[发明专利]半导体装置及其制造方法和电子设备无效
| 申请号: | 201010134092.4 | 申请日: | 2010-03-12 |
| 公开(公告)号: | CN101840925A | 公开(公告)日: | 2010-09-22 |
| 发明(设计)人: | 梅林拓;高桥洋;庄子礼二郎 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/335;H04N3/15 |
| 代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 王安武;南霆 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 装置 及其 制造 方法 电子设备 | ||
1.一种半导体装置,构造为背面照明的固态成像装置,包括:
第一半导体晶片;以及
第二半导体晶片,其中
将具有半成品状态的像素阵列的所述第一半导体晶片与具有半成品状态的逻辑电路的所述第二半导体晶片结合起来,将所述第一半导体晶片制成薄膜,将所述像素阵列和所述逻辑电路电连接,将所述像素阵列和所述逻辑电路制成成品状态,并且将结合在一起的所述第一半导体晶片和所述第二半导体晶片分成微芯片。
2.根据权利要求1所述的半导体装置,其中
半成品状态的所述像素阵列包括用于每个像素的布线和光电转换部分,并且半成品状态的所述逻辑电路包括信号处理电路和布线。
3.根据权利要求2所述的半导体装置,其中
在成品状态中,至少片上颜色滤光片和片上微透镜形成在所述像素阵列上。
4.根据权利要求3所述的半导体装置,其中
在所述第一半导体晶片制成薄膜后,所述像素阵列和所述逻辑电路通过连接导体彼此电连接,所述连接导体穿过所述第一半导体晶片。
5.根据权利要求3所述的半导体装置,其中
在所述第一半导体晶片的结合表面上暴露的所述布线和在所述第二半导体晶片的结合表面上暴露的所述布线彼此连接,以在所述像素阵列和所述逻辑电路之间进行电连接,并且
所述第一半导体晶片随后处理为薄膜。
6.一种制造半导体装置的方法,以提供背面照明的固态成像装置,包括以下步骤:
将具有半成品状态的像素阵列的第一半导体晶片与具有半成品状态的逻辑电路的第二半导体晶片结合起来;
将所述第一半导体晶片制成薄膜;
将所述像素阵列和所述逻辑电路电连接;
将所述像素阵列和所述逻辑电路制成成品状态;并且
将结合在一起的所述第一半导体晶片和所述第二半导体晶片分成微芯片。
7.根据权利要求6所述的制造半导体装置的方法,其中
半成品状态的所述像素阵列包括用于每个像素的布线和光电转换部分,并且
半成品状态的所述逻辑电路包括信号处理电路和布线。
8.根据权利要求7所述的制造半导体装置的方法,其中
至少片上颜色滤光片和片上微透镜形成在所述像素阵列上,以使所述像素阵列成为成品状态。
9.根据权利要求8所述的制造半导体装置的方法,还包括以下步骤:
在所述第一半导体晶片制成薄膜后,形成穿过所述第一半导体晶片的连接孔;并且
通过将导体嵌入所述连接孔,将所述像素阵列电连接到所述逻辑电路。
10.根据权利要求8所述的制造半导体装置的方法,还包括以下步骤:
将所述第一半导体晶片和所述第二半导体晶片结合起来;
将暴露在所述第一半导体晶片的结合表面上的所述布线和暴露在所述第二半导体晶片的结合表面上的所述布线彼此连接,以在所述像素阵列和所述逻辑电路之间进行电连接,并且
在连接后,将所述第一半导体晶片制成薄膜。
11.一种电子设备,包括:
固态成像装置;
光学系统,其将入射光线引入所述固态成像装置中的光电二极管中;以及
信号处理电路,处理从所述固态成像装置输出的信号,
其中,所述固态成像装置作用为包括第一半导体晶片和第二半导体晶片的背面照明的固态成像装置,并且
其中,将具有半成品状态的像素阵列的所述第一半导体晶片与具有半成品状态的逻辑电路的所述第二半导体晶片结合起来,将所述第一半导体晶片制成薄膜,将所述像素阵列和所述逻辑电路电连接,将所述像素阵列和所述逻辑电路制成成品状态,并且将结合在一起的所述第一半导体晶片和所述第二半导体晶片分成微芯片。
12.根据权利要求11所述的电子设备,其中
在所述固态成像装置中,半成品状态的所述像素阵列包括用于每个像素的布线和光电转换部分,
半成品状态的所述逻辑电路包括信号处理电路和布线,并且
在成品状态中,至少片上颜色滤光片和片上微透镜形成在所述像素阵列上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





