[发明专利]无基岛引线框结构及其生产方法有效

专利信息
申请号: 201010165881.4 申请日: 2010-04-30
公开(公告)号: CN101814481A 公开(公告)日: 2010-08-25
发明(设计)人: 王新潮;梁志忠 申请(专利权)人: 江苏长电科技股份有限公司
主分类号: H01L23/495 分类号: H01L23/495;H01L21/60
代理公司: 江阴市同盛专利事务所 32210 代理人: 唐纫兰
地址: 214434 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 无基岛 引线 结构 及其 生产 方法
【权利要求书】:

1.一种无基岛引线框结构,包括引脚(2),在所述引脚(2)的正面设置 有第一金属层(4),在所述引脚(2)的背面设置有第二金属层(5),其特征在于: 所述引脚(2)正面延伸到后续需装芯片的区域旁边,在所述引脚(2)外围的区 域以及引脚(2)与相邻引脚(2)之间的区域嵌置有无填料的塑封料(3),所述无 填料的塑封料(3)将引脚下部外围以及引脚(2)下部与相邻引脚(2)下部连接 成一体,且使所述引脚(2)背面尺寸小于引脚(2)正面尺寸,形成上大下小的 引脚结构;所述引脚(2)的材料采用铜、铝、铁、铜合金或镍铁合金。

2.一种如权利要求1所述的无基岛引线框结构的生产方法,其特征在 于所述方法包括以下工艺步骤:

步骤一、取金属基板

步骤二、贴膜作业

利用贴膜设备在金属基板的正面及背面分别贴上可进行曝光显影的光 刻胶膜,

步骤三、金属基板正面去除部分光刻胶膜

利用曝光显影设备将步骤二完成贴膜作业的金属基板正面进行曝光显 影去除部分光刻胶膜,以露出金属基板上后续需要进行半蚀刻的区域,

步骤四、金属基板正面半蚀刻

对步骤三中金属基板正面去除部分光刻胶膜的区域进行半蚀刻,在金 属基板正面形成凹陷的半蚀刻区域,同时相对形成引脚的背面,

步骤五、金属基板正背面揭膜作业

将金属基板正面余下的光刻胶膜和背面的光刻胶膜揭除,

步骤六、金属基板正面半蚀刻区域填涂无填料的软性填缝剂

在步骤四金属基板正面形成凹陷的半蚀刻区域,填涂上无填料的软性 填缝剂,并同时进行烘烤,促使无填料的软性填缝剂固化成无填料的塑封 料,

步骤七、金属基板正背面贴膜作业

利用贴膜设备在已完成填涂无填料的软性填缝剂作业的金属基板的正 面及背面分别贴上可进行曝光显影的光刻胶膜,

步骤八、去除部分光刻胶膜

在金属基板的正面及背面去除部分光刻胶膜,用意是露出引脚的背面 以及正面,

步骤九、镀金属层

在步骤八露出的引脚的背面镀上第二金属层,在引脚的正面镀上第一 金属层,

步骤十、去除金属基板背面部分光刻胶膜

去除金属基板背面部分光刻胶膜,以露出金属基板背面引脚外围的区 域以及引脚与相邻引脚之间的区域,

步骤十一、金属基板背面半蚀刻

在金属基板的背面对不被光刻胶膜覆盖的区域即步骤四余下部分的金 属蚀刻出所述的引脚的正面,同时将引脚正面尽可能的延伸到后续需装芯 片的区域旁边,且使所述引脚背面尺寸小于引脚正面尺寸,形成上大下小 的引脚结构,

步骤十二、金属基板正背面揭膜作业

将金属基板正面和背面余下的光刻胶膜揭除。

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