[发明专利]快闪存储器的制作方法

权利要求书

1.一种快闪存储器的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

提供一衬底，包括一阵列区和一周边区；

形成多个栅极于所述阵列区和所述周边区的衬底上；

形成一第一间隙壁于所述阵列区和所述周边区的栅极侧壁；

形成一第一覆盖层于所述阵列区和所述周边区的衬底和所述栅极上方；

图形化所述第一覆盖层，形成对准所述阵列区的所述栅极间区域的图形化第一覆盖层，以定义所述阵列区的源极和漏极的区域；

形成一第二间隙壁于所述周边区的栅极侧壁；

形成一第二覆盖层于所述栅极和所述图形化第一覆盖层上方；

图形化所述第二覆盖层，于所述阵列区的所述图形化第一覆盖层上形成一阵列区的源/漏极接触开口；及

移除所述阵列区的源/漏极接触开口下的第一覆盖层。

2.如权利要求1所述的快闪存储器的制作方法，其特征在于，在图形化所述第二覆盖层之前，还包括对所述第二覆盖层进行一研磨工艺。

3.如权利要求2所述的快闪存储器的制作方法，其特征在于，在对所述第二覆盖层进行研磨工艺之前，还包括回刻蚀所述阵列区上方的部分第二覆盖层。

4.如权利要求1所述的快闪存储器的制作方法，其特征在于，所述第一覆盖层是一多晶硅层。

5.如权利要求1所述的快闪存储器的制作方法，其特征在于，所述第二覆盖层是一硼硅玻璃层。

6.如权利要求1所述的快闪存储器的制作方法，其特征在于，所述第一和第二间隙壁是氮化硅所组成。

7.一种快闪存储器的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

提供一衬底，包括一阵列区和一周边区；

形成多个栅极于所述阵列区和所述周边区的衬底上；

形成一第一衬层于所述栅极和所述衬底上；

形成一第一间隙壁于所述栅极的侧壁；

形成一第二衬层于所述第一衬层、所述第一间隙壁上；

形成一第一覆盖层于所述阵列区和所述周边区的衬底和所述栅极上方；

图形化所述第一覆盖层，形成对准所述阵列区的所述栅极间区域的图形化第一覆盖层，以定义所述阵列区的源极和漏极的区域；

形成一第二间隙壁于所述周边区的栅极侧壁；

进行一所述周边区的源/漏极注入工艺；

形成一第二覆盖层于所述栅极和所述图形化第一覆盖层上方；

研磨所述第二覆盖层；

图形化所述第二覆盖层，于所述阵列区的所述图形化第一覆盖层上方形成一阵列区的源/漏极接触开口；

移除所述阵列区的源/漏极接触开口下的第二覆盖层；

移除所述阵列区的源/漏极接触开口下的第一覆盖层、第一和第二衬层；及

于所述阵列区和所述周边区的源/漏极接触开口中填入一导电层。

8.如权利要求7所述的快闪存储器的制作方法，其特征在于，在对所述第二覆盖层进行研磨工艺之前，还包括回刻蚀所述阵列区上方的部分第二覆盖层。

9.如权利要求7所述的快闪存储器的制作方法，其特征在于，所述第一覆盖层是一多晶硅层。

10.如权利要求7所述的快闪存储器的制作方法，其特征在于，所述第二覆盖层是一硼硅玻璃层。