[发明专利]III族氮化物晶体基材和半导体设备

权利要求书

1.一种III族氮化物晶体基材，所述基材包括：

厚度为50nm以下的受影响层；和

厚度为3nm以下的表面氧化层，其中所述基材具有0.5nm以下 的表面粗糙度Ra和5nm以下的表面粗糙度Ry，

其中所述基材是通过III族氮化物晶体膜的表面处理方法制备的，所 述方法包括机械研磨或机械打磨晶体膜的表面；和抛光晶体膜的表 面，其中抛光用的抛光液的pH值x和单位是mV的氧化-还原电位值 y同时满足由表达式(1)和表达式(2)表示的关系：

y≥-50x+1,000    (1)

y≤-50x+1,900    (2)，

其中受影响层是指其中晶格次序不整的层，该层通过对晶体膜的 表面进行研磨、打磨或抛光而在晶体膜的表面上形成。

2.根据权利要求1的III族氮化物晶体基材，其中所述III族氮 化物晶体基材的主平面平行于在纤锌矿结构中的C-平面、A-平面、 R-平面、M-平面和S-平面中的任何一个平面。

3.根据权利要求1的III族氮化物晶体基材，其中由所述III族氮化 物晶体基材的主平面和在纤锌矿结构中的C-平面、A-平面、R-平面、 M-平面和S-平面中的任何一个平面形成的斜角为0.05°至15°。

4.根据权利要求3的III族氮化物晶体基材，其中所述斜角为0.1° 至10°。

5.根据权利要求1的III族氮化物晶体基材，其中所述基材具有 50mm的直径。

6.一种具有外延层的III族氮化物晶体基材，所述基材包括：

根据权利要求1至5中任一项所述的III族氮化物晶体基材；和

通过外延生长在所述III族氮化物晶体基材上形成的至少一个III 族氮化物层。

7.一种半导体设备，所述半导体设备包括根据权利要求1至5 中任一项所述的III族氮化物晶体基材。

8.根据权利要求7所述的半导体设备，所述半导体设备还包括：

发光元件，所述发光元件包括由通过外延生长在所述III族氮化 物晶体基材的主平面上形成的三个以上的子层组成的半导体层、在所 述III族氮化物晶体基材的另一个主平面上形成的第一电极、和在所 述半导体层的最外半导体子层上形成的第二电极；和

装配所述发光元件的电导体，

其中在所述发光元件中，靠近所述III族氮化物晶体基材的面用 作发光面和靠近所述最外半导体子层的面用作装配层，并且

所述半导体层包括p-型半导体子层、n-型半导体子层、和在所述 p-型半导体子层和所述n-型半导体子层之间形成的发光子层。