[发明专利]数组基板及其制作方法

权利要求书

1.一种数组基板的制作方法，其特征在于，包含：

提供一基板，该基板上设有一薄膜晶体管，该薄膜晶体管包含一闸极、一闸极介电层、一源极电极和一汲极电极；

形成一有机材料层覆盖该基板和该薄膜晶体管；

形成一开口于该有机材料层并且曝露出该汲极电极；

形成一第一无机材料层覆盖该开口的侧壁及至少部分该有机材料层，且该第一无机材料层至少曝露出该汲极电极；以及

形成一图案化透明画素电极层于该第一无机材料层上并且经由该开口接触该汲极电极。

2.根据权利要求1所述的数组基板的制作方法，其特征在于：其中该图案化透明画素电极层包含至少二主画素电极以及一架桥电极设置于该两主画素电极之间并连接该两主画素电极，且该架桥电极的宽度小于该两主画素电极的宽度。

3. 根据权利要求2所述的数组基板的制作方法，其特征在于：其中该第一无机材料层位于该开口周围的该有机材料层上、该架桥电极正下方和该架桥电极正下方周围的该有机材料层上。

4. 根据权利要求1所述的数组基板的制作方法，其特征在于，另包含：形成该有机材料层之前，形成一第二无机材料层覆盖该基板和该薄膜晶体管，

在形成曝露出该汲极电极的该第一无机材料层的步骤时，亦使得该汲极电极经由该第二无机材料层曝露出来。

5. 根据权利要求1所述的数组基板的制作方法，其特征在于：其中该有机材料层为有机光阻，并且该第一无机材料层为氮化硅。

6. 一种数组基板，其特征在于，包含：

一基板，该基板上设有一薄膜晶体管，该薄膜晶体管包含一闸极、一闸极介电层、一源极电极和一汲极电极；

一有机材料层覆盖该基板和该薄膜晶体管；

一开口贯穿该有机材料层并且该汲极电极经由该开口曝露出来；

一第一无机材料层至少覆盖该开口的侧壁与部分的该有机材料层，并且该汲极电极经由该开口曝露出来；以及

一图案化透明画素电极层位于该第一无机材料层上以及该开口中并且接触该汲极电极。

7. 根据权利要求6所述的数组基板，其特征在于：其中该图案化透明画素电极层包含至少二主画素电极以及一架桥电极设置于该两主画素电极之间并连接该两主画素电极，且该架桥电极的宽度小于该两主画素电极的宽度。

8. 根据权利要求6所述的数组基板，其特征在于：其中该第一无机材料层，仅位于该开口的侧壁上、位于该开口周围的该有机材料层上和该架桥电极下的该有机材料层上。

9. 根据权利要求6所述的数组基板，其特征在于，另包含：一第二无机材料层位于该闸极介电层和该有机材料层之间并且该第二无机材料层曝露部分该汲极电极。

10. 根据权利要求6所述的数组基板，其特征在于：其中该有机材料层为有机光阻，并且该第一无机材料层为氮化硅。