[发明专利]半导体模块及搭载有该模块的照相机模块无效

专利信息
申请号: 201010155272.0 申请日: 2010-03-31
公开(公告)号: CN101853846A 公开(公告)日: 2010-10-06
发明(设计)人: 长松正幸;臼井良辅;井上恭典 申请(专利权)人: 三洋电机株式会社
主分类号: H01L25/00 分类号: H01L25/00;H01L23/48;H01L23/12;H04N5/225
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 岳雪兰
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体 模块 搭载 照相机
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种半导体模块及搭载了该模块的照相机模块。

背景技术

便携电话、PDA、DVC、DSC等便携式电子设备在加速附加能够拍摄人物和风景的照相机功能等的高功能化中,为了使这样的产品被市场接受,就必须为小型且轻型的产品,为了使其实现,就需要高集成的系统LSI。

另一方面,对于这些电子设备要求使用更加便利,对于在设备中使用的LSI要求高功能化、高性能化。为此,一方面随着LSI芯片的高集成化增加其I/O数,另一方面,也强烈要求封装本身的小型化、薄型化,为了兼顾这些方方面面,就强烈要求研发一种适合高密度地安装半导体部件的基板的半导体封装。为了满足这样的要求,就要求使搭载半导体部件的半导体模块进一步薄型化。

下面,说明作为现有便携式电子设备的一个实例的照相机模块。

图8是表示现有的照相机模块的结构的剖面图。

如图8所示,现有的照相机模块1000具有结合了印刷基板10、镜筒46及圆筒形本体45的结构。在印刷基板10上通过接合引线14安装CCD、CMOS图像传感器11,配置有塑料材质的框体40以便将它们覆盖。

另外,照相机模块1000通过设置在镜筒46的内周表面的螺钉部的螺纹接合将圆筒形本体45和镜筒46(框体40)结合在一起。

并且,在印刷基板10的上方即安装在圆筒形本体45上的透镜41和安装在印刷基板10的上表面的半导体元件即图像传感器11之间结合有IR截止滤镜22,遮断向图像传感器11流入的过度的长波长的红外线。

但是,为了使搭载在便携电话等便携式电子设备中的照相机模块本身小型化,在现有的半导体模块中,如图8所示,在由框体40、镜筒46、圆筒形本体45及印刷基板10包围的空间内,安装了作为用于驱动透镜或半导体元件(CMOS传感器)而安装的安装部件的一个实例的芯片部件(电阻、电容等无源部件或驱动用IC芯片)。具体地,仅在半导体元件的周边的印刷基板10上有搭载芯片部件的区域。

为此,由于必须在照相机模块本体中在此空间较高地层叠这些芯片部件或者平面上确保面积进行配置,所以不能解决小型化的课题。

发明内容

本发明的一实施方式提供一种半导体模块,其特征在于,包括:具有半导体元件的第一布线基板和在对应所述半导体元件的位置具有开口部的第二布线基板;其中,在所述半导体元件的周围通过多个导电构件电连接所述第一布线基板和所述第二布线基板。

附图说明

图1是表示第一实施方式的半导体模块的结构的平面图;

图2(A)、(B)分别是表示第一实施方式的半导体模块的上侧布线基板和下侧布线基板的结构的平面图;

图3是沿图1的A-A′线的第一实施方式的半导体模块的剖面图;

图4是表示第一实施方式的半导体模块的变化例的剖面图;

图5是表示第一实施方式的半导体模块的变化例的剖面图;

图6是表示第一实施方式的半导体模块的变化例的剖面图;

图7是表示具备第二实施方式的半导体模块的照相机模块的结构的剖面图;

图8是表示具备现有的半导体模块的照相机模块的结构的剖面图。

具体实施方式

现在,将参照优选实施方式来说明本发明。优选实施方式不是要限制本发明的范围,而仅仅是示例本发明。

下面,将参照附图说明本发明的实施方式。

第一实施方式

图1是表示第一实施方式的半导体模块的结构的平面图。

半导体模块1包括下侧布线基板10和上侧布线基板20,这些布线基板10,20通过作为连接导电构件的一个实例的焊球30进行电连接。此外,在上侧的布线基板20的上表面搭载有无源元件、驱动IC等芯片部件23。半导体模块1的尺寸为约10mm×约10mm。

在此,分别在图2(A)及(B)中示出图1所示的半导体模块的上侧布线基板20和下侧布线基板10的平面图。

首先,图2(A)所示的上侧布线基板20是具有由多个布线层及绝缘层构成的所谓多层布线层的布线基板,在与搭载于下侧的布线基板10上的半导体元件11对应的位置具有开口部21。从上侧布线基板20的上侧看时,此开口部21成为大致“口”字形状。其形状不一定是“口”字形状,例如可以是圆形状、椭圆形状或矩形形状。在搭载于下侧布线基板10上的半导体元件11内设置有发光或受光的功能部的情况下,当从上侧布线基板20侧观察开口部21时,能够目视此发光或受光功能部的形状即可。半导体元件11的厚度为约100μm~150μm的程度。

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