[发明专利]用于半导体热处理设备的立式晶舟支撑件

说明书

技术领域

本发明涉及半导体生产装置领域，具体涉及一种用于半导体热处理设备的立式晶舟支撑件。

背景技术

晶片在高温热处理工艺中，需要承受的温度会达到1100℃甚至更高，使晶片产生更大的变形。传统的热处理设备中，晶片是通过晶舟上面的凹槽或凸台来支撑的，其中晶舟一般包括上下两个圆盘和位于上下圆盘之间用于连接两个圆盘的3个或更多的支撑立柱，每个立柱都有多层相互平行且同水平面的凹槽或凸台，凹槽或凸台的层数由支撑晶片的数量来确定。具体是晶片放置在凹槽或凸台中，靠其中处于同一平面的多个小表面来支撑。

但现在的晶片直径变大，已经达到300mm或更大，其自身重量也变大，对其工艺的要求更高。相比之前，如果仍用带有凹槽或凸台的晶舟来支撑，仅仅是靠立柱上的凹槽或凸台上面的多个小表面来支撑，相对于晶片的尺寸，其接触面积太小。这样晶片会因仅受到几个小的表面支撑，产生较大的局部应力，同时也会因高温下的自身重力和内部热应力，共同产生晶片位置滑动和晶片内部过大的滑移和弹性变形。滑动和滑移会引起晶片表面产生伤痕和增加污染物，而且过度的滑移和热应力会增大晶片的弹性变形，进而会导致晶片的工艺质量变差，最终导致其良品率下降。

发明内容

(一)要解决的技术问题

本发明要解决的技术问题是提供一种辅助晶舟支撑晶片的支撑件，可以有效的防止高温热处理中的晶片发生滑动、滑移和弹性变形。

(二)技术方案

为实现上述目的，本发明的技术方案提供一种用于半导体热处理设备的立式晶舟支撑件，所述支撑件位于晶舟立柱的凸台上，其中，所述支撑件为薄型圆环形结构，所述支撑件的上表面设有环形凹槽，所述圆环的直径大于或等于晶片的直径。

其中，所述圆环的下表面设有凹槽，所述凹槽的形状与晶舟凸台的形状相适配。

其中，所述圆环上设有开口。

其中，所述环形凹槽为一个或一个以上。

其中，所述圆环的边缘为圆弧形棱边。

其中，所述圆环的厚度为1-5mm。

其中，所述圆环的厚度为2mm。

其中，所述圆环的直径比晶片直径大0-10mm。

其中，所述支撑件由硅的化合物制成。

其中，所述硅的化合物为碳化硅或氮化硅。

(三)有益效果

本发明提供了一种辅助晶舟支撑晶片的支撑件，可以有效的防止高温热处理中的晶片发生滑动、滑移和和弹性变形。

附图说明

图1是本发明用于半导体热处理设备的立式晶舟支撑件上表面结构示意图；

图2是本发明用于半导体热处理设备的立式晶舟支撑件下表面结构示意图；

图3是本发明用于半导体热处理设备的立式晶舟支撑件使用状态图；

图4是传统晶舟应力分布图；

图5是本发明用于半导体热处理设备的立式晶舟支撑件使用状态下应力分布图；

图6是传统晶舟晶片位移分布图；

图7是本发明用于半导体热处理设备的立式晶舟支撑件使用状态下晶片位移分布图。

图中：1：凸台；2：凹槽；3：晶舟凸台；4：支撑件；5：连接立柱；2’：凹槽。

具体实施方式

下面结合附图和实施例，对本发明的具体实施方式作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本发明的技术方案，而不能以此来限制本发明的保护范围。