[发明专利]双重图形化方法无效
| 申请号： | 201010553698.1 | 申请日： | 2010-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN102466969A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;孙武;张世谋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;G03F7/09;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 双重 图形 方法 | ||
1.一种双重图形化方法，其特征在于，包括：
分别提供基底和压印模具，所述基底上形成有第一光刻胶层，所述压印模具具有第一图形；
使用所述压印模具对所述第一光刻胶层进行压印，将所述第一图形转移至所述第一光刻胶层；
形成第二光刻胶层，覆盖所述压印后的第一光刻胶层；
对所述第二光刻胶层进行图形化，定义出第二图形。
2.根据权利要求1所述的双重图形化方法，其特征在于，所述使用所述压印模具对所述第一光刻胶层进行压印包括：使用所述压印模具对所述第一光刻胶层进行冲压；移除所述压印模具；对所述第一光刻胶层进行冻结。
3.根据权利要求2所述的双重图形化方法，其特征在于，所述冻结包括对所述第一光刻胶曝光和/或烘焙。
4.根据权利要求1所述的双重图形化方法，其特征在于，所述对所述第二光刻胶层进行图形化包括：对所述第二光刻胶层进行曝光，定义出所述第二图形；对所述曝光后的第二光刻胶层进行显影。
5.根据权利要求1所述的双重图形化方法，其特征在于，还包括：以所述压印后的第一光刻胶层和图形化后的第二光刻胶层为掩膜，对所述基底进行刻蚀。
6.根据权利要求1所述的双重图形化方法，其特征在于，所述基底的上形成有防反射层，所述第一光刻胶层位于所述防反射层上。
7.根据权利要求6所述的双重图形化方法，其特征在于，所述半导体基底上形成有硬掩膜层，所述防反射层位于所述硬掩膜层上。
8.根据权利要求7所述的双重图形化方法，其特征在于，还包括：以所述压印后的第一光刻胶层和图形化后的第二光刻胶层为掩膜，对所述硬掩膜层进行刻蚀；以所述硬掩膜层为掩膜，对所述基底进行刻蚀。
9.根据权利要求7所述的双重图形化方法，其特征在于，所述硬掩膜层的材料为多晶硅、氧化硅、氮化硅、碳化硅或金属。
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