[发明专利]用于集成电路的电感器及方法

权利要求书

1.一种集成电感器，包括：

第一衬底，其具有穿过该第一衬底的多个孔，所述孔被导电材料填充以便能从第一衬底的第一表面通达；

在成对的孔中的导电材料在第一衬底的第二表面处被电互连；

第二衬底，其具有在其第一表面上被暴露的多个导电区域；

在第二衬底的第一表面上的导电区域被电连接到能从第一衬底的第一表面通达的导电材料；

能从第一衬底的第一表面通达的导电材料被互连以形成多匝电感器线圈。

2.如权利要求1所述的集成电感器，其中在第二衬底的第一表面上的导电区域形成互连部以形成所述多匝电感器线圈。

3.如权利要求1所述的集成电感器，其中第二衬底是在其上具有耦合到电感器线圈的集成电路的半导体衬底。

4.如权利要求3所述的集成电感器，其中在第一衬底中填充孔的其中一些导电材料与集成电路互连而不是与线圈互连，由此在第二衬底上的集成电路连接能从第一衬底的第二表面通达。

5.如权利要求3所述的集成电感器，其中第一衬底是氧化物。

6.如权利要求1所述的集成电感器，其中第一衬底是半导体衬底。

7.如权利要求6所述的集成电感器，其中填充所述孔的导电材料、在第一衬底的第二表面的电互连部以及形成多匝电感器的互连部均与第一衬底电绝缘。

8.如权利要求6所述的集成电感器，其中第一衬底包括在其上的集成电路。

9.如权利要求1所述的集成电感器，其中填充所述孔的导电材料、在第一衬底的第二表面的电互连部以及形成多匝电感器的互连部均是铜。

10.一种形成集成电感器的方法，包括：

提供第一衬底；

从第一衬底的第一表面通过所述衬底部分地蚀刻多个孔的图形；

利用导电材料填充所述孔；

在第一衬底的第一表面上沉积并图形化第一导电层以电连接在成对的孔中的导体；

将载体临时胶粘到第一衬底的第一表面；

从与第一表面相反的第二表面减薄该第一衬底以暴露填充所述孔的导体的各末端；

将图形化的第二导电层电连接到填充至少其中一些孔的导电材料的暴露的末端以将该图形化的第二导电层、所述填充至少其中一些孔的导电材料与第一导电层电连接，从而形成导电线圈。

11.如权利要求10所述的方法，其中利用导电材料填充所述孔包括电镀衬底的第一表面以填充所述孔以及接着化学机械抛光衬底的第一表面以去除孔之间的镀层。

12.如权利要求10所述的方法，其中从与第一表面相反的第二表面减薄该第一衬底以暴露填充所述孔的导体的各末端包括粗磨、化学机械抛光和蚀刻。

13.如权利要求10所述的方法，其中提供第一衬底包括提供第一半导体衬底。

14.如权利要求13所述的方法，其中所述孔具有在其中的氧化层以将第一衬底与所述导电材料电绝缘。

15.如权利要求14所述的方法，其中第二衬底包括在其中的集成电路。

16.如权利要求15所述的方法，其中在第一衬底中填充孔的至少其中一些导电材料与第二衬底上的集成电路互连而不是与线圈互连，由此至第二衬底上的集成电路的集成电路连接能从第一衬底的第二表面通达。

17.如权利要求16所述的方法，其中第一衬底包括在第一衬底的第一表面上的集成电路。

18.如权利要求10所述的方法，其中提供第一衬底包括提供在其第一表面上具有厚氧化物的半导体，以及从与第一表面相反的第二表面减薄该第一衬底以暴露填充所述孔的导体的各末端包括去除该半导体使得第一衬底变得仅为氧化物。

19.如权利要求10所述的方法，其中第一与第二图形化的导电层以及填充所述孔的导电材料均是铜。

20.如权利要求19所述的方法，其中第二图形化的导电层在第二衬底上，并且将图形化的第二导电层电连接到填充所述孔的导电材料的暴露的末端以电连接该图形化的第二导电层、填充所述孔的导电材料与第一导电层以形成导电线圈包括将第二图形化的导电层热压缩接合到填充所述孔的导电材料的暴露的末端。