[发明专利]封装基板结构及其制作方法有效
| 申请号: | 200910262664.4 | 申请日: | 2007-08-10 |
| 公开(公告)号: | CN101740403A | 公开(公告)日: | 2010-06-16 |
| 发明(设计)人: | 陈柏玮;王仙寿 | 申请(专利权)人: | 全懋精密科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48 |
| 代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 陈肖梅;谢丽娜 |
| 地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 封装 板结 及其 制作方法 | ||
1.一种封装基板结构的制作方法,其特征在于,包括步骤:
(A)提供一载板;
(B)于该载板表面形成一图案化的第一阻层,其中该图案化的第一阻层内具有多个第一开口;
(C)于所述的第一开口内形成一蚀刻停止层及一金属层;
(D)移除该第一阻层;
(E)形成一图案化的防焊层于该载板表面,且该图案化防焊层具有多个第二开口及第三开口,该多个第二开口显露出该蚀刻停止层、该金属层及部分的载板表面,且所述的第三开口仅显露出该金属层表面;
(F)形成一图案化的第二阻层,其具有多个第四开口,所述的第四开口对应于所述的第三开口以显露出该金属层;
(G)于所述的第四开口内形成多个金属凸块;
(H)移除该第二阻层;以及
(I)于所述的金属凸块表面及所述的第二开口内的该蚀刻停止层与该金属层表面形成一金属保护层。
2.如权利要求1所述的封装基板结构的制作方法,其中,于步骤(F)形成一图案化第二阻层前,先于图案化防焊层表面形成一导电层。
3.如权利要求1所述的封装基板结构的制作方法,其中,于步骤(I)形成该金属保护层之后,更包括下列步骤:
(J)经由多个焊料凸块及金属线与至少二芯片电性连接;以及
(K)模注该基板结构。
4.如权利要求3所述的封装基板结构的制作方法,其中,于步骤(K)模注该基板结构之后,更包括一步骤:
(L)移除该载板。
5.如权利要求1所述的封装基板结构的制作方法,其中,所述的第一开口、所述的第二开口、所述的第三开口及所述的第四开口以曝光及显影的图案化制程形成。
6.如权利要求1所述的封装基板结构的制作方法,其中,该金属层以电镀的方式形成。
7.如权利要求1所述的封装基板结构的制作方法,其中,该金属凸块以电镀的方式形成。
8.如权利要求4所述的封装基板结构的制作方法,其中,移除该载板的步骤以蚀刻的方式移除。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





