[发明专利]半导体表面用处理剂组合物和使用该组合物的半导体表面的处理方法

权利要求书

1.一种半导体表面用处理剂组合物，其特征在于，该组合物含有在水中产生氟离子的化合物、碳自由基产生剂和水。

2.如权利要求1所述的组合物，其特征在于，其进一步含有酸。

3.如权利要求1所述的组合物，其特征在于，其进一步含有有机溶剂。

4.如权利要求3所述的组合物，其特征在于，其进一步含有还原剂。

5.如权利要求4所述的组合物，其特征在于，其进一步含有表面活性剂。

6.如权利要求1所述的组合物，其中，所述半导体表面用处理剂是防反射膜层用剥离剂。

7.如权利要求1所述的组合物，其中，所述半导体表面用处理剂是BARC层用剥离剂。

8.如权利要求1所述的组合物，其中，所述在水中产生氟离子的化合物是氢氟酸与无机非金属的碱形成的盐。

9.如权利要求8所述的组合物，其中，所述氢氟酸与无机非金属的碱形成的盐为氟化铵。

10.如权利要求1所述的组合物，其中，所述碳自由基产生剂是受到波长为200nm～750nm的光照射而产生碳自由基的化合物。

11.如权利要求2所述的组合物，其中，所述酸是从脂肪族二羧酸或芳香族二羧酸以及脂肪族羟基羧酸或芳香族羟基羧酸中选出的至少一种。

12.如权利要求11所述的组合物，其中，所述脂肪族二羧酸或芳香族二羧酸以及脂肪族羟基羧酸或芳香族羟基羧酸是从草酸、丙二酸、琥珀酸、戊二酸、己二酸、庚二酸、马来酸、富马酸、苹果酸、酒石酸、柠檬酸和邻苯二甲酸中选出的至少一种。

13.如权利要求11所述的组合物，其中，所述脂肪族二羧酸或芳香族二羧酸以及脂肪族羟基羧酸或芳香族羟基羧酸是从草酸、苹果酸、酒石酸和柠檬酸中选出的至少一种。

14.如权利要求3所述的组合物，其中，所述有机溶剂是从醇系、酯系、酰胺系或亚砜系的有机溶剂中选出的至少一种，选出的各有机溶剂本身的偶极矩为1.5～7.5debye，且选出的各有机溶剂本身的比重为0.7～1.2的范围。

15.如权利要求3所述的组合物，其中，所述有机溶剂是从异丙醇、γ-丁内酯、N-甲基吡咯烷酮中选出的至少一种。

16.如权利要求4所述的组合物，其中，所述还原剂是从抗坏血酸和抗坏血酸酯中选出的至少一种。

17.如权利要求2所述的组合物，其中，所述半导体表面用处理剂为防反射膜层用剥离剂，该防反射膜层的下层为Low-k膜，所述组合物的pH为7以下。

18.如权利要求2所述的组合物，其中，所述半导体表面用处理剂为防反射膜层用剥离剂，该防反射膜层的下层为Low-k膜，所述组合物的pH为1～4的范围。

19.如权利要求5所述的组合物，其中，所述在水中产生氟离子的化合物的重量％为0.01重量％～5重量％，所述碳自由基产生剂的重量％为0.05重量％～10重量％，所述水的重量％为0.02重量％～10重量％，所述酸的重量％为0.1重量％～5重量％，所述有机溶剂的重量％为80重量％～99重量％，所述还原剂的重量％为0.001重量％～5重量％，且所述表面活性剂的重量％为0.05重量％～5重量％。

20.如权利要求1所述的组合物，其中，其用于多层铜布线结构的半导体基板。

21.如权利要求3所述的组合物，其中，其用于多层铜布线结构的半导体基板。

22.一种半导体表面的处理方法，其特征在于，该方法使用权利要求1所述的组合物。