芯片1的负极极通过金线2连接到负导电极7，所有LED芯片1和金线2位于一体化的灌封胶5内部成型为封闭基体，封闭基体位于陶瓷基板6上表面。所有LED芯片1通过灌封胶5定位，固化在陶瓷基板6的镀铜片4上。所述灌封胶5由硅胶和荧光粉混合制得。所述正导电极3和负导电极7采用铜基镀银材料制作。所有LED芯片1呈多行多列均匀分布。

本发明采用上述结构后，因为陶瓷基板上的镀铜片和正、负导电极均采用铜基镀银材料制作，LED芯片通过和铜基镀银的金属片完全接触，而且此镀铜片完全嵌入陶瓷基板散热块上，这样，LED芯片产生的热量通过镀铜片传导至陶瓷基板散热块，再由散热块将热量传导空间，同时，陶瓷基板的面积和热容量都是精确计算确定的，使其散热效果与LED芯片功率相匹配，所以本发明的散热效率高散热效果好。另外，可以根据使用需要集成不同数量的LED芯片，生产发光强度不同的多规格LED灯。与传统照明灯具相比，本发明结构紧凑、工艺简单、使用方便，特别是利用本发明装配灯具时，其中的光学透镜设计、发光角度、投射面积和光的均匀度更容易调整控制。