[发明专利]集成电路芯片识别元件

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求于2009年6月17日提交的名称为“集成电路芯片识别元件”的第09/54056号法国专利申请的优先权，该申请在法律允许的最大程度上通过引用并入本文。

技术领域

本发明一般涉及借助于区分一个芯片与另一芯片的标识符来识别集成电路芯片。

背景技术

图1是半导体材料的晶片1的简化俯视图，在该晶片1上形成全部相同的电路或者芯片2。参照集成电路芯片，已知各芯片可包括一个或者数个有源和/或无源电路。目前，在同一晶片上形成有数目比所示多得多的芯片。在制造结束时，沿着虚线所示的锯切路径3例如借助于锯通过切割来分离芯片2。在许多应用中，有必要具有一种用于唯一地识别源于同一制造批次的芯片的方式。这样的标识符例如在诸如支付卡等设备中用于识别或者加密目的。

一种识别方法，包括在电路的非易失性存储器中为各芯片存储编号。该方法需要在制造期间(屏蔽写入ROM中)或者在制造之后(电或者光写入过程)的特定步骤。

另一组方法包括基于值与制造不确定性关联的物理参数来识别芯片。尤其可以测量芯片的电参数。例如，可以测量晶体管的阈值电压、电阻或者杂散电容。这样的特征对制造工艺的不准确所导致的弥散敏感。下文称之为工艺弥散。因此可以认为所考虑的一个或多个参数为芯片所特有并且形成唯一的标识符。目前，在芯片中设置大量识别元件，这些元件能够基于与这些元件的制造关联的物理参数来为各芯片提供唯一的标识符。形成芯片标识符的值差异本质上很小。它们在与制造关联的不准确性的裕度内取值。

使用电参数测量值的一个弊端在于这些参数可能在电路的寿命期间内随时间变化。因而所获得的标识符并不稳定。另外，这样的特征可对尤其取决于使用温度的寄生弥散敏感。基于参数测量值的方法的一个弊端因此在于获得可能随着测量值而变化的标识符。

发明内容

因此，本发明实施例的一个目的在于提供一种用于基于与芯片的制造关联的物理参数来识别芯片的新方式，从而克服现有技术的识别方法的至少一些弊端。

本发明实施例的一个目的在于提供一种特别对工艺弥散敏感而随时间和温度稳定的识别元件。

本发明实施例的另一目的在于提供不需要芯片制造工艺添加步骤的元件。

因此，本发明的实施例提供一种用于识别集成电路芯片的元件，该元件包括被连接为惠斯顿桥的相同的扩散电阻器。

根据本发明的实施例，所述扩散电阻器由绝缘区域围绕。

根据本发明的实施例，所述集成电路由互连层和绝缘层的层叠覆盖，至少直至紧随最接近所述集成电路的互连层的那一层，所述电阻器仅由绝缘体覆盖。

根据本发明的实施例，所述扩散电阻器为条形。

本发明的另一实施例提供一种用于生成集成电路芯片的识别号的电路，包括多个根据任一上述实施例的识别元件。

根据本发明的实施例，该生成电路包括多个比较器，每一比较器比较两个惠斯顿桥的失衡值，所述识别号由所述比较器的输出值形成。

根据本发明的实施例，其中，所述比较器具有两个输出状态，则每一比较器的输出确定所述识别号的位。

结合附图在具体实施例的以下非限制性描述中详细讨论本发明的前述目的、特征和优点。

附图说明

图1是半导体材料的晶片的简化俯视图，在该晶片上形成有集成电路芯片；

图2示出用于识别集成电路芯片的元件的电路图；

图3A至图3C是示出构成图2的识别元件的电阻器的实施例的简化俯视图和横截面图；

图4A和图4B是图示图2识别元件的一部分的实施例的简化横截面图；

图5和图6图示了图4A和图4B中所示图2的识别元件的实施例的工艺弥散和随时间的表现；以及

图7图示了具有扩散电阻器的惠斯顿桥的例子的工艺弥散和随时间的表现，其中在扩散电阻器上方保持栅极多晶硅线。

具体实施方式

为求清楚，在不同附图中用相同的标号表示相同的元件，另外如集成电路的表示中常见的那样，各附图未按比例绘制。仅示出并在下文描述那些对于理解本发明而言必需的元件。具体而言，并未详述目的以及对生成的标识符的利用。

图2示出了由四个相同的电阻器R形成的惠斯顿桥的电路图。第一电压V_IN被施加到该桥的、在节点A与B之间的第一对角线。可能的失衡电压V_OUT出现在该桥的、在节点C与D之间的第二对角线上。