[发明专利]具有电容补偿的像素结构

权利要求书

1.一种具有电容补偿的像素结构，其特征在于，包括：

一薄膜晶体管组件，包括：

一源极电极，包括一第一电极条；

一漏极电极，包括一第二电极条，该第二电极条本质上平行于该第一电极条；

一半导体层，设置于该源极电极与该漏极电极下方，且包括一通道区域，该通道区域设置于该第一电极条与该第二电极条之间；

以及

一栅极电极，设置于该半导体层下方，该栅极电极具有一条状本体部，以及至少一凸出部或至少二凹陷部，该条状本体部平行于该第一电极条与该第二电极条，且该通道区域覆盖该条状本体部；

其中，该凸出部或该等凹陷部使该第二电极条跨越该栅极电极而与该栅极电极部分重迭，该第二电极条的相对两端均不与该栅极电极于铅直方向上重迭，且该第二电极条与该栅极电极彼此重迭的部分形成一电容。

2.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，还包括一数据线，该数据线本质上垂直于该第一电极条，且与该第一电极条连接。

3.如权利要求2所述的像素结构，其特征在于，还包括一像素电极，该像素电极电性连接至该第二电极条。

4.如权利要求3所述的像素结构，其特征在于，该第二电极条仅跨越该栅极电极的一个凸出部。

5.如权利要求4所述的像素结构，其特征在于，全部的该通道区域均覆盖该栅极电极，且该栅极电极的该条状本体部与该凸出部均被该通道区域所覆盖，该像素电极透过一接触窗而电性连接至该第二电极条的一端。

6.如权利要求3所述的像素结构，其特征在于，该第二电极条跨越该栅极电极的两个凸出部，该通道区域覆盖该栅极电极的两个凸出部。

7.如权利要求6所述的像素结构，其特征在于，该漏极电极还包括一第三电极条，该第三电极条垂直于该第二电极条而设置于该两凸出部之间，该第三电极条的一端连接至该第二电极条，且该像素电极透过一接触窗而电性连接至该第三电极条的另一端。

8.如权利要求3所述的像素结构，其特征在于，该第二电极条的相对两端分别对应于该栅极电极的两个凹陷部而设置，全部的该通道区域均覆盖该栅极电极的该条状本体部。

9.如权利要求8所述的像素结构，其特征在于，该漏极电极还包括一第三电极条，该第三电极条垂直于该第二电极条且对应于该等凹陷部其中之一而设置，该第三电极条的一端连接至该第二电极条，且该像素电极透过一接触窗而电性连接至该第三电极条的另一端。

10.如权利要求8所述的像素结构，其特征在于，该漏极电极还包括一第三电极条与一第四电极条，该第三与该第四电极条均垂直于该第二电极条，该第三与该第四电极条分别对应于该两凹陷部而设置，该第三电极条的一端与该第四电极条的一端分别连接至该第二电极条，且该像素电极透过两个接触窗而分别电性连接至该第三电极条的另一端与该第四电极条的另一端。

11.一种具有电容补偿的像素结构，其特征在于，包括：

一薄膜晶体管组件，包括：

一源极电极，包括一第一电极条；

一漏极电极，包括一第二电极条，该第二电极条本质上平行于该第一电极条；

一半导体层，设置于该源极电极与该漏极电极下方，且包括一通道区域，该通道区域设置于该第一电极条与该第二电极条之间；

以及

一栅极电极，设置于该半导体层下方，该栅极电极具有一条状本体部与至少一凹陷部，该条状本体部平行于该第一与该第二电极条，且全部的该通道区域均覆盖该栅极电极的该条状本体部；

其中，该第二电极条跨越该凹陷部，使该第二电极条的相对两端均与该栅极电极于铅直方向上重迭，且该第二电极条与该栅极电极彼此重迭的部分形成一电容。