[发明专利]物体制造缺陷的应用方法

权利要求书

1.一种物体制造缺陷的应用方法，其特征在于，包括步骤如下：

从一物体的制造过程取得一缺陷图像，该缺陷图像包括一缺陷及该缺陷周围的多个已制造出的电路图案；

取得该缺陷的坐标；

取得该物体的一设计规划图，该设计规划图包括多个设计电路图案；

将该缺陷图像及该设计规划图的单位尺寸调整为一致；

从该缺陷图像中撷取出该缺陷的轮廓；

依据该缺陷的坐标，将该缺陷的轮廓叠置于该设计规划图上；以及

借助于分析该缺陷的轮廓与所述这些设计电路图案的重叠情形，来判断该缺陷是否在该设计规划图上导致一断路错误或一短路错误。

2.如权利要求1所述的物体制造缺陷的应用方法，其特征在于，在“取得该物体的一设计规划图，该设计规划图包括多个设计电路图案”的步骤后，更包括步骤如下：

将该缺陷图像的已制造出的电路特征与该设计规划图的设计电路图案做比对，由此校正该缺陷的坐标。

3.如权利要求1所述的物体制造缺陷的应用方法，其特征在于，当该缺陷的轮廓截断所述这些设计电路图案的其中一个时，该缺陷导致该断路错误。

4.如权利要求1所述的物体制造缺陷的应用方法，其特征在于，当该缺陷的轮廓桥接所述这些设计电路图案的其中两个时，该缺陷导致该短路错误。

5.如权利要求1所述的物体制造缺陷的应用方法，其特征在于，更包括步骤如下：

判断该缺陷是随机微颗粒缺陷、系统缺陷或是制程关连缺陷。

6.如权利要求5所述的物体制造缺陷的应用方法，其特征在于，该系统缺陷包括：颈缩、桥接、遗漏或崩塌。

7.如权利要求5所述的物体制造缺陷的应用方法，其特征在于，该制程关连缺陷包括：残余物、刮痕、腐蚀、凹痕、薄雾、水痕、剥落物、光阻液隆起或气泡。

8.如权利要求1所述的物体制造缺陷的应用方法，其特征在于，所述这些步骤重复执行于该制造流程中的不同缺陷图像。

9.如权利要求8所述的物体制造缺陷的应用方法，其特征在于，更包括步骤如下：

取得一新物体的新设计规划图，该新设计规划图包括多个设计电路图案；

将所述这些缺陷图像及该新设计规划图的单位尺寸调整为一致；

依据所述这些缺陷的坐标，将所述这些缺陷的轮廓分别叠置于该新设计规划图上；以及

借助于分别分析所述这些缺陷的轮廓与该新设计规划图的所述这些设计电路图案的重叠情形，来判断所述这些缺陷分别是否在该新设计规划图上导致一断路错误或一短路错误。

10.如权利要求9所述的物体制造缺陷的应用方法，其特征在于，在“依据所述这些缺陷的坐标，将所述这些缺陷的轮廓分别叠置于该新设计规划图上”的步骤中，更包括步骤如下：

从该新设计规划图中撷取多个局部设计规划图；以及

将所述这些缺陷的轮廓分别叠置于所述这些局部设计规划图上。

11.如权利要求1所述的物体制造缺陷的应用方法，其特征在于，更包括“将一缺陷诊断与实验设计、制程模块分割或制程参数整合做结合”的步骤，其中该步骤又包括些步骤如下：

提取该缺陷的诊断结果；

提取该实验设计、该制程模块分割或该制程参数整合；

对该诊断结果与该实验设计、该制程模块分割或该制程参数整合做数据分析；以及

推论该缺陷与该制程模块或是该制程参数整合的关连性，并且优化使得缺陷对合格率的影响最小。

12.一种物体制造缺陷的应用方法，其特征在于，包括步骤如下：

从一物体的制造过程取得一缺陷图像，该缺陷图像包括一缺陷及该缺陷周围的多个已制造出的电路图案；

取得该缺陷的坐标；

取得该物体的一设计规划图，该设计规划图包括多个设计电路图案；

将该缺陷图像及该设计规划图的单位尺寸调整为一致；

依据该缺陷的坐标，从该设计规划图中撷取出该缺陷周围的一局部设计规划图；

从该缺陷图像中撷取出该缺陷的轮廓；

将该缺陷的轮廓叠置于该局部设计规划图上；以及

借助于分析该缺陷的轮廓与所述这些设计电路图案的重叠情形，来判断该缺陷是否在该设计规划图上导致一断路错误或一短路错误。