[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

基板；

电熔丝，所述电熔丝被形成在所述基板的上方；

第一大面积布线，所述第一大面积布线形成在所述基板上方的至 少第一层中，用于将电压施加给电熔丝；

第二大面积布线，所述第二大面积布线形成在所述基板上方的不 同于所述第一层的至少第二层中，用于将电压施加给所述电熔丝，

其中所述电熔丝包括：

熔丝单元，所述熔丝单元包括形成在所述第一层中的第一熔丝布 线、形成在所述第二层中的第二熔丝布线、以及连接所述第一熔丝布 线和所述第二熔丝布线的导通孔，并且其中当切断所述熔丝时形成构 成所述电熔丝的导电材料的流出部分和切断部分；

第一引出布线，所述第一引出布线形成在所述第一层中，连接所 述第一熔丝布线和所述第一大面积布线，并且具有弯曲图案；以及

第二引出布线，所述第二引出布线形成在所述第二层中，连接所 述第二熔丝布线和所述第二大面积布线，并且具有弯曲图案。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，在所述熔丝单元中， 通过从所述第一熔丝布线中流出构成所述电熔丝的所述导电材料形成 所述流出部分。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，在所述熔丝单元中， 在所述导通孔处形成所述切断部分。

4.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，在所述熔丝单元中， 在所述导通孔处形成所述切断部分。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一引出布线被 形成为具有比所述第一熔丝布线大的布线宽度，并且

其中所述第二引出布线被形成为具有比所述第二熔丝布线大的布 线宽度。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一大面积布线 和所述第二大面积布线被分别提供为在第一方向上延伸，并且

其中所述第一熔丝布线、所述导通孔以及所述第二熔丝布线被形 成为当在平面视图中看时在所述第一方向上在同一直线上延伸。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中所述第一引出布线从 所述第一大面积布线在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸、以直 角弯曲、并且然后在所述第一方向上延伸以被连接至所述第一熔丝布 线，并且

其中所述第二引出布线从所述第二大面积布线在所述第二方向上 延伸、以直角弯曲、并且然后在所述第一方向上延伸以被连接至所述 第二熔丝布线。

8.根据权利要求6所述的半导体器件，其中所述第一大面积布线 和所述第二大面积布线被提供为当在平面视图中看时彼此相对并且相 互隔开，并且

其中当在平面视图中看时，所述第一熔丝布线、所述导通孔以及 所述第二熔丝布线被提供在所述第一大面积布线和所述第二大面积布 线之间。

9.根据权利要求7所述的半导体器件，其中所述第一大面积布线 和所述第二大面积布线被提供为当在平面视图中看时彼此相对并且相 互隔开，并且

其中当在平面视图中看时，所述第一熔丝布线、所述导通孔以及 所述第二熔丝布线被提供在所述第一大面积布线和所述第二大面积布 线之间。

10.根据权利要求6所述的半导体器件，其中所述第一大面积布 线和所述第二大面积布线被提供为当在平面视图中看时被堆叠，并且

其中当在平面视图中看时，所述第一引出布线和所述第二引出布 线在不同位置处分别与所述第一大面积布线和所述第二大面积布线相 连接。

11.根据权利要求7所述的半导体器件，其中所述第一大面积布 线和所述第二大面积布线被提供为当在平面视图中看时被堆叠，并且

其中当在平面视图中看时，所述第一引出布线和所述第二引出布 线在不同位置处分别与所述第一大面积布线和所述第二大面积布线相 连接。

12.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一熔丝布线 被形成为具有比所述第二熔丝布线大的体积。