[发明专利]α-三氧化二铝单晶体的制备方法

权利要求书

1.α-三氧化二铝单晶体的制备方法，包括加原料、插晶种、烧结晶体、化料结晶、对中心、晶体扩大和等径生长步骤，其特征在于：原料为δ-Al₂0₃，插晶种所用晶种为A轴75°晶向的晶种。

2.根据权利要求1所述的α-三氧化二铝单晶体的制备方法，其特征在于：化料结晶时，下落料敲击频率10～25次/分钟。

3.根据权利要求1所述的α-三氧化二铝单晶体的制备方法，其特征在于：晶体扩大时，滴水维氧速度3～10秒/滴；下落料敲击频率：25～40次/min；下降生长速度3～8mm/min。

4.根据权利要求1所述的α-三氧化二铝单晶体的制备方法，其特征在于：等径生长时，下落料敲击频率45～75次/min，下降生长速度至8～20mm/min，滴水维氧速度：14～16秒/滴。

5.根据权利要求1所述的α-三氧化二铝单晶体的制备方法，其特征在于：加原料时下料筛网的孔径目数是140～200目。

6.根据权利要求1所述的α-三氧化二铝单晶体的制备方法，其特征在于：烧结晶体时氢氧火焰比例为：2.5～3.6∶1。

7.根据权利要求6所述的α-三氧化二铝单晶体的制备方法，其特征在于：氢氧火焰比例为：2.9～3.6∶1。

8.根据权利要求1所述的α-三氧化二铝单晶体的制备方法，其特征在于：烧结晶体时氢氧火焰温度2030～2080℃。

9.根据权利要求8述的α-三氧化二铝单晶体的制备方法，其特征在于：烧结晶体时氢氧火焰温度为2080℃。

10.根据权利要求1所述的α-三氧化二铝单晶体的制备方法，其特征在于：插晶种时把晶种垂直插入生长头上端中心。