[发明专利]半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，包括：

杂质离子注入工序，通过在将具有厚度较薄的第1部分和厚度厚于第1部分的第2部分的掩膜、或具有由贯穿孔形成的第1部分和预定厚度的第2部分的掩膜配置在杂质离子照射装置和半导体基板之间的状态下，从杂质离子照射装置朝向半导体基板照射n型或p型的杂质离子，从而穿过了第1部分的杂质离子被注入到半导体基板内；

带电粒子注入工序，通过在将与杂质离子注入工序中所使用的掩膜相同的掩膜配置在带电粒子照射装置和半导体基板之间的状态下，从带电粒子照射装置朝向半导体基板照射带电粒子，从而穿过了第1部分和第2部分中的至少一方的带电粒子被注入到半导体基板内，由此在注入了带电粒子的范围内的半导体基板中形成有载流子寿命被缩短化了的低寿命区；

其中，从杂质离子注入工序和带电粒子注入工序中的某一方开始起到杂质离子注入工序和带电粒子注入工序双方结束为止，掩膜和半导体基板之间的相对位置不发生改变。

2.如权利要求1所述的制造方法，其中，

半导体装置为具有绝缘栅双极性晶体管和二极管的纵型的半导体装置，

在杂质离子注入工序中，穿过了第1部分的n型杂质离子被注入到与二极管的阴极区相对应的区域内，

在带电粒子注入工序中，穿过了第1部分的带电粒子被注入到与二极管的漂移区相对应的区域内。

3.如权利要求1或2所述的制造方法，其中，

在杂质离子注入工序中，朝向掩膜的第2部分被照射的杂质离子在掩膜的内部停止，

在带电粒子注入工序中，朝向掩膜的第1部分被照射的带电粒子穿过第1部分而注入到半导体基板内，而朝向掩膜的第2部分被照射的带电粒子在掩膜的内部停止。

4.如权利要求1或2所述的制造方法，其中，

在杂质离子注入工序中，朝向掩膜的第2部分被照射的杂质离子在掩膜的内部停止，

在带电粒子注入工序中，朝向掩膜的第1部分被照射的带电粒子穿过第1部分而注入到半导体基板内，且朝向掩膜的第2部分被照射的带电粒子穿过第2部分而注入到半导体基板内。

5.如权利要求1所述的制造方法，其中，

半导体装置为具有绝缘栅双极性晶体管和二极管的纵型的半导体装置，

在杂质离子注入工序中，穿过了第1部分的p型杂质离子被注入到与绝缘栅双极性晶体管的集电区相对应的区域内，

在带电粒子注入工序中，穿过了第2部分的带电粒子被注入到与二极管的漂移区相对应的区域内。

6.如权利要求1或5所述的制造方法，其中，

在杂质离子注入工序中，朝向掩膜的第2部分被照射的杂质离子在掩膜的内部停止，

在带电粒子注入工序中，朝向掩膜的第1部分被照射的带电粒子穿过第1部分和半导体基板，而朝向掩膜的第2部分被照射的带电粒子穿过第2部分而被注入到半导体基板内。

7.如权利要求1至6中的任意一项所述的制造方法，其中，

还包括掩膜固定工序，在所述掩膜固定工序中，将掩膜固定在半导体基板上，

在掩膜固定工序之后，实施杂质离子注入工序以及带电粒子注入工序。