[发明专利]提高半导体元器件的性能的方法

权利要求书

1.一种提高半导体元器件的性能的方法，其特征在于，该方法包括：

在衬底上依次形成栅氧化层和多晶硅层；对所述栅氧化层和多晶硅层进行刻蚀，形成栅极；

在所述栅极的两侧形成第一侧墙；进行浅离子注入工艺，以形成浅掺杂源漏区；

在上述第一侧墙的外侧形成第二侧墙；

进行预非晶化注入工艺；

进行深源/漏区离子注入工艺；

在所形成的栅、源和漏区上依次形成缓冲氧化层和高应力氮化物层；

进行快速热退火工艺；去除上述的高应力氮化物层和缓冲氧化层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：

在所述预非晶化注入工艺中，所使用的离子为锗离子。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于：

所述锗离子的能量为：10～30Kev；

所述锗离子的剂量为：3×10¹⁴～2×10¹⁵/cm²。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：

在所述深源/漏区离子注入工艺，所使用的离子为磷离子或砷离子。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：

在所述深源/漏区离子注入工艺，所注入的离子的能量为：1～30Kev；所注入的离子的剂量为：5×10¹³～3×10¹⁵/cm²。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：

所述缓冲氧化层的厚度为：10～1000埃。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：

所述高应力氮化物层由Si₃N₄构成；

所述高应力氮化物层的厚度为：100～10000埃。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：

在进行所述快速热退火工艺时，所使用的退火温度为：900～1100摄氏度。