[发明专利]半导体器件

说明书

此申请是以日本专利公开No.2008-269004为基础，其内容在这里 通过引用并入。

技术领域

本发明涉及包括电熔丝的半导体器件。

背景技术

近年来，已经提出被称为“裂纹帮助型工艺”的切断电熔丝的新 方法。在此方法中，当电熔丝被切断时，将到电熔丝的结构和到电熔 丝的电压施加控制为强制地使得电熔丝的导电材料在电熔丝的一部分 处流出并且流入存在于导电材料的附近中的绝缘膜。通过这样做，流 出和供应的材料之间的平衡被破坏，并且在另外的地区中形成大的切 断部分。这样，能够显著地减少切断的电熔丝的重新连接的可能性， 并且能够保持所想要的切断状态。(例如，请参见日本特开专利公开 NO.2007-73624、2007-305693以及2007-305939)。

日本特开专利公开NO.2007-73624公布其中熔丝被折回的结构。 通过此结构，在熔丝被折回的部分处的熔丝材料易于变热以促进切断 同时允许在其它部分处切断熔丝，从而良好地保持切断的熔丝的切断 状态。

日本特开专利公开NO.2007-305693和2007-305939公布包括下层 布线、上层布线以及连接这些层布线的导通孔的电熔丝。通过此构造， 例如当向外喷射从组成电熔丝的上层布线形成的导电体时，导通孔的 导电体随着导电体的移动而移动从而在导通孔中形成切断部分。这样， 通过在导通孔中形成切断部分，能够防止电熔丝在电熔丝的切断之后 被重新连接。

另外，日本特开专利公开NO.H-6-140510、2007-5424、2005-39220 以及2005-197416也公布其中熔丝被折回的结构。具体地，日本特开专 利公开NO.H-6-140510、2007-5424以及2005-39220公布其中组成熔丝 的材料被熔融并且通过电流流过熔丝切断该材料的传统的电熔丝。通 过此构造，通过折回熔丝的切断部分，电流被集中在熔断体(fuse link) 的弯曲部分，这导致有助于熔融熔丝材料。日本特开专利公开 NO.2005-197416公布其中通过激光切断熔丝的结构。利用此构造，通 过折回熔丝的切断部分，能够改进即使激光光束偏离的情况下的切断 的建立。

发明内容

然而，本发明人已经发现，即使当使用裂纹帮助型工艺切断具有 如在日本特开专利公开NO.2007-305693和2007-305939中公布的构造 的电熔丝时存在以下问题。使用裂纹帮助型工艺切断电熔丝要求比使 用传统的熔融方法切断材料更高的施加电压。因此，裂纹帮助型工艺 要求进行高施加电压的设置。然而，由于从工艺变化导致的晶体管的 电流偏离等等中的变化可以导致施加电压发生变化。本发明人已经认 识到具有如日本特开专利公开NO.2007-305693和2007-305939中公布 的构造的电熔丝具有下述问题，即容许范围在下限侧较窄，在所述容 许范围中特别当施加电压被改变为减小时不发生切断缺陷。

根据通过本发明的研究，相信当施加电压被改变为减小时发生的 切断缺陷是由于当被用于将电压施加给电熔丝的诸如公共布线、焊盘 布线等等的大面积布线当电熔丝被切断时用作散热器(heat sink)时在 电熔丝中产生的热辐射导致的。

在一个实施例中，提供了一种半导体器件，其包括：

基板；

电熔丝，该电熔丝被形成在基板的上方；

第一大面积布线，该第一大面积布线被形成在基板的上方的至少 第一层中用于将电压施加给电熔丝；

第二大面积布线，该第二大面积布线被形成在基板的上方的不同 于第一层的至少第二层中用于将电压施加给电熔丝，

其中电熔丝包括：

熔丝单元，该熔丝单元包括被形成在第一层中的第一熔丝布线、 形成在第二层中的第二熔丝布线、以及连接第一熔丝布线和第二熔丝 布线的导通孔，并且其中当切断熔丝时形成组成电熔丝和切断部分的 导电材料的流出部分；

第一引出布线，该第一引出布线被形成在第一层中，连接第一熔 丝布线和第一大面积布线，并且具有弯曲图案；以及

第二引出布线，该第二引出布线被形成在第二层中，连接第二熔 丝布线和第二大面积布线，并且具有弯曲图案。