[发明专利]制作具有多电极超低电感的多槽PN结电容器的方法

权利要求书

1.一种制作具有多电极超低电感的多槽PN结电容器的方法，其特征在于，该方法包括：

步骤1：选择半导体基材，在该半导体基材上生长起保护及绝缘作用的介质层；

步骤2：在该介质层上刻蚀出所需要的电容图形，包括介质层的窗口、电极图形以及微机械结构的三维图形；

步骤3：在半导体基材表面进行与半导体基材材料极性相反的掺杂，在半导体基材表面处形成耗尽层；

步骤4：将金属蒸镀在P区和N区表面进行电极的制备；

步骤5：对形成的电极进行热处理，降低金属半导体的接触电阻；

步骤6：将导电胶填充于半导体基材表面上的沟道之中；

步骤7：对该导电胶进行减薄，形成光滑的表面，从而形成电极的区域的电极凸点；

步骤8：对制备好凸点的外延片表面进行保护，并对外延片的下表面进行减薄；

步骤9：对外延片进行切割制成单独的电容器，完成电容器制作。

2.根据权利要求1所述的制作具有多电极超低电感的多槽PN结电容器的方法，其特征在于，步骤1中所述半导体基材是P型硅片，所述生长介质层采用热氧化或PECVD方法。

3.根据权利要求1所述的制作具有多电极超低电感的多槽PN结电容器的方法，其特征在于，步骤2中所述刻蚀采用湿法或者干法。

4.根据权利要求1所述的制作具有多电极超低电感的多槽PN结电容器的方法，其特征在于，步骤3中所述掺杂采用离子注入法或者扩散法。

5.根据权利要求1所述的制作具有多电极超低电感的多槽PN结电容器的方法，其特征在于，所述步骤4包括：

采用电子束蒸发或溅射方法将金属Al或Ti/Au蒸镀在P区和N区表面。

6.根据权利要求1所述的制作具有多电极超低电感的多槽PN结电容器的方法，其特征在于，步骤6中所述填充导电胶采用电镀或溅射方法。

7.根据权利要求1所述的制作具有多电极超低电感的多槽PN结电容器的方法，其特征在于，步骤7中所述对该导电胶进行减薄采用表面平坦化方法。

8.根据权利要求1所述的制作具有多电极超低电感的多槽PN结电容器的方法，其特征在于，步骤7中所述形成电极的区域的电极凸点包括：

利用晶圆丝网印刷机或电镀及回流技术在P区和N区制作凸点焊时所需要的电极凸点。