[发明专利]半导体芯片栅格阵列封装及其制造方法

权利要求书

1.一种用于制造半导体芯片栅格阵列封装的方法，包括：

提供导电片材，所述导电片材在一侧具有面向芯片的表面，而在另一侧具有面向外部的表面；

在所述导电片材的面向芯片的表面上蚀刻沟道，从而以管芯附接焊盘和多个连接器焊盘的形式定义栅格阵列焊盘，其中所述沟道被蚀刻的深度是所述导电片材厚度的至少60％；

将半导体管芯安装到所述管芯附接焊盘上；

将所述连接器焊盘电连接到所述管芯上的各外部连接端子；

将所述管芯、沟道和连接器焊盘密封在密封材料中；以及

蚀刻所述导电片材的面向外部的表面以将所述栅格阵列焊盘相互电隔离，其中蚀刻面向外部的表面的特征在于去除介于相邻的栅格阵列焊盘之间的所述导电片材的区域，并且其中蚀刻面向外部的表面形成从每个所述连接器焊盘凸起的柱头。

2.根据权利要求1所述的制造半导体芯片栅格阵列封装的方法，其中所述管芯附接焊盘的外部安装表面与从每个所述连接器焊盘凸起的每个所述柱头的安装表面在同一平面。

3.根据权利要求1所述的制造半导体芯片栅格阵列封装的方法，其中所述沟道被蚀刻到所述导电片材厚度的至少70％的深度。

4.根据权利要求1所述的制造半导体芯片栅格阵列封装的方法，其中所述柱头的深度不大于所述导电片材厚度的40％。

5.根据权利要求1所述的制造半导体芯片栅格阵列封装的方法，其中所述柱头的最大宽度比所述柱头从其凸起的所述连接器焊盘的最大宽度小至少30％。

6.根据权利要求1所述的制造半导体芯片栅格阵列封装的方法，其中从每个所述连接器焊盘凸起的所述柱头是具有圆形截面的柱，并且其中所述柱的最大直径比所述柱头从其凸起的所述连接器焊盘的最大宽度小至少30％。

7.根据权利要求1所述的制造半导体芯片栅格阵列封装的方法，其中所述导电片材的尺寸足够大以使得能够制造多个半导体芯片栅格阵列封装，并且所述方法包括从在所述导电片材上制造的其它半导体芯片栅格阵列封装中拆分半导体芯片栅格阵列封装的另外步骤。

8.一种半导体芯片栅格阵列封装，包括：

管芯附接焊盘和多个连接器焊盘；

安装在所述管芯附接焊盘上的半导体管芯，所述半导体管芯具有分别电连接到所述连接器焊盘的外部连接端子；

密封所述管芯和连接器焊盘的密封材料；

从每个所述连接器焊盘凸起的柱头，用来提供用于所述半导体芯片栅格阵列封装的外部电接触，其中所述连接器焊盘和各柱头中的每一个由导电片材形成，并且所述连接器焊盘的厚度是所述导电片材厚度的至少60％，各柱头的厚度不大于所述导电片材厚度的40％。

9.根据权利要求8所述的半导体芯片栅格阵列封装，其中所述管芯附接焊盘的外部安装表面与从每个所述连接器焊盘凸起的每个柱头的安装表面在同一平面。

10.根据权利要求8所述的半导体芯片栅格阵列封装，其中所述连接器焊盘的厚度是所述导电片材厚度的至少70％，并且各柱头的厚度不大于所述导电片材厚度的30％。

11.根据权利要求8所述的半导体芯片栅格阵列封装，其中从每个所述连接器焊盘凸起的所述柱头是具有圆形截面的柱，并且其中所述柱的最大直径比所述柱头从其凸起的所述连接器焊盘的最大宽度小至少30％。

12.根据权利要求8所述的半导体芯片栅格阵列封装，其中所述柱头的最大宽度比所述柱头从其凸起的所述连接器焊盘的最大宽度小至少30％。