[发明专利]引线框基板及其制造方法以及半导体装置

说明书

技术领域

本发明涉及封装半导体元件的优选的半导体封装基板的技术，特别是涉及引线框基板与该引线框基板的制造方法以及利用这些的半导体装置。

本申请基于2008年9月29日在日本申请的专利申请2008-250799号主张优先权，并将其内容引用于此。

背景技术

在利用以QFP(Quad Flat Package：四面扁平封装)为代表的引线框的半导体封装件(semiconductor packages)中，用于与印刷引线基板连接的外部引线(outer leads)配置于半导体封装件的侧面。引线框在金属板的两面生成所希望的光致抗蚀膜，并从两面蚀刻，由此能够得到半导体元件搭载部、半导体元件电极的连接部的内部引线、外部引线以及固定这些的外框部。

此外，除了蚀刻加工法，也能够由基于冲压的穿孔加工得到。

作为半导体封装件的组装工序，在半导体元件搭载部管芯焊接(die-bonded)了半导体元件后，利用金丝等电连接半导体元件的电极与内部引线。然后，用树脂封装包括内部引线部的半导体元件的附近，并剪断外框部，根据需要对外部引线实施弯曲加工。

就这样的设置在侧面的外部引线而言，从精密加工能力的角度来看，针对约30mm见方的封装尺寸所能够设置的管脚数上限为200至300个。

近年来，随着半导体元件的电极数的增加，侧面具有外部引线的引线框型半导体封装件已无法满足对端子数的要求，所以一部分半导体封装件被置换成特定的半导体封装件，该特定的半导体封装件的如BGA(Ball Grid Array：球阵列封装)或LGA(Land Grid Array：触电阵列封装)型等用于与印刷布线基板连接的外部连接端子在封装件基板底面配置为阵列状。用于这些封装的基板，通常是用钻孔器在两面覆铜环氧玻璃基板上打孔，并电镀孔内部而使其导电，在一个面上生成用于连接半导体元件的电极的端子，在另一个面上生成排列成阵列状的外部连接端子。

然而，这些基板的制造工序复杂、成本高，并且，因为将电镀用于基板内的布线连接，所以与引线框型的封装件相比，存在可靠性低劣的问题。

因此，已公开利用称为从两面蚀刻引线框的工序，使用引线框的BGA型的半导体封装件结构。(例如专利文献1)

这是这样的方式：改变表里的光致抗蚀图案来同时蚀刻，或者，蚀刻一侧后，在蚀刻面表层生成电沉积聚酰亚胺树脂膜或是涂敷预成型树脂之后，从另一面加以蚀刻，由此在一个面上生成半导体元件电极的连接端子，在另一面上生成阵列状的外部连接端子。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利第3642911号公报。

发明内容

发明要解决的问题

图4A及图4B是示出了以往技术的引线框基板的代表例子的模式的剖面图。

引线框基板包括半导体元件搭载部8、半导体元件电极连接端子9、布线10、外部连接端子11以及外框部12。在BGA型的引线框中，如增加外部连接端子11的数量，则半导体元件电极连接端子9侧的布线10的长度变长。因为该布线10是对金属板进行半蚀刻(half etching)而制造的，所以其宽度和厚度都小，由此在蚀刻以后的工序中存在发生折断及弯曲而导致生产率非常差的问题。

在专利文献1中已公开这样的技术：首先只对外部连接端子11侧进行半蚀刻，然后在蚀刻面生成电沉积聚酰亚胺层17之后，再通过蚀刻来生成半导体元件电极连接端子9侧。由此，微细的布线10虽然是薄膜，但由电沉积聚酰亚胺层17支撑，因此可以避免制造引线框时的引线的折断或弯曲。

然而，在本结构的引线框基板的半导体元件搭载部8搭载半导体元件，并通过引线接合来连接半导体元件电极与半导体元件电极连接端子9时，由于半导体元件电极连接端子9的下部为中空，所以会有这样的问题：因引线连接力不足而导致连接不良，明显地降低组装生产率。

此外，作为(专利文献1中没有公开)其他的一种对策，也考虑用预成型树脂灌注(potting)电沉积聚酰亚胺层，以此加厚树脂层的方式。

根据该对策，可以推测能够在一定程度避免焊接(bonding)不良的问题，但不能够完全避免中空状态。

据此，调整预成型树脂的涂敷量非常难，所以如果生成电沉积聚酰亚胺层的孔部面积变大，则中心变薄，由此有可能出现不能够由电沉积聚酰亚胺层17支撑微细的布线10的问题。此外，基于中心变薄的问题，有可能因情况而在以后的工序出现中开孔的问题。