[发明专利]芯片封装体无效
| 申请号: | 200910175767.7 | 申请日: | 2009-10-13 |
| 公开(公告)号: | CN102044510A | 公开(公告)日: | 2011-05-04 |
| 发明(设计)人: | 陈光雄;谢宝明;苏洹漳;黄士辅;伯纳德·卡尔·阿波尔特 | 申请(专利权)人: | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L23/48 | 分类号: | H01L23/48;H01L23/31;H01L23/12;H01L23/495 |
| 代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 刘芳 |
| 地址: | 中国台湾高雄市*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 芯片 封装 | ||
1.一种芯片封装体,包括:
一图案化金属箔层,具有相对的一第一表面与一第二表面;
一第一图案化介电层,配置于该图案化金属箔层的该第二表面上,其中该第一图案化介电层具有多个第一开口以暴露出至少部分该图案化金属箔层,并形成下方对外电性连接的复数个第二接点;
一芯片,配置于该图案化金属箔层的该第一表面上;
一粘着层,配置于该芯片与该图案化金属箔层之间;
多条导线,分别连接该芯片与该图案化金属箔层,其中部分该第一图案化介电层位于所述导线与该图案化金属箔层相接之处的下方,且部分该第一图案化介电层和所述导线与该图案化金属箔层为重迭于一平面;以及
一封装胶体,配置于该第一表面上,并覆盖该芯片与所述导线。
2.根据权利要求1所述的芯片封装体,还包括:
一第二图案化介电层,配置于该图案化金属箔层上方,其中该第二图案化介电层系至少暴露出部分该图案化金属箔层,以形成上方对外电性连接的复数个第一接点。
3.根据权利要求2所述的芯片封装体,其中该图案化金属箔层、该第一图案化介电层与该第二图案化介电层的总厚度范围在40微米~130微米之间。
4.根据权利要求1所述的芯片封装体,其中该图案化金属箔层包括:
多个引脚,所述引脚至少其中之一延伸至该芯片下方,且所述导线至少其中之一连接该芯片与所述引脚,所述第一开口至少其中之一位于该芯片下方,以暴露出所述引脚的延伸至该芯片下方的部分。
5.根据权利要求1所述的芯片封装体,其中该图案化金属箔层包括:
多个引脚,所述引脚至少其中之一向远离该芯片的方向延伸,所述导线至少其中之一连接该芯片与所述引脚其中之一,且所述第一开口至少其中之一位于该芯片外围并暴露出所述引脚。
6.根据权利要求1所述的芯片封装体,其中部分所述第一开口位于该图案化金属箔层的外缘,且所述第一开口为多个开孔。
7.一种芯片封装体,包括:
一图案化金属箔层,具有相对的一第一表面与一第二表面,该图案化金属箔层包括:
一芯片座;
多个引脚,配置于该芯片座的周边;
一第一图案化介电层,配置于该图案化金属箔层的该第二表面上,其中该第一图案化介电层具有多个第一开口以暴露出至少部分该图案化金属箔层,并形成下方对外电性连接的复数个第二接点,且部分所述第一开口位于该芯片座之正下方并暴露出该芯片座;
一芯片,配置于该图案化金属箔层的该第一表面上,并位于该芯片座上;
一粘着层,配置于该芯片与该图案化金属箔层之间;
多条导线,分别连接该芯片与该图案化金属箔层,且至少部分所述导线与所述引脚相连接;以及
一封装胶体,配置于该第一表面上,并覆盖该芯片与所述导线。
8.根据权利要求7所述的芯片封装体,其中该芯片座为一连续的导电层。
9.根据权利要求7所述的芯片封装体,还包括:
一表面处理层,至少覆盖该芯片座与所述第二接点的表面及侧壁。
10.根据权利要求9所述的芯片封装体,该表面处理层的材料包括镍/金、化镍钯金、银、锡及其合金、锡膏或有机化合物。
11.根据权利要求7所述的芯片封装体,还包括:
一第二图案化介电层,配置于该图案化金属箔层上方,其中该第二图案化介电层系至少暴露出部分该图案化金属箔层,以形成上方对外电性连接的复数个第一接点。
12.根据权利要求11所述的芯片封装体,其中该芯片座被部分该第二图案化介电层覆盖。
13.根据权利要求7所述的芯片封装体,其中该芯片座为一连续的导电层。
14.根据权利要求7所述的芯片封装体,其中部分该些第一开口位于该图案化金属箔层的外缘,且该些第一开口为多个开孔。
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